<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132687">
<title>Functional Materials, 2004, № 4</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132687</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140214"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139972"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139678"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139677"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-21T00:47:05Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140214">
<title>Author Index, Vol.11, №1-4</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/140214</link>
<description>Author Index, Vol.11, №1-4
</description>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139972">
<title>Absorption spectra peculiarities of thin films of (CsCu₂Cl₃)₁₋ₓ(CsCu₂l₃)ₓ system.</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139972</link>
<description>Absorption spectra peculiarities of thin films of (CsCu₂Cl₃)₁₋ₓ(CsCu₂l₃)ₓ system.
Yunakova, O.N.; Miloslavsky, V.K.; Kovalenko, E.N.
Absorption spectrum of (CsCu₂Cl₃)₁₋ₓ(CsCu₂l₃)x thin films has been investigated in the fundamental band region. The CsCu₂Cl₃ solid solutions have been found to be formed within the concentration ranges 0&lt;x&lt;0.08 and 0.34&lt;x&lt;1. In the 0.1&lt;x&lt;0.6 range, there is a mixture of two phases in the thin films, namely, of CsCu₂Cl₃-₃xI₃x solid solutions and CsCu₂Cl₃:Cu⁺. The latter phase appears as a result of a strong disordering of the CsCu₂Cl₃ anionic sublattice as Cl⁻ ions are substituted by l- ones having a larger radius. A new absorption band corresponds to that phase in the absorption spectrum peaked at 4.8 eV; it is associated with the excitation of quasi-impurity Cu⁺ ions in the cationic sublattice of the compound in the vicinity of l- ions. The concentration dependences of the exciton band position Eex(x) and half-width GA A A MA(x) are typical of solid solutions and confirm the formation thereof in the mentioned concentration ranges.; Досліджєно спектр поглинання тонких плівок (CsCu₂Cl₃)₁₋ₓ(CsCu₂l₃)x у районі фундаментальної смуги. Встановлено, що тверді розчини CsCu₂Cl₃-₃xI₃x утворюються в інтервалі концентрацій 0&lt;х&lt;0,08 та 0,34&lt;x&lt;l. В інтервалі 0,l&lt;x&lt;0,6 у тонких плівках має місце суміш двох фаз: твердих розчинів CsCu₂Cl₃-₃xI₃x i CsCu₂Cl₃:Cu⁺. Фаза CsCu₂Cl₃:Cu+ виникає в результаті сильного розупорядкування аніонної підгратки CsCu₂Cl₃ при заміщенні іонів CI⁻ іонами більшого радіуса І-, їй відповідає в спектрі нова смуга поглинання при 4,8 еВ, позв’язана із збудженням квазідомішкових іонів Cu⁺ у катіонній підгратці з’єднання поблизу іонів І⁻. Концентраційні залежності положення Eex(x) і напівширини Г(х) екситонних смуг типові для твердих розчинів і підтверджують їхнє утворення у зазначених інтервалах концентрацій.; Исследован спектр поглощения тонких пленок (CsCu₂Cl₃)₁₋ₓ (CsCu₂l₃)x в районе фундаментальной полосы. Установлено, что твердые растворы CsCu₂Cl₃-₃xI₃x образуются в интервале концентраций 0&lt;x&lt;0,08 и 0,34&lt;x&lt;1. В интервале 0,1&lt;х&lt;0,6 в тонких пленках имеет место смесь двух фаз: твердых растворов CsCu₂Cl₃-₃xI₃x u CsCu₂Cl₃:Cu⁺. Фаза CsCu₂Cl₃:Cu⁺ возникает в результате сильного разупорядочения анионной подрешетки CsCu₂Cl₃ при замещении ионов Cl⁻ ионами большего радиуса l⁻, ей соответствует в спектре новая полоса поглощения при 4,8 эВ, связанная с возбуждением квазипримесных ионов Cu⁺ в катионной подрешетке соединения в окрестности ионов l⁻. Концентрационные зависимости положения Eex(x) и полуширины Г(х) экситонных полос типичны для твердых растворов и подтверждают их образование в указанных интервалах концентраций.
</description>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139678">
<title>Specific features of photoluminescence centers in CsBr:Eu²⁺ crystals grown from melt</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139678</link>
<description>Specific features of photoluminescence centers in CsBr:Eu²⁺ crystals grown from melt
Zorenko, Yu.V.; Turchak, R.M.; Konstankevich, I.V.
Specific formation features of isolated dipole centers (IDC) Eu²⁺-Vcs (impurity-cationic vacancy) and aggregate centers (AC) of photoluminescence (PL) in CsBr:Eu2+ crystals have been studied. These centers provide the PL with maxima in 435-450 nm and 490-520 nm regions. The centers causing the PL peaked at 490-520 nm have been found to be formed within a narrow Eu²⁺ concentration range (0.01 to 0.1 mol.%) and at temperatures up to 180-200°C. It has been supposed that in the CsBr:Eu²⁺ crystals, besides of the IDC responsible for the PL peaked at 440 nm, several AC types can be observed, in particular, CsEuBr₃ and Cs₄EuBr₆ nanocrystals as well as EuBr₂ precipitates.; Исследованы особенности образования изолированных дипольных центров (ИДЦ) типа Eu²⁺-Vcs ("примесь-катионная вакансия") и агрегатных центров (АЦ) фотолюминесценции (ФЛ) в кристаллах CsBr:Eu²⁺, обусловливающих ФЛ в спектральной области с максимумами при 435-450 нм и 490-520 нм. Установлено, что центры ФЛ с максимумами при 490-520 нм образуются в узкой области концентраций Eu²⁺ (0,010,1 мол.%) при температурах до 180-200°C. Высказано предположение, что помимо ИДЦ отвечающих за ФЛ с максимумом при 440 нм, в кристаллах CsBr:Eu²⁺ могут наблюдаться несколько типов АЦ, в частности, нанокристаллы соединений CsEuBr₃, Cs₄EuBr₆ и преципитаты EuBr₂ .; Досліджено особливості утворення ізольованих дипольних цєнтрів (ВДЦ) типу Eu²⁺-Vcs ("домшка-катюнна вакансія") і агрегатних центрів (АЦ) фотолюмінесценції (ФЛ) у кристалах CsBr:Eu²⁺, що обумовлюють ФЛ у спектральній області з максимумами при 435-450 нм і 490-520 нм. Встановлено, що центри ФЛ з максимумами при 490520 нм утворюються у вузькій області концентрацій Eu²⁺ (0,01-0,1 мол.%) при температурах до 180-200°C. Висловлено припущення, що крім ВДЦ, що відповідають за ФЛ з максимумом при 440 нм, у кристалах CsBr:Eu²⁺ можуть спостерігатися декілька типів АЦ, зокрема, нанокристали сполук CsEuBr₃, Cs₄EuBr₆ і преципітати EuBr₂.
</description>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139677">
<title>Spectral and kinetic characteristics of luminescent converters on the bases of cadmium iodide</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139677</link>
<description>Spectral and kinetic characteristics of luminescent converters on the bases of cadmium iodide
Novosad, S.S.; Novosad, I.S.; Goncharuk, V.E.; Kostyk, L.V.
The results of a comprehensive investigation of spectral and kinetic characteristics of Cdl₂, Cdl₂:CdCI₂, Cdl₂:Pbl₂, Cdl₂:SnCI₂, Cdl₂:MnCI₂, Cdl₂:PbCI₂,MnCI₂, and Cdl₂:SnCI₂, MnCI₂ crystals grown by the Bridgeman-Stockbarger technique are presented. The chlorine admixture has been found to enhance the scintillator radiation resistance while influence only slightly the emission spectra and kinetic parameters of x-ray luminescence. Cadmium iodide doped with manganese exhibits the highest x-ray luminescence yield peaked in the red spectral area. The prepared Cd₂Pb₂MnC₂, and Cd₂SnC₂MnC₂ systems are characterized by high-efficient luminescence of Mn²⁺ centers within a wide temperature range. Photoluminescence of those centers is observed both under intracenter excitations associated with the d-d transitions and in the sensitized process as a result of the energy migration from the crystal matrix and the extrinsic tin and lead centers. Basing on the results obtained and literature data, the nature of the luminescence centers is discussed as well as the possibilities of practical use of the studied crystal systems.; Приведены результаты комплексного исследования спектрально-кинетических характеристик кристаллов Cd₂, Cd₂CdC₂, Cd₂Pb₂, Cd₂SnC₂, Cd₂MnC₂, Cd₂Pb₂, MnCI₂ и Cdl₂:SnCI₂, MnCI₂, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера. Установлено, что примесь хлора повышает радиационную стойкость сцинтилляторов, при этом слабо влияет на спектры излучения и кинетические параметры рентгенолюминесценции. Йодистый кадмий, с примесью марганца при комнатной температуре имеет наибольший выход рентгенолюминесценции с максимумом в красной области спектра. Полученные системы Cdl₂:Pbl₂,MnCI₂ и Cd₂SnC₂MnC₂ характеризируются эффективной люминесценцией Mn-центров в широком температурном интервале. Фотолюминесценция этих центров наблюдается как при внутрицентровых возбуждениях, связанных с d-d переходами, так и в сенсибилизированном процессе в результате миграции энергии от основы кристаллов и примесных центров олова и свинца. На основе анализа полученных результатов и литературных данных обсуждается природа центров люминесценции и возможности практического использования исследованных кристаллических систем.; Приведени результати комплексного досліджєння спектрально-кінетичних характеристик кристалів Cd₂, Cdl₂:CdCl₂, Cd₂Pb₂, Cd₂SnC₂, Cd₂MnC₂, Cd₂Pb₂MnC₂ i Cdl₂:SnCl₂,MnCl₂, вирощених методом Бріджмена-Стокбаргера. Встановлено, що домішка хлору підвищує радіаційну стійкість сцинтиляторів, при цьому слабо впливає на спектри випромінювання і кінетичні параметри рентгенолюмінесценції. Йодистий кадмій, з домішкою марганцю при кімнатній температурі має найбільший вихід рентгенолюмінесценції з максимумом у червоній області спектра. Отримані системи Cdl₂:Pbl₂,MnCl₂ i Cdl₂:SnCl₂,MnCl₂ характеризуються ефективною люмінесценцією Mn²⁺-центрів в широкому температурному інтервалі. Фотолюмінесценція цих центрів спостерігається як при внутрішньоцентрових збудженнях, пов’язаних з d-d переходами, так і у сенсибілізованому процесі в результаті міграції енергії від основи кристалів та домішкових центрів олова та свинцю. На основі аналізу отриманих результатів і літературних даних обговорюється природа центрів люмінесценції і можливості практичного використання досліджених кристалічних систем.
</description>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
