http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129580 2026-04-05T23:53:48Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139349 Предметный указатель за 1999 год Редакционная коллегия 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139348 Авторский указатель за 1999 год Редакционная коллегия 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139347 Затухание звука в сверхпроводящем аморфном сплаве ZrTiCuNiBe Безуглый, E.В.; Гайдук, A.Л.; Филь, В.Д.; Жерлицын, С.В.; Джонсон, В.Л.; Брулс, Г.; Люти, Б.; Вульф, Б. По pезультатам измерений затухания звука в аморфном ZrTiCuNiBe найдены сверхпроводящая энергетическая щель и параметр η, определяющий интенсивность рассеяния электронов на двухуровневых системах. Для количественного описания особенностей поглощения звука вблизи Tc привлечен механизм адиабатической перенормировки амплитуды когерентного туннелирования.; З вимірювань загасання звуку в надпровідному аморфному сплаві ZrTiCuNiBe знайдено надпровідну енергетичну щілину і параметр η який визначає інтенсивність розсіювання електронів на дворівневих системах. Для кількісного опису особливостей поглинання звуку поблизу Тс використано механізм адіабатичної перенорміровки когерентного тунелювання.; The superconducting gap and parameter h, determining the intensity of electron scattering at the two-level systems, are found from sound attenuation in superconducting amorphous ZrTiCuNiBe alloy. The peculiarities of sound attenuation near Tc are quantitatively described using the mechanism of adiabatic renormalization of coherent tunneling amplitude. 1999-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139346 К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования Иванов, М.А.; Локтев, В.М. Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным.; Запропоновано механізм формування неоднорідного, що складається з доменів металічної та діелектричної фаз основного стану слабко легованих систем. Він полягяє в тому, що утворення зарядово-нейтральних металічних областей з якомога більшою концентрацією вільних носіїв (отже і спричиняючих іх допантів) виявляється термодинамічно вигідним.; The mechanism of the formation of an inhomogeneous ground state which consists of domains of metallic and insulating phases is proposed. It is shown that the formation of the charge-neutral metallic areas with the possibly largest free carrier concentration (and consequently dopants which create them) proves to be thermodynamically advantageous. 1999-01-01T00:00:00Z