<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128473">
<title>Физика низких температур, 2002, № 11</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128473</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128723"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128722"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128721"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128720"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-26T10:40:07Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128723">
<title>Магнитоупругие волны в многоподрешеточных системах</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128723</link>
<description>Магнитоупругие волны в многоподрешеточных системах
Кызыргулов, И.Р.; Харрасов, М.Х.
Рассмотрены связанные магнитоупругие волны в антиферромагнитных кристаллах с 2ⁿ-подрешеточной магнитной подсистемой (n = 0, 1, 2, :). Найдена явная зависимость параметров взаимодействия подсистем от феноменологических постоянных. Получено дисперсионное уравнение, определяющее собственные частоты связанных магнитоупругих волн.; Coupled magnetoelastic waves in antiferromagnetic crystals with a 2ⁿ sublattice magnetic subsystem (n=0, 1, 2,…) are studied. An explicit relation is found between the interaction parameters of the subsystems and the phenomenological constants. A dispersion equation for the characteristic frequencies of the coupled magnetoelastic waves is obtained.; Розглянуто зв'язані магнітопружні хвилі в антиферомагнітних кристалах з 2ⁿ-підгратковою магнітною підсистемою (n = 0, 1, 2, ). Знайдено явну залежність параметрів взаємодії підсистем від феноменологічних сталих. Одержано дисперсійне рівняння, яке визначає власні частоти пов'язаних магнітопружних хвиль.
</description>
<dc:date>2002-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128722">
<title>Низкотемпературная деформация и разрушение объемного наноструктурного титана, полученного интенсивной пластической деформацией с помощью равноканального углового прессования</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128722</link>
<description>Низкотемпературная деформация и разрушение объемного наноструктурного титана, полученного интенсивной пластической деформацией с помощью равноканального углового прессования
Бенгус, В.З.; Табачникова, Е.Д.; Нацик, В.Д.; Мишкуф, Й.; Чах, К.; Столяров, В.В.; Валиев, Р.З.
Изучены низкотемпературная пластичность и разрушение поликристаллов крупнозернистого (КЗ) и наноструктурного (НС) титана технической чистоты двух структурных модификаций с размером зерна 0,3 и 0,1 мкм, приготовленных методом равноканального углового прессования (РКУП) с дополнительной термомеханической обработкой. Измерения проводили при температурах 300, 77 и 4,2 К в режиме одноосного сжатия со скоростью деформации 4×10⁻⁴ c⁻¹. Получены кривые упрочнения "напряжение-пластическая деформация", измерены макроскопический предел текучести и ресурс пластичности для образцов с ориентациями оси сжатия вдоль и поперек оси РКУП. Обнаружено возрастание предела текучести в 1,5-2 раза при переходе от КЗ к НС титану и при охлаждении от 300 до 4,2 К. Наблюдается также анизотропия пластичности НС титана - возрастание предела текучести в 1,2-1,5 раза при переходе от ориентации оси сжатия вдоль к ориентации поперек оси РКУП. Ресурс пластичности при таких изменениях структуры образцов и условий эксперимента систематически понижается, однако деформация до разрушения остается выше 4%. Нанoструктурный титан не обнаруживал хладноломкости вплоть до температуры жидкого гелия, но при 4,2 К пластическое течение приобретало скачкообразный характер, как и в КЗ титане. Установлено, что при низкотемпературном одноосном сжатии происходит разрушение НС титана в результате неустойчивого пластического сдвига, сопровождающегося локальным адиабатическим разогревом материала. Такое явление не свойственно КЗ титану. Изучение морфологии поверхностей сдвигового разрушения с помощью сканирующего электронного микроскопа выявило характерный "венный" узор, свидетельствующий о локальном разогреве при температуре ≥ 800 °С. Установлен термически активированный характер пластической деформации НС титана при низких температурах. Показано влияние на величину предела текучести микроструктурных внутренних напряжений термической анизотропии и возможного микродвойникования.; The low-temperature plasticity and fracture of polycrystals of coarse-grained (CG) and nanostructural (NS) technical-grade titanium of two structural modifications with grain size 0.3 and 0.1 μm, which were prepared by equal channel angular pressing (ECAP) with additional thermomechanical treatment are studied. The measurements are performed at temperatures 300, 77, and 4.2 K with uniaxial compression at deformation rate 4×10⁻⁴ c⁻¹ . The “stress-plastic deformation” hardening curves are obtained, the macroscopic yield stress, and the ultimate plasticity are measured for samples with compression axis orientations parallel and transverse to the ECAP axis. It is found that the yield stress for NS titanium is 1.5–2 times higher than for CG titanium and the yield stress on cooling from 300 to 4.2 K. Plasticity anisotropy is also observed in NS titanium—the yield stress is 1.2–1.5 times greater when the compression axis is oriented perpendicular to the ESAP axis than for parallel orientation. The ultimate plasticity with such changes in the structure of samples and under the experimental conditions systematically decreases, but the deformation to fracture remains above 4%. Nanostructural titanium does not show cold-brittleness right down to liquid-helium temperatures, but at 4.2 K plastic flow becomes jumplike, just as in CG titanium. It is established that for low-temperature uniaxial compression NS titanium fractures as a result of unstable plastic shear accompanied by local adiabatic heating of the material. This phenomenon is not characteristic of CG titanium. A study of the morphology of the shear-fracture surfaces using a scanning electron microsope shows a characteristic “vein” pattern, attesting to local heating at temperatures ≥ 800 ° C . It is established that plastic deformation in NS titanium is thermally activated at low temperatures. It is shown that microstructural internal stresses due to thermal anisotropy and possible microtwinning affect the yield stress.; Вивчено низькотемпературну пластичність та руйнування полікристалів крупнозернистого (КЗ) і наноструктурного (НС) титану технічної чистоти двох структурних мо- дифікацій з розміром зерна 0,3 і 0,1 мкм, виготовлених методом рівноканального вуглового пресування (РКВП) з додатковою термомеханічною обробкою. Вимірювання проведено при температурах 300, 77 та 4,2 К у режимі одноосьового стискування при швидкості деформування 4×10⁻⁴ c⁻¹ . Одержано криві зміцнення «напруження пластична деформація», виміряно макроскопічну границю плинності та ресурс пластичності для зразків з орієнтаціями осі стиснення вздовж і поперек осі РКВП. Виявлено зростання границі плинності у 1,5 2 рази при переході від КЗ до НС титану і при охолодженні від 300 до 4,2 К. Спостережено також анізотропію пластичності НС титану зростання границі плинності в 1,2 1,5 разiв при переході від орієнтації осі стиснення вздовж до орієнтації поперек осi РКВП. Ресурс пластичності при таких змінах структури зразків та умов експерименту систематично зменшується, однак деформація до руйнування залишається вище ніж 4 %. На- ноструктурний титан не виявляв холодноламкості впритул до температури рідкого гелію, але при 4,2 К пластична плинність набувала стрибкоподібного характеру, як і у КЗ титані. Встановлено, що при низькотемпературному одноосьовому стискуванні відбувається руйнування НС титану як наслідок нестійкого пластичного зсуву, котрий супроводжується локальним адіабатичним розігрівом матеріалу. Таке явище не властиво КЗ титану. Вивчення морфології поверхні зсувного руйнування за допомогою сканіруючого електронного мікроскопа виявило характерний «венний» візерунок, який свідчить про локальний розiгрів при температурi ≥ 800 ° C. Виявлено термічно активований характер пластичної де- формації НС титану при низьких температурах. Показано вплив на величину границі плинності мікроструктурних внутрішніх напружень термічної анізотропії і можливого мікродвійникування.
</description>
<dc:date>2002-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128721">
<title>Магнитоперенос в квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128721</link>
<description>Магнитоперенос в квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием
Николаенко, В.А.; Ковдря, Ю.З.; Гладченко, С.П.
Экспериментально исследован магнитоперенос в невырожденной квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием. Измерения проведены в перпендикулярных магнитных полях В ≤ 2,6 Тл в температурном интервале 0,48-2,05 К при ширине проводящих каналов 100-400 нм. Как в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре (Т &gt; 0,9 К), так и в области рассеяния электронов на риплонах (T &lt; 0,9 К) продольная компонента магнитосопротивления rxx проводящих каналов преимущественно увеличивается с ростом В. Экспериментальные данные в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре согласуются с классическим законом Друде, а в квантовом режиме переноса при wct &gt;1 (wc - циклотронная частота, t - время релаксации электронной системы) качественно описываются теорией самосогласованного борновского приближения для 2D электронной системы над гелием. Предполагается, что количественные различия экспериментальных и теорети ческих данных связаны с различием специфик исследуемой и теоретически анализируемой систем. Экспериментальные значения подвижностей электронов при низких температурах и малых магнитных полях совпадают с теоретическим расчетом, выполненным для квазиодномерной системы. Отрицательное магнитосопротивление проводящих каналов, которое наблюдали в области как газового, так и риплонного рассеяния носителей, объясняется слабой локализацией носителей в исследуемой электронной системе.; Magnetotransport in a nondegenerate quasi-one-dimensional electron system on superfluid helium is investigated experimentally. The measurements are performed in perpendicular magnetic fields B ≤ 2.6  T in the temperature range 0.48–2.05 K with 100–400 nm wide conducting channels. In the region where the carriers are scattered by the helium atoms in the vapor (T&gt;0.9  K ) and in the region where the electrons are scattered by ripplons (T&lt;0.9  K ) the longitudinal component ρ xx of the magnetoresistance of the conducting channels predominantly increases with B. The experimental data in the region of carrier scattering by helium atoms in the vapor agree with the classical Drude law, and in the quantum transport regime with ω c τ&gt;1 (ω c is the cyclotron frequency and τ is the relaxation time of the electron system) the self-consistent Born approximation for a 2D electron system above helium gives a qualitative explanation of the data. It is conjectured that the quantitative differences between the experimental data and the theoretical calculations are due to the difference of the specific features between the experimentally studied and theoretically analyzed systems. The experimental values of the electron mobilities at low temperatures and in weak magnetic fields agree with theoretical calculations for a quasi-one-dimensional system. Weak carrier localization in the experimental electron system explains the negative magnetoresistance of the conducting channels, which was observed in the gas and ripplon carrier scattering regions.; Експериментально досліджено магнітоперенос у невиродженій квазіодновимірній електронній системі над надплинним гелієм. Вимірювання проведено у перпендикулярних маг- нітних полях В ≤ 2,6 Тл у температурному інтервалі 0,48-2,05 К при ширині провідних каналів 100 400 нм. Як в області розсіяння носіїв на атомах гелію в парі (Т &gt; 0,9 К), так і в області розсіяння електронів на риплонах (T &lt; 0,9 К) поздовжна компонента магнітоопору xx провідних каналів переважно зростає з ростом В. Експериментальні дані в області розсіяння носіїв на атомах гелію в парі узгоджуються з класичним законом Друде, а в квантовому режимі переносу при wct &gt;1 (wc c циклотронна частота, t - час релаксації электронної системы) якiсно описуються теорією самоузгодженого борнівського надближення для 2D електронної системи над гелієм. Припускается, що кількісні відміни експеримен- тальних та теоретичних даних зв язані з різницей специфік досліджуємої та теоретично аналізуємої систем. Експериментальні значення рухливості електронів при низьких температурах та малих магнітних полях співпадають з теоретичним розрахунком, зробленим для квазіодновимірної системи. Негативний магнітоопір провідних каналів, який спостерігали в області як газового, так і риплонного розсіяння носіїв, пояснюється слабкою локалізацією носіїв у дослідженій системі.
</description>
<dc:date>2002-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128720">
<title>Fluctuation conductivity in Y-Ba-Cu-O films with artificially produced defects</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128720</link>
<description>Fluctuation conductivity in Y-Ba-Cu-O films with artificially produced defects
Solovjov, A.L.
The fluctuation-induced conductivity (paraconductivity) measured in YBa₂Cu₃O₇₋d (YBCO) films grown on 10° miscut SrTiO₃ (001) substrates is analyzed using various theoretical models describing weak fluctuations in high-Tc superconductors and considering both Aslamazov-Larkin and Maki-Thompson fluctuation contributions in the clean limit approach. The analysis reveals a highly anisotropic pair-breaking caused by structural defects produced. This result is in favor of an idea that pseudogap in high-Tc oxydes is mainly governed by the fluctuating pairing.
</description>
<dc:date>2002-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
