<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128321">
<title>Физика низких температур, 2000, № 02</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128321</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129045"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129044"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129043"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129042"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-13T14:12:10Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129045">
<title>Высокочастотный импеданс слоистых проводников в сильном магнитном поле</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129045</link>
<description>Высокочастотный импеданс слоистых проводников в сильном магнитном поле
Песчанский, В.Г.; Козлов, И.В.; Ясемидес, К.
Теоретически исследуется распространение электромагнитных волн в слоистых проводниках при низких температурах, когда весьма существен учет квантования магнитным полем энергии носителей заряда. Используя квантовое кинетическое уравнение для статистического оператора, вычислены квантовые осцилляции поверхностного импеданса в широком диапазоне частот ω.; The propagation of electromagnetic waves in layered conductors is investigated theoretically for low temperatures, where it is extremely important to take into account the energy quantization of the charge carriers by the magnetic field. The quantum kinetic equation for the statistical operator is used to calculate the quantum oscillations of the surface impedance over a wide range of frequencies ω.
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129044">
<title>Низкотемпеpатуpное pазупpочнение монокpисталлов β-олова пpи легиpовании пpимесями замещения</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129044</link>
<description>Низкотемпеpатуpное pазупpочнение монокpисталлов β-олова пpи легиpовании пpимесями замещения
Солдатов, В.П.; Нацик, В.Д.; Диулин, А.Н.; Киpиченко, Г.И.
В широком интервале низких температур (1,6-150 К) измерены пределы текучести монокристаллов твердых растворов β-олова с примесями замещения индия, кадмия, цинка. Обнаружен низкотемпературный эффект примесного разупрочнения, проявляющийся в уменьшении пределов текучести сплавов по сравнению с пределом текучести чистого олова. Установлены температурные и концентрационные границы существования эффекта и его зависимость от комбинированного параметра размерного и модульного несоответствия атомов олова и примесей, характеризующего мощность примесных барьеров для движения дислокаций в сплаве. Анализ полученных данных указывает на качественное согласие наблюдаемых закономерностей пpимесного pазупоpядочения с поведением эффекта, вытекающим из модели Сато и Мешии, основанной на учете роли примесных атомов как очагов зарождения кинков на винтовых дислокациях и центров торможения при боковом разбегании кинков вдоль линии дислокации.; The yield stresses of single crystals of solid solutions of β-tin with substitutional impurities of indium, cadmium, and zinc are measured over a wide interval of low temperatures (1.6–150 K). The low-temperature impurity softening effect is observed, which is manifested in a decrease in the yield stresses of the alloys in comparison with that of pure tin. The temperature and concentration boundaries of the existence region of this effect are established, and the dependence on the combined size and modulus misfit parameter between the atoms of tin and the impurities, which characterizes the strength of the impurity barriers for the motion of dislocations in the alloy, is determined. Analysis of the data obtained indicates a qualitative agreement of the observed regularities of the impurity softening effect and the behavior that follows from the model of Sato and Meshii, which takes into account the role of impurity atoms both as centers of nucleation of kinks on screw dislocations and as centers of opposition to the lateral dispersal of the kinks along the dislocation line.
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129043">
<title>Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129043</link>
<description>Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода
Белов, А.Г.; Юртаева, Е.М.; Фуголь, И.Я.
Исследовано влияние примеси кислорода на эффективность десорбции возбужденных атомов и молекул с поверхности кристаллического аргона. Обнаружено значительное увеличение выхода десорбированных частиц при концентрации 1ат.% O₂ в матрице аргона. Показано, что примесь ксенона не приводит к аналогичному эффекту. Предложены возможные механизмы стимуляции десорбции аргона примесью кислорода. Один из них может быть обусловлен образованием микрокластеров аргона вокруг иона O¯ вблизи поверхности кристалла. Второй может быть связан с увеличением вероятности рекомбинации Ar₂⁺ с электроном за счет перескока отрицательного заряда между ионами O₂⁻ и Ar₂⁺; The influence of an oxygen impurity on the efficiency of desorption of excited atoms and molecules from the surface of crystalline argon is investigated. A significant increase in the yield of desorbed particles is observed at an O₂ concentration of 1 at. % in the argon host matrix. It is shown that a xenon impurity does not have a similar effect. Possible mechanisms are proposed for the stimulation of argon desorption by impurity oxygen. One of them may involve the formation of argon microclusters around O¯ ions near the surface of the crystal. Another mechanism may be due to an increase in the probability of recombination of Ar₂⁺ with an electron on account of the hopping of the negative charge between the O₂⁻ and Ar₂⁺ ions.
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129042">
<title>ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129042</link>
<description>ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия
Боярский, Л.А.; Габуда, С.П.; Козлова, С.Г.
Методом магнитного резонанса на ядрах ⁵¹V определены константы магнитного экранирования и квадрупольного взаимодействия ядер ⁵¹V в низкотемпературной (непроводящей) фазе диоксида ванадия. Показано, что переход металл-диэлектрик в VO₂ сопровождается изменением знака констант магнитного экранирования и электронным переходом 2V⁴⁺ → V³⁺+V⁵⁺, сопровождаемым зарядовым упорядочением в катионной подрешетке.; The magnetic shielding and quadrupole interaction constants of ⁵¹Vnuclei in the low-temperature (nonconducting) phase of vanadium dioxide are determined by magnetic resonance on the ⁵¹V nuclei. It is shown that the metal–insulator transition in VO₂ is accompanied by a change in the sign of the magnetic shielding constant and by an electronic transition 2V⁴⁺ → V³⁺+V⁵⁺  which is accompanied by a charge ordering in the cation sublattice.
</description>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
