http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127433 2026-04-11T20:09:34Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128293 Применение маятникового магнитометра для измерения магнитной восприимчивости твердых тел под давлением: соединение V₄S₉Br₄ Пaнфилов, А.С. Описана конструкция и принцип работы магнитометра маятникового типа для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных твердых тел при высоком газовом давлении. Особенностью устройства является размещение механической системы маятника непосредственно в камере высокого давления. В качестве примера использования магнитометра приведены экспериментальные зависимости восприимчивости от давления до 2 кбар в диапазоне температур 60–300 К для соединения Описана конструкция и принцип работы магнитометра маятникового типа для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных твердых тел при высоком газовом давлении. Особенностью устройства является размещение механической системы маятника непосредственно в камере высокого давления. В качестве примера использования магнитометра приведены экспериментальные зависимости восприимчивости от давления до 2 кбар в диапазоне температур 60–300 К для соединения Описана конструкция и принцип работы магнитометра маятникового типа для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных твердых тел при высоком газовом давлении. Особенностью устройства является размещение механической системы маятника непосредственно в камере высокого давления. В качестве примера использования магнитометра приведены экспериментальные зависимости восприимчивости от давления до 2 кбар в диапазоне температур 60–300 К для соединения V₄S₉Br₄.; Надано опис конструкції та принципу дії магнітометра маятникового типу для вимірювання магнітної сприйнятливості слабомагнітних твердих тіл при високому газовому тиску. Особливістю пристрою є розміщення механічної системи маятника безпосередньо в камері високого тиску. Як приклад використання магнітометра наведенo експериментальні залежності сприйнятливості від тиску до 2 кбар в діапазоні температур 60–300 К для сполуки V₄S₉Br₄.; This paper describes the design and operation of pendulum-type magnetometer to measure the magnetic susceptibility of weakly magnetic solids under high gas pressure. A feature of the device is the placement of a mechanical pendulum system directly into the high-pressure chamber. As an example of the magnetometer application, the experimental dependence of susceptibility on the pressure up to 2 kbar in the temperature range 60–300 K is presented for the V₄S₉Br₄ compound. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128292 Copper-doping effects in electronic structure and spectral properties of SmNi₅ Knyazev, Yu.V.; Lukoyanov, A.V.; Kuz’min, Yu.I.; Kuchin, A.G. The electronic structure and optical properties of the SmNi₅₋Cux (x = 0, 1, 2) compounds are studied. The band spectra of the studied intermetallics were calculated with LDA+U+SO method supplementing the local density approximation with a correction for strong electron interaction on the shell of the rare-earth element. Optical properties were studied by ellipsometry method in the wide wavelength range. It was found that the substitution of copper for nickel leads to local changes in the optical conductivity spectra. Both the spectroscopic measurements and theoretical calculations demonstrate the presence of a broad absorption band around 4 eV associated with the Cu 3d → Ni 3d electron transitions and increasing with the grown of copper content. The experimental dispersion curves of optical conductivity in the interband absorption region were interpreted using the results of the calculations. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128291 Аномалии магнитосопротивления в соединениях с тяжелыми фермионами на основе церия Случанко, Н.Е.; Богач, А.В.; Анисимов, М.А.; Глушков, В.В.; Демишев, С.В.; Самарин, Н.А.; Чистяков, О.Д.; Бурханов, Г.С.; Габани, С.; Флахбарт, К. Представлены результаты исследований магнитосопротивления Δρ(H,T) ряда соединений с тяжелыми фермионами CeAl₂, CeAl₃, CeCu₆, растворов замещения с квантовым критическим поведением: CeCu₆₋xAux (x = 0,1 и 0,2) и сплавов с магнитоупорядоченным основным состоянием: Ce(Al₁₋xMx)₂ (M = Co, Ni, x ≤ 0,8), выполненных в широком диапазоне температур (1,8–40 К) в магнитных полях до 80 кЭ. Показано, что последовательная интерпретация полевых зависимостей сопротивления как для немагнитных, так и для магнитоупорядоченных интерметаллидов с сильными электронными корреляциями на основе церия может быть получена в рамках подхода, учитывающего рассеяние носителей заряда на локализованных магнитных моментах в металлической матрице. В рамках указанного подхода выделены и классифицированы бриллюэновский отрицательный вклад, пропорциональный локальной намагниченности (–∆ρ/ρ~ M²loc ), и знакопеременные линейная (∆ρ/ρ ~ H) и магнитная, насыщающаяся в полях до 15 кЭ, компоненты в магнитосопротивлении цериевых интерметаллидов. В рамках модели Иосиды для исследуемых цериевых сплавов из измерений магнитосопротивления ∆ρ/ρ получены оценки величины локальной магнитной восприимчивости χloc(H,T0). Численное дифференцирование магнитосопротивления по полю и выполненный нами анализ производных d(∆ρ/ρ)/dH = f(H, T) позволили определить особенности магнитной фазовой Н–Т-диаграммы, а также изучить влияние эффектов спиновой поляризации и перенормировки электронных состояний на зарядовый транспорт как в режиме квантового критического поведения, так и в магнитоупорядоченном состоянии в исследуемых системах с сильными электронными корреляциями на основе церия.; Представлено результати досліджень магнітоопору Δρ(H,T) ряду сполук з важкими ферміонами CeAl₂, CeAl₃, CeCu₆, розчинів заміщення з квантовою критичною поведінкою: CeCu₆₋xAux (x = 0,1 та 0,2) та сплавів з магнітовпорядкованим основним станом: Ce(Al₁₋xMx)₂ (M = Co, Ni, x ≤ 0,8), які виконані в широкому діапазоні температур (1,8–40 К) в магнітних полях до 80 кЕ. Показано, що послідовну інтерпретацію польових залежностей опору як для немагнітних, так і магнітовпорядкованих интерметалідів з сильними електронними кореляціями на основі церію може бути отримано у рамках підходу, що враховує розсіяння носіїв заряду на локалізованих магнітних моментах в металевій матриці. У рамках вказаного підходу виділено та класифіковано бриллюенівський негативний вклад, пропорційний локальній намагніченості (–∆ρ/ρ~ M²loc ), та знакозмінні лінійна (∆ρ/ρ ~ H) та магнітна, така, що насичується в полях до 15 кЕ, компоненти в магнітоопорі церієвих интерметалідів. У рамках моделі Іосіди для досліджуваних церієвих сплавів з вимірів магнітоопору ∆ρ/ρ отримано оцінки величини локальної магнітної сприйнятливості χloc(H,T0). Чисельне диференцювання магнітоопору по полю та виконаний нами аналіз похідних d(∆ρ/ρ)/dH = f(H,T) дозволили визначити особливості магнітної фазової Н–Т-діаграми, а також вивчити вплив ефектів спінової поляризації та перенормування електронних станів на зарядовий транспорт як в режимі квантової критичної поведінки, так і в магнітовпорядкованому стані в досліджуваних системах з сильними електронними кореляціями на основі церію.; In the study we present the results of investigation of magnetoresistance Δρ(H,T) for several heavy fermion compounds CeAl₂, CeAl₃, CeCu₆, substitutional solid solutions with quantum critical behavior: CeCu₆₋xAux (x = 0.1 and 0.2) and alloys with magnetic ground state: Ce(Al₁₋xMx)₂ (M = Co, Ni, x ≤ 0,8), which have been measured in a wide range of temperatures (1.8–40 K) and in magnetic field up to 80 kOe. It was shown, that both for the Ce-based non-magnetic and magnetically ordered intermetallic compounds with strong electron correlations an adequate interpretation of the resistivity vs magnetic field dependences may be obtained in the framework of approach which considers charge carrier scattering on localized magnetic moments embedded in the metallic matrix. In framework of the approach developed three different components in the magnetoresistance were separated and classified. Among them there are (i) the Brillouin-type negative contribution which is proportional to local magnetization (–∆ρ/ρ~ M²loc ) and two more alternating-sign (ii) linear (∆ρ/ρ ~ H) and (iii) magnetic with saturation in magnetic fields below 15 kOe terms in the magnetoresistance of these Ce-based intermetallic compounds. On the basement of Yosida model the local magnetic susceptibility χloc(H, T0) was estimated from magnetoresistance ∆ρ/ρ measurements for these alloys under investigation. A numerical differentiation of the magnetoresistance vs magnetic field and the analysis of d(∆ρ/ρ)/dH = f(H, T) dependences have allowed us to reconstruct the Н–Т magnetic phase diagram in the studied strongly correlated electron systems. Also we discuss a correlation between the spin polarization effects and electron DOS renormalization from one side, and emergence of the charge transport anomalies both in the regime of quantum critical behavior and in the magnetically ordered state, from another. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128290 Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии Микитик, Г.П.; Шарлай, Ю.В. Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода.; Проведено аналіз відомих з літератури експериментальних даних по температурній залежності магнітної сприйнятливості берилію. Показано, що ця залежність може бути пояснена, якщо врахувати, що в берилії поблизу рівня Фермі є точка електронного топологічного переходу 3½ роду; Experimental data on the temperature dependence of the magnetic susceptibility of beryllium are known from literature. We analyze these data. It is shown that this dependence can be explained if one takes into account that there is a point of the electron topological transition of 3½ kind near the Fermi level in beryllium. 2015-01-01T00:00:00Z