http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121899 2026-04-24T06:03:08Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122039 Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese Charikova, T.; Okulov, V.; Gubkin, A.; Lugovikh, A.; Moiseev, K.; Nevedomsky, V.; Kudriavtsev, Yu.; Gallardo, S.; Lopez, M. The magnetic moment and magnetization in GaAs/Ga₀.₈₄In₀.₁₆As/GaAs heterostructures with Mn deluted in GaAs cover layers and with atomically controlled Mn δ-layer thicknesses near GaInAs-quantum well (~3 nm) in temperature range T = 1.8–300 K in magnetic field up to 50 kOe have been investigated. The mass magnetization all of the samples of GaAs/Ga₀.₈₄In₀.₁₆As/GaAs with Mn increases with the increasing of the magnetic field that pointed out on the presence of low-dimensional ferromagnetism in the manganese depletion layer of GaAs based structures. It has been estimated the manganese content threshold at which the ferromagnetic ordering was found. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122038 Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути Говоркова, Т.Е.; Лончаков, А.Т.; Окулов, В.И.; Андрийчук, М.Д.; Губкин, А.Ф.; Паранчич, Л.Д. Проведен анализ магнитной восприимчивости электронных систем гибридизированных состояний примесей железа, кобальта и никеля в кристаллах селенида ртути при низких температурах в связи с недавно обнаруженными свидетельствами спонтанной спиновой поляризации в аномальном эффекте Холла при комнатной температуре. Показано, что в измеренной парамагнитной восприимчивости электронов гибридизированных состояний содержится не зависящая от температуры часть, которую с достаточным основанием можно отождествить с вкладом спонтанной поляризации. Другая часть, демонстрирующая при понижении температуры закон Кюри в температурной зависимости, отвечает вкладу неполяризованных электронов. На основании таких представлений в намагниченности рассмотренных примесных систем определена доля спонтанно поляризованной электронной плотности в локализованной компоненте гибридизированных состояний. Даны количественные оценки упомянутых долей для каждой примеси.; Проведено аналіз магнітної сприйнятливості електронних систем гибридизованих станів домішок заліза, кобальту та нікелю в кристалах селеніду ртуті при низьких температурах в зв’язку із нещодавно виявленими свідченнями спонтанної спінової поляризації в аномальному эффекті Холла при кімнатній температурі. Показано, що у виміряній парамагнітній сприйнятливості електронів гибридизованих станів міститься не залежна від температури частина, яку з достатньою підставою можна ототожнити з вкладом спонтанної поляризації. Інша частина, що демонструє при пониженні температури закон Кюрі в температурній залежності, відповідає вкладу неполяризованих електронів. На підставі таких уявлень в намагніченості домішкових систем, які розглянуто, визначено долю спонтанно поляризованої електронної щільності в локалізованій компоненті гибридизованих станів. Подано кількісні оцінки часток для кожної домішки.; Magnetic susceptibility of electron systems of hybridized impurity states of iron, cobalt and nickel has been analyzed in mercury selenide crystals at low temperatures with allowance for the evidences of spontaneous spin polarization of these systems revealed by us recently at room temperature. It is shown that measured paramagnetic susceptibility of the electron hybridized states involves a temperatureindependent part which can be identified with the contribution of spontaneous spin polarization. The other part, showing the Curie law with decreasing temperature, corresponds to the nonpolarized electron contribution. Based on these concepts we determined a fraction of spontaneously polarized electron density in the localized component of the hybridized states in the magnetization of the impurity systems considered. Quantitative estimations of the above-mentioned contributions are quoted for each impurity. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122037 Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава Лончаков, А.Т.; Марченков, В.В.; Окулов, В.И.; Окулова, К.А.; Говоркова, Т.Е.; Подгорных, С.М. Исследованы температурные зависимости теплоемкости и теплопроводности, а также эффект изменения теплопроводности с напряженностью магнитного поля в сплавах железо–ванадий–алюминий, обладающих в определенных составах вблизи стехиометрического аномальными электронными свойствами. В совокупности с предыдущими работами развиты представления об определенных особенностях электронной структуры таких сплавов (узкая псевдощель, сильное спиновое рассеяние и др.), которые представляют интерес как для перспектив обнаружения новых классов материалов, так и технических применений.; Досліджено температурні залежності теплоємності та теплопровідності, а також ефект зміни теплопровідності з напруженістю магнітного поля в сплавах залізо–ванадій–алюміній, що мають в певних складах поблизу стехіометричного аномальні електронні властивости. В сукупності з попередніми роботами розвинено уявлення про певні особливості електронної структури таких сплавів (вузька псевдощілина, сильне спінове розсіяння та ін.), які представляють інтерес як для перспектив виявлення нових класів матеріалів, так і технічних застосувань; The temperature dependences of heat capacity and thermal conductivity and the effect of changing thermal conductivity with magnetic field strength have been studied in iron–vanadium–aluminum alloys, that exhibit anomalous electron properties for certain compositions near the stoichiometric one. Based on the previous works, we have developed some ideas of specific peculiarities of electron structure of these alloys (narrow pseudogap, strong spin scattering et al.) which are of interest both for promising revealing new materials and their technical applications. 2015-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/122036 Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов Скипетров, Е.П.; Кнотько, А.В.; Слынько, Е.И.; Слынько, В.Е. Исследованы кристаллическая структура, фазовый и элементный состав и гальваномагнитные свойства сплавов на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов (Sc, Ti, Cr, V и Fe), синтезированных методом Бриджмена. Определено распределение компонентов твердых растворов по длине монокристаллических слитков. Показано, что увеличение содержания примеси приводит к появлению областей с повышенным содержанием примеси и микроскопических включений соединений, близких по составу к известным соединениям атомов примеси с теллуром. Обнаружены p–n-инверсия типа проводимости, переходы металл–диэлектрик и диэлектрик–металл и пиннинг уровня Ферми глубокими примесными уровнями при легировании. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда и энергии Ферми при легировании при вариации состава матрицы и типа примеси. Предложена общая модель перестройки электронной структуры исследованных сплавов при легировании.; Досліджено кристалічну структуру, фазовий та елементний склад і гальваномагнітні властивості сплавів на основі телуриду свинцю з домішками перехідних металів (Sc, Ti, Cr, V та Fe), які синтезовано методом Бриджмена. Визначено розподіл компонентів твердих розчинів по довжині монокристалічних зливків. Показано, що збільшення вмісту домішки призводить до появи областей з підвищеним вмістом домішки та мікроскопічних включень сполучень, які близькі за складом до відомих сполучень атомів домішки з телуром. Виявлено p–n-інверсію типу провідності, переходи метал–діелектрик та діелектрик–метал і пінінг рівня Фермі глибокими домішковими рівнями при легуванні. Зіставляється кінетика зміни концентрації вільних носіїв заряду та енергії Фермі при легуванні при варіації складу матриці та типу домішки. Запропоновано загальну модель перебудови електронної структури досліджених сплавів при легуванні.; The crystal structure, phase and elemental composition, and galvanomagnetic properties are studied in lead telluride-based alloys with transition metal impurities (Sc, Ti, Cr, V and Fe) synthesized by the Bridgman technique. The distribution of components of solid solutions along monocrystalline ingots is determined. It is shown that an increase of the impurity content leads to the formation of regions enriched with impurity and of microscopic inclusions with compositions close to the known compounds of impurity atoms with tellurium. The p–n-inversion of the conductivity type, the metal–insulator and insulator metal–transitions, and the Fermi level pinning by deep impurity levels are observed as the impurity content is increased. The kinetics of free charge carrier concentration and the Fermi energy with doping and under variation of the matrix composition and an impurity type is compared. A general model for rearrangement of the electronic structure for the investigated alloys with doping is proposed. 2015-01-01T00:00:00Z