http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115155 2026-04-05T17:01:50Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117372 Микромеханические свойства нанокристаллического титана, полученного криопрокаткой Фоменко, Л.С.; Русакова, А.В.; Лубенец, С.В.; Москаленко, В.А. Методом микроиндентирования показано, что дефектная структура нанокристаллического титана, полученного прокаткой при низкой температуре, достаточно однородна. Наличие текстуры проявилось в небольшом различии средних значений твердости HV и стандартного отклонения в измерениях на плоскости прокатки и на плоскости, перпендикулярной направлению прокатки. Из данных по температурной зависимости микротвердости в интервале температур 77–300 К оценены активационный объем и энергия активации, характеризующие процесс пластической деформации нанокристаллического и крупнозернистого титана под действием сосредоточенной силы. Оценки свидетельствуют о дислокационной природе локальной деформации. Для нанокристаллического титана хорошо выполняется соотношение между микротвердостью и условным пределом текучести HV ≈ 3σ₀,₂. Упрочнение титана при измельчении зерна сопровождается заметным уменьшением его пластической податливости.; Методом мікроіндентування показано, що дефектна структура нанокристалічного титану, який одержано вальцюванням при низькій температурі, достатньо однорідна. Наявність текстури проявилась у незначній різниці середніх значень твердості HV і стандартного відхилення при вимірюваннях на площині вальцювання і на площині, перпендикулярній напрямку вальцювання. Із даних по температурній залежності мікротвердості в інтервалі температур 77–300 К оцінені активаційний об’єм і енергія активації, які характеризують процес пластичної деформації нанокристалічного і крупнозернистого титану під дією зосередженої сили. Оцінки свідчать про дислокаційну природу локальної деформації. Для нанокристалічного титану добре виконується співвідношення між мікротвердістю та умовною границею плинності HV ≈ 3σ₀,₂. Зміцнення титану при подрібненні зерна супроводжується помітним зниженням його пластичної податливості.; It is found by the microindentation method that the defect structure of pure nanocrystalline titanium prepared by rolling at low temperatures is reasonably homogeneous. The texture created during the preparation of nanocrystalline samples makes itself evident in slight differences of mean microhardness values HV and the standard deviation measured on the rolling plane and on the plane perpendicular to the rolling direction. Activation volume and activation energy characterizing the plastic deformation process of nanocrystalline titanium under the action of point force are estimated from the temperature dependence of microhardness in the temperature range 77–300 K. The estimates suggest a dislocation nature of local deformation. The relationship HV ≈ 3σ₀,₂ between the microhardness and the conventional yield stress is found to be applicable to nanocrystalline titanium. Titanium hardening as a result of grain refinement is attended by a noticeable decrease of its plastic ductility. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117371 Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> Мустафаева, С.Н.; Асадов, М.М.; Исмайлов, А.А. Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) и n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³).; Встановлено, що γ-опромінення монокристалів р-InSe та n-InSe<Sn> (0,2 та 0,4 мол.% Sn) дозою Dγ = 100 крад приводить до істотної зміни параметрів локалізованих у забороненій зоні станів: до збільшення щільності локалізованих поблизу рівня Фермі станів і їх енергетичного ущільнення, зменшення середньої відстані стрибків і збільшення концентрації глибоких уловлювачів, які відповідальні за стрибкову провідність. Визначено значення концентрації радіаційних дефектів у монокристалах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) та n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³).; It is revealed that the γ-irradiation Dγ = 100 krad of p-InSe and n-InSe<Sn> (0.2 and 0.4 mol.% Sn) single crystals leads to significant changes of localized states parameters. After the γ-irradiation the density of states near the Fermi level is increased, but their energy spread and the average jump distance are decreased. The concentrations of radiation-induced defects are estimated for p-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) and n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³) single crystals. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117370 ИК активные колебания кристалла TbFe₃(BO₃)₄ Пащенко, M.И.; Бедарев, В.A.; Кутько, В.И.; Безматерных, Л.Н.; Темеров, В.Л. Измерены ИК спектры отражения кристалла TbFe₃(BO₃)₄ в спектральном диапазоне 200–2000 см⁻¹ в поляризации E⊥c при температурах 10 и 300 К. Проанализирован полученный спектр отражения и дана его интерпретация в рамках внутренних колебаний ионных комплексов BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ и TbO⁹₆⁻ кристалла TbFe₃(BO₃)₄. В исследуемом спектральном диапазоне расщепление Давыдова на внутренних колебательных модах при структурном фазовом переходе, который сопровождается мультипликацией элементарной ячейки, не наблюдалось. Это связывается с локализацией колебаний ионных комплексов BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ и TbO⁹₆⁻ кристалла TbFe₃(BO₃)₄.; Виміряно ІЧ спектри відбивання кристалу TbFe₃(BO₃)₄ в спектральному діапазоні 200–2000 см⁻¹ в поляризації E⊥c, при температурах 10 та 300 К. Проаналізовано отриманий спектр відбиття і дано його інтерпретацію у рамках внутрішніх коливань іонних комплексів BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ и TbO⁹₆⁻ кристалу TbFe₃(BO₃)₄. У досліджуваному спектральному діапазоні розщеплення Давидова на внутрішніх коливальних модах при структурному фазовому переході, який супроводжується мультиплікацією елементарної комірки кристалу, не спостерігалося. Це пов’язується з локалізацією коливань іонних комплексів BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ и TbO⁹₆⁻ кристалу TbFe₃(BO₃)₄.; The reflectance spectrum of the TbFe₃(BO₃)₄ single crystal was measured in a spectral range 200–1500 cm⁻¹ at polarization E⊥c, at 10 and 300 К. The spectrum was analyzed and interpreted as internal vibrations of complexes BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ and TbO⁹₆⁻ of monocrystal TbFe₃(BO₃)₄. Under the structural phase transition followed by a multiplication of the unit cell the Davydov splitting in internal vibrational modes was not observed in the spectral range investigated. This is associated with the localization of vibrations of complexes BO³₃⁻, FeO⁹₆⁻ and TbO⁹₆⁻ in the TbFe₃(BO₃)₄ single crystal. 2010-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117369 Quantum effects in the radial thermal expansion of bundles of single-walled carbon nanotubes doped with ⁴He Dolbin, A.V.; Esel'son, V.B.; Gavrilko, V.G.; Manzhelii, V.G.; Vinnikov, N.A.; Popov, S.N. The radial thermal expansion αr of bundles of single-walled carbon nanotubes saturated with ⁴He impurities to the molar concentration 9.4% has been investigated in the interval 2.5–9.5 K using the dilatometric method. In the interval 2.1–3.7 K α r is negative and is several times higher than the negative αr for pure nanotube bundles. This most likely points to ⁴He atom tunneling between different positions in the nanotube bundle system. The excess expansion was reduced with decreasing ⁴He concentration. 2010-01-01T00:00:00Z