http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115144 2026-04-10T13:38:22Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119676 Frustration phenomena in Josephson point contacts between single-band and three-band superconductors Yerin, Y.S; Omelyanchouk, A.N. Within the formalizm of Usadel equations the Josephson effect in dirty point contacts between single-band and three-band superconductors is investigated. The general expression for the Josephson current, which is valid for arbitrary temperatures, is obtained. We calculate current-phase relations for very low temperature and in the vicinity of the critical temperature. For three-band superconductors with broken time-reversal symmetry (BTRS) point contacts undergo frustration phenomena with different current-phase relations, corresponding to φ-contacts. For three-band superconductors without BTRS we have close to sinusoidal current-phase relations and absence of the frustration, excepting the case of very low temperature, where under certain conditions two ground states of the point contact are realized. Our results can be used as the potential probe for the detection of the possible BTRS state in three-band superconducting systems 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119675 Josephson effect and Andreev reflection in Ba₁₋xNaxFe₂As₂ (x = 0.25 and 0.35) point contacts Fisun, V.V.; Balkashin, O.P.; Kvitnitskaya, O.E.; Korovkin, I.A.; Gamayunova, N.V.; Aswartham, S.; Wurmehl, S.; Naidyuk, Yu.G I(V) characteristics and their first derivatives of ScS and ScN-type (S is superconductor, c is constriction, N is normal metal) point contacts (PCs) based on Ba₁₋xNaxFe₂As₂ (x = 0.25 and 0.35) were studied. ScS-type PCs with S = Nb,Ta, and Pb show Josephson-like resistively shunted I(V) curves with microwave induced Shapiro steps which satisfy relation 2eV = ω. The IcRN product (Ic is critical current, RN is normal state PC resistance) in these PCs is found to be up to 1.2 mV. All this data with the observed dependence of the Ic on the microwave power of ScS PCs with Pb counterelectrode indicates the presence of the singlet s-wave type pairing in Ba₁₋xNaxFe₂As₂. From the dV/dI(V) curves of ScN-type PCs demonstrating Andreev-reflection like features, the superconducting gap ∆ ratio 2∆/kBTc = 3.6 ± 1 for the compound with x = 0.35 was evaluated. Analysis of these dV/dI(V) at high biases V, that is well above ∆, testifies transition to the thermal regime in PCs with a voltage increase. 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119674 Нелинейные циклические транспортные явления в медных точечных контактах Камарчук, Г.В.; Поспелов, А.П.; Савицкий, А.В.; Коваль, Л.В. Метод регистрации вольт-амперной характеристики использован для изучения процессов, протекающих на поверхности канала проводимости точечного контакта. Впервые исследованы транспортные характеристики точечного контакта в жидкой среде. Выявлены и изучены токовые состояния канала проводимости, соответствующие обратимому, переходному и необратимому режимам переноса заряда в точечном контакте. В необратимой области напряжений смещения на контакте наблюдается известный циклический эффект электрохимической коммутации, который управляет ростом и растворением дендритных точечных контактов на месте исследуемого образца. При этом электрическое сопротивление точечно-контактной структуры меняется во времени, проходя стадии увеличения, уменьшения и стабилизации. В дальнейшем указанные стадии процесса многократно повторяются, отражая цикличность изменения физико-химических свойств исследуемого объекта. На вольт-амперной характеристике точечного контакта проявляется ступенчатая структура, обусловленная оболочечным эффектом. На основе полученных зависимостей построены гистограммы проводимости медных точечных контактов, самопроизвольно формирующихся в электрическом поле под управлением оболочечного эффекта. Показано наличие преимущественных токовых состояний канала проводимости, свидетельствующее о квантовом характере изменения проводимости в процессе образования дендритных точечных контактов.; Метод реєстрації вольт-амперної характеристики використано для вивчення процесів, що мають місце на поверхні каналу провідності точкового контакту. Вперше досліджено транспортні характеристики точкового контакту в рідкому середовищі. Виявлено та вивчено струмові стани каналу провідності, які відповідають оборотному, перехідному та необоротному режимам переносу заряду в точковому контакті. В необоротній області напруг зміщення на контакті спостерігається відомий циклічний ефект електрохімічної комутації, який керує ростом та розчиненням дендритних точкових контактів на місці зразка, що досліджується. При цьому електричний опір точково-контактної структури змінюється в часі, проходячи стадії зростання, зменшення та стабілізації. В подальшому зазначені стадії процесу багаторазово повторюються, відбиваючи циклічність зміни фізико-хімічних властивостей досліджуваного зразка. На вольтамперній характеристиці точкового контакту проявляється східчата структура, яка обумовлена оболонковим ефектом. На основі отриманих залежностей побудовано гістограми провідності мідних точкових контактів, які довільно формуються в електричному полі під управлінням оболонкового ефекту. Показано наявність переважних струмових станів каналу провідності, що свідчить про квантовій характер зміни провідності в процесі створення дендритних точкових контактів; The method of current-voltage characteristics recording was used to study processes on the surface of point contact conducting channel. The transport properties of a point contact in liquid medium were investigated for the first time. The conducting channel current states which correspond to reversible, transient and irreversible regimes of charge transfer in a point contact were revealed and studied. In the irreversible range of contact voltage bias one can observe a known electrochemical switchover effect, which exerts control over the processes of dendrite point contacts’ growth and dissolution taking place at the position of the sample under investigation. The electrical resistance of the point-contact structure varies with time when going through the stages of growth, reduction and stabilization. The stages are repeated many times accounting for the cyclic changes in physical and chemical properties of the object. There appear staircase regions in the current-voltage characteristics due to the shell effect. Conductance histograms of the copper point contacts which are spontaneously formed in an electric field under the shell effect control are constructed on the basis of the obtained experimental dependences. The existence of the conducting channel current states which are observed with a higher probability is demonstrated. This testifies of a quantum character of the conductivity variation during the creation of dendrite point contacts. 2014-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119673 Spin-valve effects in point contacts to exchange biased Сo₄₀Fe₄₀B₂₀ films Balkashin, O.P.; Fisun, V.V.; Triputen, L.Yu.; Andersson, S.; Korenivsk, V.; Naidyuk, Yu.G. Nonlinear current-voltage characteristics and magnetoresistance of point contacts between a normal metal (N) and films of amorphous ferromagnet (F) Сo₄₀Fe₄₀B₂₀ of different thickness, exchange-biased by antiferromagnetic Mn8₀Ir₂₀ are studied. A surface spin valve effect in the conductance of such F–N contacts is observed. The effect of exchange bias is found to be inversely proportional to the Сo₄₀Fe₄₀B₂₀ film thickness. This behavior as well as other magneto-transport effects we observe on single exchange-pinned ferromagnetic films are similar in nature to those found in conventional three-layer spin-valves. 2014-01-01T00:00:00Z