http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115111 2026-04-03T13:55:48Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118148 Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co) Соколов, В.И.; Груздев, Н.Б.; Пустоваров, В.А.; Чурманов, В.Н. Исследованы кристаллы Zn₁–xCoxO и Zn₁–xNixO методом фотолюминесценции при температурах 8 и 90 К. Принимая во внимание разложения полученных спектров на суммы функций распределения Гаусса, а также известные положения донорных и акцепторных уровней 3d-примесей относительно краев разрешенных зон, проводилась интерпретация наблюдаемых пиков в спектрах фотолюминесценции как результатов излучательной рекомбинации через донорные и акцепторные уровни ионов никеля и кобальта. Полученные результаты сравниваются с наблюдаемыми ранее особенностями в спектрах фотолюминесценции кристаллов Zn₁–xMnxO.; Досліджено кристали Zn₁–xCoxO та Zn₁–xNixO методом фотолюмінесценції при температурах 8 та 90 К. Зважаючи на розкладання отриманих спектрів на суми функцій розподілу Гауса, а також відомі положення донорних і акцепторних рівнів 3d-домішок відносно країв дозволених зон, проводилася інтерпретація піків, які спостерігалися в спектрах фотолюмінесценції, як результатів випромінювальної рекомбінації через донорні та акцепторні рівні іонів нікелю і кобальту. Отримані результати порівнюються із особливостями, що спостерігалися раніше в спектрах фотолюмінесценції кристалів Zn₁–xMnxO.; The paper concerns the investigation of Zn₁–xCoxO and Zn₁–xNixO crystals by the photoluminescent method at temperatures of 8 K and 90 K. Taking into account the expansions of the photoluminescence spectra into the sums of distributions Gauss functions and the well-known positions of donor and acceptor levels of 3d-impurities regarding the edges of conduction and valence bands, we interpreted the peaks observed in the photoluminescence spectra as a result of radiative recombination through the donor and acceptor levels of nickel and cobalt ions. The obtained results are compared with the peculiarities observed earlier in the photoluminescence spectra of Zn₁–xMnxO crystals. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118137 Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой Лашкарев, Г.В.; Радченко, М.В.; Бугаева, М.Э.; Кнофф, В.; Стори, Т.; Стельмах, Я.А.; Крушинская, Л.А.; Дмитриев, А.И.; Лазоренко, В.И.; Сичковский, В.И. Рассмотрены физические свойства ферромагнитных магниторазведенных полупроводников и нанокомпозитов в широком интервале температур 5–300 К. Последние имеют ряд преимуществ как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой для датчиков слабых магнитных полей. Характерной особенностью ферромагнитных нанокомпозитов является наличие туннельной спин-зависимой проводимости, приводящей к появлению отрицательного и положительного магнитосопротивления. Рассмотренные магниторезистивные эффекты имеют широкий спектр применения. В частности, на основе материалов, в которых наблюдаются такие эффекты, могут быть созданы магниторезистивные запоминающие устройства, сенсоры слабых магнитных полей, медицинские диагностические устройства и другие элементы электронной техники.; Розглянуто фізичні властивості феромагнітних магніторозведених напівпровідників та нанокомпозитів в широкому інтервалі температур 5–300 К. Останні мають ряд переваг як спінтронні матеріали з керованою магнітною структурою для датчиків слабких магнітних полів. Характерною особливістю феромагнітних нанокомпозитів є наявність тунельної спін-залежної провідності, що призводить до появи негативного та позитивного магнітоопору. Магніторезистивні ефекти, які розглянуто, мають широкий спектр застосування. Зокрема, на основі матеріалів, в яких спостерігаються такі ефекти, може бути створено магніторезистивні пристрої пам'яті, сенсори слабких магнітних полів, медичні діагностичні обладнання та інші елементи електронної техніки.; The physical properties of ferromagnetic dilute magnetic semiconductors and nanocomposites are considered. The latter have several advantages as spintronic materials with a controlled magnetic structure for weak magnetic field sensors. A characteristic feature of ferromagnetic nanocomposites is the spindependent tunneling conductance, which is responsible for negative and positive magnetoresistance. The magnetoresistive effects have a wide range of applications. In particular, materials with such effects may be used in the development of magnetoresistive memory devices, weak magnetic field sensors, medical diagnostic devices and other items of electronic equipment. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118136 Сверхпроводящие свойства новых гетерофуллеридов Кульбачинский, В.А.; Лунин, Р.А; Качан, И.П.; Великодный, Ю.А.; Тарасов, В.П.; Булычев, Б.М. При низких температурах исследованы сверхпроводящие свойства впервые полученных новых гетерофуллеридов AnMmHgxC₆₀ (A = K, Rb, Cs; M = Be, Mg, B, Al, Ga, In; n = 1, 2; m = 1, 2; x << 1). Для регистрации сверхпроводящего перехода применялся низкочастотный индуктивный метод. Все образцы исследованы методами рентгенофазового анализа, твердотельного ядерного магнитного резонанса, электронного парамагнитного резонанса и комбинационного рассеяния света. Найдено, что наибольшее количество сверхпроводящих гетерофуллеридов образуют калиевые фуллериды и среди них фуллерид состава K₂GaHgxC₆₀ с критической температурой сверхпроводящего перехода Тс = 20 К. Гетерофуллериды с индием и бором не образуют сверхпроводящих фаз. Получение фуллеридов через тройные амальгамы (Hg–K–Mg, Hg–Rb–Al) приводит в каждой системе к образованию двух сверхпроводящих фаз.; При низьких температурах досліджено надпровідні властивості уперше отриманих нових гетерофулеридів AnMmHgxC₆₀ (A = K, Rb, Cs; M = Be, Mg, B, Al, Ga, In; n = 1, 2; m = 1, 2; x << 1). Для реєстрації надпровідного переходу застосовувався низькочастотний індуктивний метод. Усі зразки досліджено методами рентгенофазового аналізу, твердотільного ядерного магнітного резонансу, електронного парамагнітного резонансу та комбінаційного розсіяння світла. Знайдено, що найбільшу кількість надпровідних гетерофулеридів утворюють калієві фулериди і серед них фулерид складу K₂GaHgxC₆₀ з критичною температурою надпровідного переходу Тс = 20 К. Гетерофулериди з індієм і бором не утворюють надпровідних фаз. Отримання фулеридів через потрійну амальгаму (Hg–K–Mg, Hg– Rb–Al) призводить в кожній системі до утворення двох надпровідних фаз.; The superconducting properties of first synthesized new heterofullerides AnMmHgxC₆₀ (A = K, Rb, Cs; M = Be, Mg, B, Al, Ga, In; n = 1, 2; m = 1, 2; x<<1) were investigated at low temperatures. The low frequency inductive method was used to detect a superconducting transition. All the samples were studied by using x-ray, solid state nuclear magnetic resonance, electron spin resonance, and Raman scattering. It is found that the maximum number of the superconducting heterofullerides are heterofullerides of potassium. The fulleride K₂GaHgxC₆₀ has a critical temperature of the superconducting tarnsition Тс = 20 К. Heterofullerides of indium and borum are not superconductors. The synthesis of heterofullerides via amalgams (Hg– K–Mg, Hg–Rb–Al) gives rise to two different superconducting phases. 2013-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118135 Псевдощелевое состояние и сильное рассеяние носителей тока на локальных спиновых моментах как механизмы появления полупроводниковых свойств почти стехиометрических сплавов железо–ванадий–алюминий Лончаков, А.Т.; Марченков, В.В.; Окулов, В.И.; Окулова, К.А. Получены новые экспериментальные свидетельства для обоснования физической природы полупроводниковых свойств сплавов Fe₂–xV₁+x Al с составами вблизи стехиометрического (x = 0). Исследована низкотемпературная термоэдс двух сплавов характерных составов, в одном из которых, обогащенном ванадием, проявляется существование псевдощели в плотности состояний электронов с энергией Ферми, а в другом, обедненном ванадием, обнаруживается более сильное влияние рассеяния электронов на локализованных спинах. Полученные в экспериментах температурные зависимости термоэдс при низких температурах имеют впервые обнаруженные характерные аномалии, которые, согласно проведенному анализу, отвечают проявлениям упомянутых эффектов. На основе имеющихся теорий выполнена интерпретация аномальных вкладов обоих эффектов (типов), определены характеризующие их параметры и установлены условия их проявления в сплавах, обедненных и обогащенных ванадием. Получены данные по термоэдс в магнитном поле и обнаружено значительное уменьшение термоэдс с ростом напряженности поля, которое подтверждает основную роль механизма рассеяния носителей тока на локализованных моментах.; Отримано нові експериментальні свідчення для обгрунтування фізичної природи напівпровідникових властивостей сплавів Fe₂–xV₁+x Al із складами поблизу стехіометричного (x = 0). Досліджено низькотемпературну термоерс двох сплавів характерних складів, в одному з них, який збагачено ванадієм, проявляється існування псевдощілини в щільності станів електронів з енергією Фермі, а в іншому, який збіднено ванадієм, виявляється сильніший вплив розсіяння електронів на локалізованих спінах. Температурні залежності термоерс при низьких температурах, які отримано в експериментах, мають уперше виявлені характерні аномалії, які, згідно з проведеним аналізом, відповідають проявам згаданих ефектів. На підставі наявних теорій виконано інтерпретацію аномальних вкладів обох єфектів (типів), визначено параметри, що характеризують їх, та встановлено умови їх прояву в сплавах, збіднених та збагачених по складу ванадієм. Отримано дані по термоерс в магнітному полі і виявлено значний ефект зменшення термоерс із зростанням напруженості поля, який підтверджує основну роль механізму розсіяння носіїв струму на локалізованих моментах.; New experimental data are obtained which substantiate the physical nature of semiconductor properties of Fe₂–xV₁+x Al alloys with almost stoichiometrical composition (x = 0). We investigated low temperature thermoelectric power of two alloys of characteristic compositions: one alloy, enriched with vanadium, exhibited a pseudogap in the density of states of electrons with Fermi energy and the other one vanadium depleted, more strong influence of the scattering of electrons by localized spins is revealed. The experimental temperature dependences of thermoelectric power at low temperatures displayed characterristic anomalies that were observed for the first time and which in line with our analysis conform to the manifestations the effects above. Using the existing theories, the anomalous contributions of the both effects (types) were interpreted, the parameters, characterizing them have determined and the specific features of their presence in V-depleted and V-enriched alloys have also established. The data for thermoelectric power in magnetic field were obtained. It is found that thermoelectric power decreases considerably with increasing field intensity, confirming the key role of the mechanism of current carrier scattering by localized moments. 2013-01-01T00:00:00Z