<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115081">
<title>Физика низких температур, 2012, № 01</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/115081</link>
<description/>
<items>
<rdf:Seq>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116834"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116833"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116832"/>
<rdf:li rdf:resource="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116831"/>
</rdf:Seq>
</items>
<dc:date>2026-04-24T18:40:06Z</dc:date>
</channel>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116834">
<title>Низкотемпературный минимум сопротивления гранулированных дырочно-допированных кобальтитов</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116834</link>
<description>Низкотемпературный минимум сопротивления гранулированных дырочно-допированных кобальтитов
Цзян, Ю.Н.; Дзюба, М.О.; Шевченко, О.Г.; Хирный, В.Ф.
Впервые в объемных гранулированных кобальтитах (La₁₋xSrx)₁₋yAgyCoO₃ с размером гранул порядка&#13;
1 мкм с коэффициентами замещения x = 0,35 и y = 0; 0,05 наблюден переход «металл–неметалл» в проводимости, предположительно связанный с АФМ упорядочением моментов гранул. Данный переход проявляется в виде минимума на температурной зависимости сопротивления образцов. Предложено объяснение природы минимума, основанное на учете внутригранульного механизма корреляции электронов по&#13;
принципу двойного обмена Зенера и межгранульного механизма спин-поляризованного туннелирования&#13;
электронов между ближайшими соседями в условиях антиферромагнитного обменного взаимодействия&#13;
моментов гранул. Проведен численный расчет кондактанса системы в модели, основанной на суммировании проводимостей внутригранульных фаз электронной системы и вычислении полного сопротивления системы как суммы сопротивлений отдельных гранул c учетом резистивного вклада межгранульного туннелирования. Обнаружено, что внешние магнитные поля вплоть до 10 Тл не оказывают&#13;
влияния на глубину минимума и его положение на температурной шкале, что говорит об устойчивости&#13;
антиферромагнитного взаимодействия гранул к внешним магнитным полям.; Вперше в об'ємних гранульованих кобальтитах (La₁₋xSrx)₁₋yAgyCoO₃ з розміром гранул порядку 1 мкм з&#13;
коефіцієнтами заміщення x = 0,35 і y = 0; 0,05 спостережено перехід «метал–неметал» в провідності, який&#13;
імовірно пов'язаний з АФМ упорядкуванням моментів гранул. Даний перехід проявляється у вигляді&#13;
мінімуму на температурній залежності опору зразків. Запропоновано пояснення природи мінімуму, яке за-&#13;
сновано на урахуванні внутрігранульного механізму кореляції електронів за принципом подвійного обміну&#13;
Зенера і міжгранульного механізму спін-поляризованого тунелювання електронів між найближчими&#13;
сусідами в умовах антиферомагнітної обмінної взаємодії моментів гранул. Проведено чисельний розраху-&#13;
нок кондактанса системи в моделі, яка заснована на підсумовуванні провідностей внутрігранульних фаз&#13;
електронної системи і обчисленні повного опору системи як суми опорів окремих гранул з урахуванням ре-&#13;
зистивного вкладу міжгранульного тунелювання. Виявлено, що зовнішні магнітні поля аж до 10 Тл не&#13;
впливають на глибину мінімуму і його положення на температурній шкалі, що свідчить про стійкість&#13;
антиферомагнітної взаємодії гранул до зовнішніх магнітних полів.; It is for the first time that in three-dimensional granular&#13;
cobaltites (La₁₋xSrx)₁₋yAgyCoO₃ with a grain&#13;
size of about 1 micron and replacement ratios x = 0,35&#13;
and y = 0, 0.05, observed was a “metal–nonmetal”&#13;
transition in conductivity, presumably associated with&#13;
the AFM interaction of granule moments. This transition&#13;
manifestes itself as a minimum in the temperature&#13;
dependence of resistance the samples. An explanation&#13;
of the nature of the minimum is proposed which is the&#13;
based on account of intragranular mechanism of electron&#13;
correlation on the basis of Zener double-exchange&#13;
and intergranular mechanism of spin-polarized electron&#13;
tunneling between the nearest neighbors inder the&#13;
antiferromagnetic exchange interactione of granule&#13;
moments. The numerical calculation of the system&#13;
conductance is made in the model based on summation&#13;
of intragranular conductances of electronic phase&#13;
and computation of impedance of the system as a sum&#13;
of resistances of individual granules with a given resistive&#13;
contribution of intergranular tunneling. It is&#13;
found that the external magnetic field up to 10 T does&#13;
not affect the depth of the minimum and its position&#13;
on the temperature scale, suggesting that the intergranular&#13;
antiferromagnetic interaction is stable to external&#13;
magnetic fields.
</description>
<dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116833">
<title>Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116833</link>
<description>Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем
Стахира, И.М.; Товстюк, Н.К.; Фоменко, В.Л.; Григорчак, И.И.; Борысюк, А.К.; Середюк, Б.А.
Разработана твердофазная механохимическая технология получения поликристаллов InSе, интеркалированных Ni до 1,25 ат. %. Рентгеноструктурный и рентгенофазный анализы полученных образцов&#13;
NixInSe подтвердили их гомогенность и показали немонотонную зависимость изменения параметра решетки InSe вдоль оси, перпендикулярной плоскости слоев, от концентрации внедренного Ni. Анализ&#13;
низкотемпературного (77 К) импедансного отклика в частотном интервале 10⁻³–10⁶ Гц обнаружил хорошую корреляцию характера изменений расстояния между слоями и зонной проводимости с ростом концентрации гостевого никеля и их несовпадение с Ni-концентрационной зависимостью удельной намагниченности, которая, в частности, претерпевает аномальное увеличение при х ~ 1. Причина такого&#13;
поведения объяснена в рамках построенной теоретической модели, которая одновременно вскрыла механизм увеличения вклада в проводимость концентрации свободных электронов — гибридизацию электронных орбиталей гостевого никеля и слоев матрицы.; Розроблено твердофазну механохімічну технологію отримання поликристалів InSе, интеркальованих&#13;
Ni до 1,25 ат.%. Рентгеноструктурний і рентгенофазний аналізи отриманих зразків NixInSe підтвердили їх&#13;
гомогенність і показали немонотонну залежність зміни параметра ґратки InSe уздовж осі, перпен-&#13;
дикулярної до площини шарів, від концентрації впровадженого Ni. Аналіз низькотемпературного&#13;
(77 К) відгуку імпедансу в частотному інтервалі 10⁻³–10⁶ Гц виявив хорошу кореляцію характеру змін&#13;
відстані між шарами і зонної провідності з ростом концентрації гостьового нікелю та їх неспівпадання&#13;
з Ni-концентраційною залежністю питомої намагніченості, яка, зокрема, зазнає аномальне збільшення&#13;
при х ~ 1. Причину такої поведінки пояснено в рамках побудованої теоретичної моделі, яка одночасно&#13;
розкрила механізм збільшення вкладу в провідність концентрації вільних електронів — гібридизацію&#13;
електронних орбіталей гостьового нікелю і шарів матриці; A solid-phase mechanochemical technology of&#13;
producing of InSе polycrystals intercalated by Ni up to&#13;
1.25 at. % has been elaborated. The x-ray and phase&#13;
analysis of the NixInSe samples produced confirms&#13;
their homogeneity and demonstrates a nonmonotonic&#13;
Ni-content dependence of lattice constant along the&#13;
axis normal to the layers. The analysis of the low-temperature&#13;
(77 K) impedance response in the frequency&#13;
region 10⁻³–10⁶&#13;
 Hz shows a good correlation between&#13;
the charges in layer distance and band conductivity&#13;
with increasing Ni concentration. However the Ni&#13;
concentration dependence of specific magnetization&#13;
does not coincide with them because it demonstrates&#13;
an irregular increase at х ~ 1. The reason of such behavior&#13;
is explained by the proposed theoretical model,&#13;
which at the same moment showed the mechanism of&#13;
increasing the role of free carriers concentration to&#13;
conductivity by the hybridization of electron orbitals&#13;
of guest nickel and lattice.
</description>
<dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116832">
<title>Особенности формирования магнитоупорядоченных фаз при анионном и катионном замещениях в системах MnFeAsyP₁₋y и Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116832</link>
<description>Особенности формирования магнитоупорядоченных фаз при анионном и катионном замещениях в системах MnFeAsyP₁₋y и Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅
Вальков, В.И.; Головчан, А.В.; Szymczak, H.; Дьяконов, В.П.
Проведен анализ экспериментальных и теоретических результатов исследований изоструктурных систем MnFeAsyP₁₋y (0,15 ≤ y ≤ 0,66) и Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅(0,5 ≤ x ≤ 1,0) с целью выяснения основных признаков, лежащих в основе механизма различного способа формирования антиферромагнитной фазы при&#13;
анионном и катионном замещениях в каждой из двух рассматриваемых систем. Показано, что при катионном замещении основным вкладом в механизм изменения типа магнитоупорядоченных фаз в системе&#13;
Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅ является существенное изменение электронного заполнения магнитоактивной d-зоны.&#13;
В системе MnFeAsyP₁₋y c анионным замещением дестабилизация ферромагнитной и возникновение антиферромагнитной фазы при понижении концентрации мышьяка может быть обусловлена особенностями изменения плотности электронных состояний вследствие значительного понижения объема&#13;
элементарной ячейки.; Проведено аналіз експериментальних та теоретичних результатів досліджень ізоструктурних систем&#13;
MnFeAsyP₁₋y (0,15 ≤ y ≤ 0,66) и Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅(0,5 ≤ x ≤ 1,0) з метою визначення ознак, які лежать в&#13;
основі механізму різного способу формування антиферомагнітної фази при аніонному та катіонному&#13;
заміщеннях в кожній з двох даних систем. Показано що при катіонному заміщенні основним вкладом у&#13;
механізм зміни типу магнітовпорядкованих фаз в системі Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅ є істотна зміна електронного&#13;
заповнення магнітоактивної d-зони. У системі  MnFeAsyP₁₋y з аніонним заміщенням дестабілізація&#13;
феромагнітної і виникнення антиферомагнітної фази при зниженні концентрації миш'яку може бути&#13;
обумовлена особливостями зміни щільності електронних станів внаслідок значного зменшення об'єму&#13;
елементарної комірки.; Experimental and theoretical results for MnFeAsyP₁₋y (0,15 ≤ y ≤ 0,66) и Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅(0,5 ≤ x ≤ 1,0)&#13;
systems have been analysed to determine the factors that&#13;
may be a basis of the mechanism by which the antiferromagnetic&#13;
phase is formed in each of the two systems.&#13;
It is shown that in the case of cation substitution the main&#13;
contribution to the mechanism of changing the magnetoordered&#13;
phase type in the Mn₂₋xFexAs₀.₅P₀.₅ system is&#13;
made by a considerable change of electron filling of the&#13;
magnetically active d-band. As for the MnFeAsyP₁₋y &#13;
system with anion substitution, the destabiligation of ferromagnetic&#13;
phase and the formation of antiferromagnetic&#13;
one with decreasing. As concentration may be due to the&#13;
changes in the density of electronic states because of a&#13;
considerable reduction of the unit cell volume.
</description>
<dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
<item rdf:about="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116831">
<title>Excess conductivity of Cu₀.₅Tl₀.₅Ba₂Ca₃Cu₄₋yZnyO₁₂₋δ superconductors</title>
<link>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116831</link>
<description>Excess conductivity of Cu₀.₅Tl₀.₅Ba₂Ca₃Cu₄₋yZnyO₁₂₋δ superconductors
Khan, Nawazish A.; Hasnain, S.M.
Oxide high-Tc superconductors (HTSC) are anisotropic in character since the charge carriers have free moment&#13;
in the conducting CuO₂ planes [1] whereas their motion is impeded by insulating/partially insulating&#13;
MBa₂O₄₋δ (M = Y, Bi, Hg, Tl, CuTl, etc.) charge reservoir layers. In the transport process the charge carriers&#13;
have to tunnel across insulating/partially insulating barriers along the c-axis and across the grain boundaries,&#13;
which promote a fluctuation in the order parameter and in turn to the conductivity of the carriers. The studies of&#13;
such fluctuation conductivity (FIC) may help in understanding the intrinsic mechanism of superconductivity.&#13;
Here the electrical resistivity ρ(T) versus temperature data of as-prepared and oxygen post-annealed&#13;
Cu₀.₅Tl₀.₅Ba₂Ca₃Cu₄₋yZnyO₁₂₋δ (y = 0, 0.5, 1.5, 2.5) samples is studied for FIC analyses in the temperature regime&#13;
well above the critical temperature; such analyses have been carried out by employing Lawrence and&#13;
Doniach (LD) and Maki–Thompson (MT) models. The coherence length, inter-plane coupling, exponent, dimensionality&#13;
of fluctuations and the phase relaxation time of the carriers are determined from such analyses. It is observed&#13;
that the crossover temperature associated with two distinct exponents fits very well with the two-dimensional&#13;
(2D) and three-dimensional (3D) LD equations. The crossover temperature T0 is shifted to higher temperatures&#13;
with enhanced Zn doping. The 3D LD region is shifted to higher temperature with the increased Zn doping. We&#13;
have elucidated from these analyses that lower Tl content in the final compound may increase the charge carrier’s&#13;
doping efficiency of MBa2O4–δ charge reservoir layer, resulting into an increase in the coherence length&#13;
along the c-axis and superconductivity parameters. A small decrease in the coherence length along the c-axis&#13;
ξc(0) is observed in the samples with Zn doping of y = 1.5 whereas ξc(0) increases in the samples y = 0.5, 2.5. In&#13;
comparison with as-prepared samples, the ξc(0) decreases after post-annealing in oxygen atmosphere. It is most&#13;
likely that a decrease in the density of charge carrier’s is promoted by oxygen diffusion in the unit cell may suppress&#13;
the ξc(0). The increase oxygen diffusion is evidenced from the softening of phonon modes after postannealing&#13;
in oxygen atmosphere. The decreased population of small spins of Cu atoms induced by doping of Zn&#13;
is viewed in the terms of suppression of spin gap and hence the pseudo-gap in Cu₀.₅Tl₀.₅Ba₂Ca₃Cu₄₋yZnyO₁₂₋δ&#13;
(y = 0, 0.5, 1.5, 2.5) samples.
</description>
<dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</item>
</rdf:RDF>
