http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/114755 2026-04-06T01:52:39Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120475 Generalized collective modes approach: Mode contributions to time correlation functions in liquid lead Bryk, T.; Mryglod, I. Contributions of different collective excitations to the density-density and heat-heat time correlation functions in pure liquids are studied within an approach of generalized collective modes. It is shown, that a kinetic relaxing mode, caused by slow density fluctuations, defines almost completely the shape of density-density time correlation function for wavenumbers close to the main peak position of the static structure factor. Analytical threevariable model is used to explain negative amplitudes of contributions to dynamical structure factor from short-wavelength excitations. Such contributions can appear in the range of wavenumbers close to the main peak position of static structure factor.; У методі узагальнених колективних мод досліджуються розділені вклади від різного типу колективних збуджень до часових кореляційних функцій “густина-густина” та “теплова густина-теплова густина” у простих рідинах. Показано, що кінетична релаксаційна мода, обумовлена повільними флюктуаціями густини, майже повністю визначає поведінку часової кореляційної функції “густина-густина” для значень хвильового вектора в області головного піку статичного структурного фактора. Аналітична тризмінна модель використана для пояснення негативних амплітуд, що описують вклади від коротко-хвильових збуджень до динамічного структурного фактора при значеннях хвильового вектора в області головного піку статичного структурного фактора. 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120473 Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) Tkach, M.V.; Mikhalyova, M.Y.; Voitsekhivska, O.M.; Fartushinsky, R.B. The analytical and numerical calculations of electron and hole spectra renormalised by L- and I-phonons taking into account the configurational interaction are performed for the QD embedded into semiconductor medium exemplified by GaAs/AlxGa₁₋xAs nanoheterosystems. It is established that for the nanosize QDs the shifts of electron and hole ground levels are created by the interaction of these quasiparticles with Land I-phonons due to all the states of discrete and continuous spectrum. For the small QDs, the shifts of ground energy levels have strong nonlinear dependences while for the big QDs, they almost do not depend on QD radius and have the magnitude close to the shifts of ground levels in massive crystal creating QD. Due to the different effective masses of light and heavy holes, the splittings of their ground levels are the complicated functions on QD radius and Al concentration in AlxGa₁₋xAs medium.; У роботі виконано аналітичний і чисельний розрахунки перенормування L- та I-фононами електронного та діркового спектрів з повним врахуванням конфігураційної взаємодії у квантовій точці, що вміщена в напівпровідникове середовище. Конкретний розрахунок виконано для гетеросистеми GaAs/AlxGa₁₋xAs. Установлено, що зсуви основних рівнів електрона та дірки формуються взаємодією цих квазічастинок як з L-, так і з I-фононами за участю всіх станів дискретного та неперервного спектрів. При малих розмірах КТ зсуви основних енергетичних рівнів квазічастинок мають сильно нелінійну залежність, а при великих радіусах КТ вони практично не залежать від розміру КТ та близькі за величиною до зсувів основних рівнів у масивному кристалі, з якого утворена КТ. Через різницю ефективних мас важкої та легкої дірок розщеплення їх основних рівнів має складну залежність від радіуса КТ та концентрації Al (x) у середовищі AlxGa₁₋xAs. 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120472 Energy spectrum of a doubly orbitally degenerate model with non-equivalent subbands Didukh, L.; Skorenkyy, Yu.; Dovhopyaty, Yu. In the present paper we investigate a doubly orbitally degenerate narrowband model with correlated hopping. The model peculiarity takes into account the matrix element of electron-electron interaction which describes intersite hoppings of electrons. In particular, this leads to the concentration dependence of the effective hopping integral. The cases of the strong and weak Hund’s coupling are considered. By means of a generalized mean- field approximation the single-particle Green function and quasiparticle energy spectrum are calculated. Metal-insulator transition is studied in the model at different integer values of the electron concentration. Using the obtained energy spectrum we find criteria of metal-insulator transition.; У роботі ми вивчаємо двократно орбітально вироджену вузькозонну модель з корельованим переносом електронів. Особливістю моделі є врахування матричного елемента електрон-електронної взаємодії, який описує міжвузлові переходи електронів. Це приводить, зокрема, до концентраційної залежності ефективного інтеграла пере- носу. Розглянуті випадки сильного та слабкого гундівського зв’язку. За допомогою узагальненого наближення середнього поля розраховані одночастинкова функція Гріна та енергетичний спектр. Перехід метал-діелектрик у моделі досліджений при різних цілих значеннях електронної концентрації. За допомогою отриманого енергетичного спектра знайдено критерії переходу метал-діелектрик 2001-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120470 Thermodynamics of intercalated layer crystals at low temperatures Tovstyuk, N.K. On the base of Anderson type model the density of electron states in the intercalated layer crystal is obtained. Thermodynamic stability depending on: band width, lamination degree, intercalant energy state and renormalized electron mixing, caused by intercalation, is analyzed.; На основі моделі типу моделі Андерсона отримано густину електронних станів інтеркальованого шаруватого кристалу. Досліджується термодинамічна стабільність кристалу залежно від ширини дозволеної зони, ступеня шаруватості, енергетичного стану інтеркалянта і викликаної інтеркаляцією зміни параметра електронного перемішування. 2001-01-01T00:00:00Z