http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/114738 2026-04-25T01:33:43Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121232 Honorary issues dedicated to the 60-th anniversary of Professor Ihor Stasyuk 1998-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118885 Impurity effective mass in superfluid ⁴He Vakarchuk, I.O.; Babin, V.V. The system of bose liquid + impurity is considered. The energy spectrum, as well as effective mass of impurity is calculated. For the case of an ³He atom in superfluid <⁴He numerical calculations are performed.; Розглядається система “бозе-рідина + домішка”. Розраховано енергетичний спектр домішки та її ефективну масу. Проведено числові розрахунки для випадку атома ³He в рідкому ⁴He. 1998-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118828 A modified form of the polar model of crystals Didukh, L. A model for the description of materials with narrow energy bands is proposed. It is shown that in narrow-band materials an electron-hole symmetry is absent in contrast to the Hubbard model. In this paper a metal-insulator transition is studied. The obtained results are compared with the experimental data for narrow-band materials. Some specific narrow-band effects are discussed.; Запропонована модель вузькозонного матерiалу, особливiстю якої є врахування корельованого переносу електронiв (зумовленого електрон-електронною взаємодiєю). У данiй моделi має мiсце електронно-дiркова асиметрiя (на противагу електронно-дiрковiй симетрiї, яка характерна для моделi Хаббарда). Для випадкiв слабких та сильних внутрiшньоатомних взаємодiй гамiльтонiан моделi представлений у формi ефективного гамiльтонiана, який узагальнює вiдомi форми ефективних гамiльтонiанiв. Дослiджений перехiд метал-дiелектрик. Розглянуто застосування запропонованої моделi до пояснення особливостей фiзичних властивостей систем з вузькими зонами провiдностi. 1998-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118827 On temperature versus doping phase diagram of high critical temperature superconductors Loktev, V.M.; Turkowski, V.M. An attempt to describe the bell-shape dependence of the critical temperature of high-T_c superconductors on the charge carrier density is made. It is proposed to explain its linear increase in the region of small densities (underdoped regime) by the role of the order parameter phase 2D fluctuations which become less at this density growth. The critical temperature suppression in the region of large carrier densities (overdoped regime) is connected with the appearance (because of doping) of an essential damping of long-wave bosons which, within the framework of the model proposed, define the mechanism of indirect inter-fermion attraction.; Зроблена спроба опису дзвоноподібної залежності критичної температури високотемпературних надпровідників від густини носіїв заряду. Пропонується пояснити її лінійне зростання в області малих густин (недолегований режим) роллю 2D флуктуацій фази параметра порядку, які стають меншими при зростанні густини. Подавлення критичної температури в області великих густин носіїв (перелегований режим) пов’язаний з появою (завдяки легуванню) суттєвого затухання довгохвильових бозонів, які в рамках запропонованої моделі визначають механізм непрямого між-ферміонного притягання. 1998-01-01T00:00:00Z