http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/108917 2026-04-05T22:36:27Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116722 Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур Михайловская, Е.В.; Данько, В.А.; Индутный, И.З.; Шепелявый, П.Е. При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различным содержанием Si (содержание Si варьировалось изменением угла осаждения SiO) в спектральной области 1,4–2,2 эВ проявляют похожие спектры ФЛ и идентичный ее (ФЛ) спад, соответствующий закону растянутой экспоненты. Предполагается, что растянутый экспоненциальный спад ФЛ является характерным для Si-нанокристаллов. Показано, что время жизни ФЛ экспоненциально уменьшается с увеличением энергии излучения. Этот результат согласуется с квантово-размерным эффектом, когда меньшие по размеру nc-Si с большей энергией запрещенной зоны характеризуются более коротким излучательным временем жизни и соответствующая излучательная рекомбинация происходит в пределах индивидуальных nc-Si.; The spectral dependence of the photoluminescence (PL) decay time at room temperature has been studied in porous nc-Si-SiOx nanostructures. Investigated samples were obtained by oblique evaporation of SiO with following annealing at 975 °C in vacuum and treating in the HF vapor at 50 °C. nc-Si-SiOx structures with different Si content (Si content was varied by changing the deposition angle of SiO) exhibit identically spectrum of PL in spectral range of 1.4-2.2 eV, and decay of PL is described by a stretched exponential low. It is suggested that stretched exponential decay of PL is a characteristic of Si nanocrystals. It is shown that the PL lifetime decreases exponentially with increasing radiation energy. This result is consistent with the quantum confinement effects, where the smaller nc-Si with larger energy gaps are characterized by a short radiative lifetime and the corresponding radiative recombination process take place within the individual nc-Si. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116721 Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах Капуш, О.А.; Тріщук, Л.І.; Томашик, В.М.; Томашик, З.Ф.; Бабічук, І.С.; Борук, С.Д. Досліджено фізико-хімічні властивості низькорозмірних структур на основі CdTe, отриманого методом колоїдного синтезу. Встановлено, що розміри нанокристал ів CdTe та їх розкид за розміром змінюються немонотонно зі збільшенням тривалості синтезу. Досліджено вплив гідроксиетилідендифосфонової, етилендиамінтетраацетатно ї, тіогліколевої кислот, а також тіосечовини і L-цистеїну на процеси формування НК CdTe у водних розчинах. Проаналізовано основні фотолюмінесцентні характеристики цих матеріалів та фізичні основи випромінювання світла наночастинок CdTe, модифікованих речовинами різної природи.; The physicochemical properties of nanosized systems based on CdTe, obtaining by colloidal synthesis, have been investigated. It was found that the sizes of CdTe nanocrystals and their variation in size are characterized by a nonmonotonic changes with the increasing of synthesis duration. Influence of oxyethylenediphosphonic acid, ethylene diamine tetraacetate, thioglycolic acid, thiourea and L-cysteine on the processes of formation CdTe NCs in aqueous solutions has been determined also. The main photoluminescence properties of these materials and the physical basis of light emission CdTe nanoparticles, modified by the substances of different nature, have been analyzed. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116720 Електричні властивості структур In/p-PbTe Маланич, Г.П.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Павлович, І.І. Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.; The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe. 2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/116719 Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN.; We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film. 2012-01-01T00:00:00Z