http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100377 2026-04-16T20:13:22Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100449 Сравнение двух методов локализации источника магнитного поля в задачах магнитокардиологии Бутрым, А.Ю.; Дурнева, Ю.В.; Шульга, С.Н. Сравниваются два метода решения обратной задачи магнитостатики – известный численно-аналитический метод, основанный на теории собственных векторов и преобразовании Фурье, и численный метод, использующий алгоритм глобальной нелинейной оптимизации PSO. Показаны преимущества и недостатки каждого из решений.; Compared are the two methods for solving a magnetostatics inverse problem – the well-known numerical-analytical method based on the eigenvector theory and the Fourier transform, and the numerical method using the global nonlinear optimization PSO. Advantages and disadvantages of each technique are shown too. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100448 GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом Стороженко, И.П.; Прохоров, Э.Д.; Боцула, О.В. На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта.; The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100447 Открытый резонатор с активной микрополосковой решеткой Архипов, А.В.; Кузьмичев, И.К.; Нечаев, О.Г.; Селезнев, Д.Г. Рассматривается полусферический открытый резонатор (ОР), на плоском зеркале которого расположен усилительный модуль, представляющий собой усилитель мощности, конструктивно объединенный с четырехэлементной микрополосковой решеткой (МПР). Приведены экспериментальные кривые резонансного коэффициента передачи ОР, возбуждаемого усилительным модулем и МПР. Все измерения выполнены в трехсантиметровом диапазоне длин волн. Показана перспективность применения такой открытой электродинамической системы для измерения диэлектрической проницаемости веществ с большими потерями.; An hemispherical open resonator (OR) whose flat mirror carries an amplifier modul, being a power amplifier structurally integrated with a four-element microstrip array (MSA), is discussed. The experimental curves pertaining to the resonance transfer factor of the OR excited by the amplifier module and the MSA are shown, all the measurements made at the X-band. Such an open electrodynamic system is shown to be promising in terms of measuring the permittivity of high-loss substances. 2006-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/100446 Микрополосковые антенные решетки с многослойным диэлектрическим покрытием Селезнев, Д.Г.; Резник, И.И.; Селезнев, А.Д. Разработан алгоритм исследований и выполнен расчет характеристик излучения микрополосковых антенных решеток из прямоугольных излучателей с многослойным диэлектрическим покрытием. Выяснены вопросы влияния такого покрытия на характеристики антенны. Показана возможность конструктивного синтеза микрополосковых антенных решеток с многослойным диэлектрическим покрытием. В качестве примера рассмотрена четырехэлементная решетка с двухслойным диэлектрическим покрытием. Обнаружен эффект существенного сужения диаграммы направленности в Е-плоскости и ее расширения в Н-плоскости.; The analysis algorithm is constructed and radiation characteristics calculated for the antenna arrays of rectangular radiators with laminated dielectric covering. This latter effect on the antenna characteristics is studied. The possibility for the structure synthesis of microstrip antenna arrays with laminated dielectric covering is shown. Exemplified is a four element antenna array with the duplex dielectric coating. The effect of severe narrowing the antenna directional pattern in the E-plane and broadening in the H-plane is found. 2006-01-01T00:00:00Z