<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Успехи физики металлов, 2014, № 3</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98346" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98346</id>
<updated>2026-04-22T20:54:32Z</updated>
<dc:date>2026-04-22T20:54:32Z</dc:date>
<entry>
<title>Модели и характеристики прерывистого превращения аустенита в железоуглеродистых сплавах</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98427" rel="alternate"/>
<author>
<name>Бобырь, С.В.</name>
</author>
<author>
<name>Большаков, В.И.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98427</id>
<updated>2016-04-15T00:02:06Z</updated>
<published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Модели и характеристики прерывистого превращения аустенита в железоуглеродистых сплавах
Бобырь, С.В.; Большаков, В.И.
Разрабатываемая авторами диффузионная модель прерывистого превращения аустенита позволила объяснить образование перлита и бейнита в железоуглеродистых сплавах в одном и том же интервале температур.; Розроблений авторами дифузійний модель переривчастого перетворення аустеніту уможливив пояснити утворення перліту та бейніту в залізовуглецевих стопах в одному й тому ж інтервалі температур.; The authors develop the diffusion model of intermittent transformation of austenite, which allows explain- ing the formation of perlite and bainitе in iron–carbon alloys in the same temperature interval.
</summary>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98426" rel="alternate"/>
<author>
<name>Коцюбинский, В.О.</name>
</author>
<author>
<name>Пылыпив, В.М.</name>
</author>
<author>
<name>Остафийчук, Б.К.</name>
</author>
<author>
<name>Яремий, И.П.</name>
</author>
<author>
<name>Гарпуль, О.З.</name>
</author>
<author>
<name>Олиховский, С.И.</name>
</author>
<author>
<name>Скакунова, Е.С.</name>
</author>
<author>
<name>Молодкин, В.Б.</name>
</author>
<author>
<name>Кисловский, Е.Н.</name>
</author>
<author>
<name>Владимирова, Т.П.</name>
</author>
<author>
<name>Решетник, О.В.</name>
</author>
<author>
<name>Кочелаб, Е.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98426</id>
<updated>2016-04-15T00:01:59Z</updated>
<published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
Коцюбинский, В.О.; Пылыпив, В.М.; Остафийчук, Б.К.; Яремий, И.П.; Гарпуль, О.З.; Олиховский, С.И.; Скакунова, Е.С.; Молодкин, В.Б.; Кисловский, Е.Н.; Владимирова, Т.П.; Решетник, О.В.; Кочелаб, Е.В.
Для получения количественных характеристик радиационного дефектообразования в гадолиний-галлиевом гранате (ГГГ) проведено математическое моделирование процесса имплантации ионов фтора при помощи программы SRIM-2008. Определены распределения по глубине кристалла упругих и неупругих энергетических потерь имплантированного иона F⁺ с энергией 90 кэВ и смещённых ионов мишени при торможении в кристалле ГГГ, а также профили распределения по глубине количеств имплантированных и смещённых ионов. Определён характер повреждений и их количественные характеристики. Структурные изменения, вызванные имплантацией ионов фтора в поверхностном слое монокристалла ГГГ, исследованы методом рентгеновской дифракции. Установлена форма профиля деформации в имплантированном слое и связь его характеристик с результатами моделирования.; Для одержання кількісних характеристик радіяційного дефектоутворення в ґадоліній-ґалійовому ґранаті (ҐҐҐ) проведено математичне моделювання процесу імплантації йонів фтору за допомогою програми SRIM-2008. Встановлено розподіли за глибиною кристалу пружніх і непружніх енергетичних втрат імплантованого йона F⁺ з енергією 90 кеВ та зміщених йонів мішені при гальмуванні в кристалі ҐҐҐ, а також профілі розподілу за глибиною кількостей імплантованих і зміщених йонів. Визначено характер пошкоджень та їх кількісні характеристики. Структурні зміни, спричинені імплантацією йонів фтору в поверхневому шарі монокристалу ҐҐҐ, досліджено методою Рентґенової дифракції. Встановлено форму профілю деформації в імплантованому шарі і зв’язок його характеристик з результатами моделювання.; Mathematical modelling of fluorine ion implantation process is carried out by using the SRIM-2008 program for the determination of quantitative characteristics of the radiation defect formation in the gadolinium–gallium garnet (GGG). The crystal depth distributions are measured for elastic and inelastic energy losses of both the implanted F⁺ ion with 90 keV energy and the displaced matrix ions due to their slowing-down in the GGG crystal. Depth distribution profiles are obtained for quantities of implanted and displaced ions. The damage pattern and its quantitative characteristics are determined. Structural changes caused by fluorine ion implantation in a surface layer of the GGG single crystal are investigated by an X-ray diffraction technique. The shape of the strain profile in the implanted layer and relationships of its characteristics with the simulation results are determined.
</summary>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Малогабаритные датчики магнитного поля на основе тонкой фольги из аморфных кобальтовых сплавов ММ-3Со, ММ-5Со и мартенситных кристаллов NiMnGa</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98425" rel="alternate"/>
<author>
<name>Крупа, Н.Н.</name>
</author>
<author>
<name>Скирта, Ю.Б.</name>
</author>
<author>
<name>Шарай, И.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98425</id>
<updated>2016-04-15T00:02:02Z</updated>
<published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Малогабаритные датчики магнитного поля на основе тонкой фольги из аморфных кобальтовых сплавов ММ-3Со, ММ-5Со и мартенситных кристаллов NiMnGa
Крупа, Н.Н.; Скирта, Ю.Б.; Шарай, И.В.
Задача создания малогабаритных высокочувствительных датчиков магнитного поля, работающих в широком диапазоне частот и амплитуд измеряемых полей, а также имеющих узкую диаграмму направленности и малый коэффициент температурного дрейфа, является актуальной и требует поиска новых магнитных материалов и разработки новых принципов построения таких датчиков. В данной работе представлены результаты по разработке малогабаритных высокочувствительных феррозондовых датчиков с магнитным сердечником из аморфной ленты кобальтового сплава ММ-3Со и ММ-5Со, а также магнитоэлектрических датчиков на основе мартенситных монокристаллов NiMnGa. Феррозондовые датчики на основе аморфной ленты имеют высокую чувствительность k &gt; 0,1 В/Э при низком уровне собственных шумов γ &lt; 10⁻⁹ нТ/Гц и могут использоваться для измерения направления и величины магнитного поля в широкой спектральной области переменного магнитного поля от 0 до 10⁶ Гц. Магнитоэлектрические датчики при чувствительности k&gt;0,01 В/Э позволяют проводить измерения магнитного поля средней и большой величины одновременно по двум координатам в достаточно широком диапазоне частот.; Задача створення малогабаритних високочутливих давачів магнетного поля, які працюють у широкому діяпазоні частот і амплітуд вимірюваних полів, мають вузьку діяграму спрямованости й малий коефіцієнт температурного дрейфу, є актуальною та вимагає пошуку нових магнетних матеріялів і розробки нових принципів побудови таких давачів. У даній роботі представлено результати з розробки малогабаритних високочутливих ферозондових давачів з магнетним осердям із аморфної фолії кобальтового стопу ММ-3Со і ММ-5Со, а також магнетоелектричних давачів на основі мартенситних монокристалів NiMnGa. Ферозондові давачі мають високу чутливість k &gt; 0,1 В/Е за низького рівня власних шумів γ &lt; 10⁻⁹ нТ/Гц і можуть використовуватися для міряння напрямку та величини магнетного поля в широкій спектральній області змінного магнетного поля від 0 до 10⁶ Гц. Магнетоелектричні давачі за чутливости k &gt; 0,01 В/Е уможливлюють проводити міряння середніх і сильних магнетних полів одночасно за двома координатами в досить широкому діяпазоні частот.; The problem of poiesis of compact highly-sensitive magnetic-field sensors operating in a wide range of frequencies and amplitudes of the measured fields as well as having both a narrow radiation pattern and a low-temperature drift is actual and requires search for new magnetic materials and development of new principles of such sensors. The results on the development of compact highly-sensitive fluxgate sensors with magnetic core of amorphous foil of the MM-3Co and MM-5Co cobalt alloys and magnetoelectric sensors based on the martensitic single crystal NiMnGa are presented in this paper. The fluxgate sensors have high sensitivity, k &gt; 0.1 V/Oe, with a low threshold of sensitivity, γ &lt; 10⁻⁹ nT/Hz, and can be used to measure both the direction and the magnitude of magnetic field in a wide range of the alternating magnetic-field spectrum from 0 to 10⁶ Hz. The magnetoelectric sensors with sensitivity k &gt; 0.01 V/Oe allow us to measure the magnetic field of medium and high values simultaneously on two coordinates in a quite wide range of frequencies.
</summary>
<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
