Физическая инженерия поверхности, 2008 (том 6)

Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия

2010-04-21T09:02:18Z

Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия Харченко, Н.М.; Хрипунов, Г.С.; Ли, Т.А. Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кадмия CdCl2H2O. В навеске длительное время хранившейся на воздухе выявлено образование новой фазы, очевидно гидрохлорида кадмия с более высоким содержанием H2O. Вакуумный отжиг шихты приводит к распаду этой фазы. По результатам исследований свойств пленок хлорида кадмия предложены технологические подходы для контролируемого проведения “хлоридной” обработки. Разработанные подходы были апробированы для модификации свойств слоев CdTe при изготовлении солнечных элементов стекло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au.; Для розробки промислової технології виготовлення плівкових сонячних елементів на основі гетеро переходу CdTe/CdS була проведена оптимізація процесу формування плівок хлориду кадмію методом вакуумного резистивного напилення. Встановлено, що склад напиленої плівки хлориду кадмію відповідає гідрохлориду кадмію CdCl2H2O. При зберіганні навіски на повітрі тривалий час виявлено формування нової фази, ймовірно гідрохлориду кадмію з більш високою вмістом H2O. Вакуумний відпал шихти призводить до розпаду цієї фази. За результатами досліджень властивостей плівок хлориду кадмію запропоновані технологічні підходи для контрольованого проведення “хлоридної” обробки. Розроблені підходи були апробовані для модифікації властивостей шарів CdTe при виготовленні сонячних елементів скло/ITO/CdS/CdTe/Cu-Au.; For creation of CdTe/CdS-solar cell industrial technology the optimization of cadmium chloride film formation process by vacuum resistive evaporation had been conducted. It was established that the composition of deposited film corresponded to cadmium hydrochloride CdCl2H2O. It was shown that longterm air storage of cadmium chloride powder led to formation of new phase liked to cadmium hydrochloride with the higher H2O-contents. The vacuum annealing resulted in disappearing of this phase. On the base of conducted researches of cadmium chloride film properties the technological approaches for controlled realization of chloride treatment were proposed. The offered technological approaches were approbated for modification of CdTe layer properties at manufacturing of solar cells.

Факторы, обуславливающие формирование аморфноподобного и нанокристаллического структурного состояния в ионно-плазменных конденсатах

2010-04-21T09:02:17Z

Факторы, обуславливающие формирование аморфноподобного и нанокристаллического структурного состояния в ионно-плазменных конденсатах Соболь, О.В. Факторами, определяющими поверхностную подвижность атомов и таким образом кинетику структурообразования при ионно-плазменных методах конденсации, являются температура осаждения и плотность потока пленкообразующих частиц. Формирование аморноподобного структурного состояния ионно-плазменных конденсатов обуславливается низкой поверхностной подвижностью осаждаемых атомов при Тк < 0,1Тпл (статистическое осаждение), а также присутствием примесных атомов остаточной атмосферы (O, N, C) при низкой плотности потока осаждаемых частиц (при Рост = 10^–2 Па, jMe< 1014 см^–2с^–1) и в начальных слоях роста и приповерхностной области конденсата. В качестве дополнительного критерия формирования аморфноподобного состояния ионно-плазменного конденсата может выступать отношение атомных радиусов металлоида к металлу превышающее число Хэгга (0,59).; Чинниками, що визначають поверхневу рухливість атомів і таким чином кінетику структуроутворення при іонно-плазмових методах конденсації є температура осадження та щільність потоку плівкоутворюючих частинок. Формування аморноподібного структурного стану іонно-плазмових конденсатів обумовлюється низкою поверхневою рухливістю атомів, що осаджуються при Тк < 0,1 Тпл (статистичне осадженне), а також присутністю домішкових атомів залишкової атмосфери (O, N, C) при низькій щільності потоку частинок, що осаджуються (при Рост = 10^–2 Па, jMe < 1014см^–2с^–1) і у початкових шарах росту або приповерхній області конденсату. У якості додаткового критерію формування аморфноподібного стану іонно-плазмового конденсату може виступати відношення атомних радіусів металоїду до металу, що превищує число Хегга (0,59).; Factors determining the surface atomic mobility, and thus the kinetics of structure formation under ionplasma condensation are the condensation temperature and film forming particle flux density. The formation of amorphous-like structure state of ion-plasma condensates is caused by low surface mobility of deposited atoms at Тk < 0,1 Тm (statistic deposition), and presence of impurity atoms of residual atmosphere (O, N, C) at low deposited particle flux density (at Рres = 10^–2 Pа, jMe < 1014 cm^–2s^–1), and in initial and subsurface layers of growing condensate. As an additional criterion for amorphous-like state formation of ion-plasma condensate, the metalloidto metal atomic radii ratio exceeding G. Hagg number (0.59) may be used.

Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

2010-04-21T09:02:17Z

Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий Комаров, Ф.Ф.; Мильчанин, О.В.; Миронов, А.М.; Купчишин, А.И. На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5.; На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків.; On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented.

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів

2010-04-21T09:02:16Z

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів Воробець, М.О. Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні тиску внаслідок збільшення площі прямого контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe. Зміни електричних та фотоелектричних параметрів гетероконтактів InSe/GaSe обговорюються з точки зору модифікації проміжного шару. Результати проведених досліджень свідчать про можливість керованої зміни параметрів гетеропереходів та варіювати використання їх у пристоях оптоелектроніки.; Изучено влияние одноосного давления от 0 до 100 кПа при постоянной температуре 300 K в направлении перпендикулярном к плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe–p-GaSe на изменение электрических и фотоэлектрических параметров. Найдено, что плотность тока через гетерограницу увеличивается вследствие увеличения площади прямого контакта между поверхностями слоистых кристаллов GaSe и InSe. Изменение электрических и фотоэлектрических параметров гетероконтакта InSe/GaSe обсуждаются с точки зрения модификации границы раздела. Результаты проведенных исследований свидетельствуют о возможности управляемого изменения параметров гетеропереходов и варьировать использование их в приборах оптоэлектроники.; The effect of uniaxial pressure from 0 to 100 kPa at a constant temperature 300 K in the direction perpendicular to the localization plane of the interface for n-InSe–p-GaSe heterojunction on a variation on the electrical and fotoelectrical parameters is studied. It has been found that the density of a current through heteroboundary increases by increase of a pressure due to increase of the area of direct contact between surfaces of layered GaSe and InSe crystals. The changes of the electrical and fotoelectrical parameters of the InSe/GaSe heterojunction are discussed from the point of view modification of the interface layer. These results indicate that it is possible to direct change the parameters of heterojunctions and to vary the uses in the devices of optoelectronics.