<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Вопросы атомной науки и техники, 2006, № 4</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/76003" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/76003</id>
<updated>2026-05-01T02:09:17Z</updated>
<dc:date>2026-05-01T02:09:17Z</dc:date>
<entry>
<title>О равновесных коэффициентах распределения примесей в Ti, Zr, Hf</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80343" rel="alternate"/>
<author>
<name>Осипов, А.Д.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80343</id>
<updated>2015-04-17T00:02:02Z</updated>
<published>2006-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">О равновесных коэффициентах распределения примесей в Ti, Zr, Hf
Осипов, А.Д.
Рассмотрены связи между равновесными коэффициентами распределения примесей К&#13;
А&#13;
0 limB в ряде систем элементов&#13;
и параметрами Рb, содержащими энергии ионизации, зарядовые числа атомов и другие величины. Показано, что&#13;
использование параметров Рb позволяет определить значения К&#13;
А&#13;
0 limB для многих примесей в металлах-растворителях Ti,&#13;
Zr, Hf выражениями, аналогичными известным, но без введения температур плавления элементов.; Розглянуто зв′язки між рівноважними коефіціентами розподілу домішок К&#13;
А&#13;
0limB у ряді систем елементів і&#13;
параметрами Pb, які містять енергії іонізації, зарядові числа атомів та інші величини. Показано, що використання&#13;
параметрів Pb дозволяє визначити величину К&#13;
А&#13;
0limB для ряда домішок в металах-розчинниках Ti, Zr, Hf виразами,&#13;
аналогічними відомим, але без введення температур плавлення елементів.; The paper deals with the relationship between equilibrium coefficients of impurity distributions К&#13;
А&#13;
0 limB in metals and&#13;
parameters Pbi that include charge number atom ionization energies and other quantities. It is shown that with the parameters Pb it&#13;
appears to determine the К&#13;
А&#13;
0 limB values for a number of impurities comprised in metals dissolvers Ti, Zr, Hf using the expressions&#13;
similar to the known ones, but without introducing the melting temperatures of elements.
</summary>
<dc:date>2006-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Исследование процесса совместного осаждения кремний-германиевых сплавов водородным восстановлением хлоридов кремния и германия</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80342" rel="alternate"/>
<author>
<name>Журавлев, А.Ю.</name>
</author>
<author>
<name>Глушко, П.И.</name>
</author>
<author>
<name>Капустин, В.Л.</name>
</author>
<author>
<name>Семенов, Н.А.</name>
</author>
<author>
<name>Хованский, Н.А.</name>
</author>
<author>
<name>Шеремет, В.И.</name>
</author>
<author>
<name>Широков, Б.М.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80342</id>
<updated>2015-04-17T00:02:02Z</updated>
<published>2006-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Исследование процесса совместного осаждения кремний-германиевых сплавов водородным восстановлением хлоридов кремния и германия
Журавлев, А.Ю.; Глушко, П.И.; Капустин, В.Л.; Семенов, Н.А.; Хованский, Н.А.; Шеремет, В.И.; Широков, Б.М.
Методом совместного газофазного осаждения при пониженном давлении получены плотные поликристаллические конденсаты Si-Ge-сплавов с концентрацией германия 5…30%, предназначенные для использования в качестве материалов для термоэлектрических преобразователей энергии. Исследована кинетика осаждения Si-Ge-сплавов. Присутствие небольших добавок германия интенсифицирует процесс осаждения кремния. Определение концентрации германия проводилось ядерно-физическим методом. Микрорентгеноспектральные исследования равномерности осаждения свидетельствуют о высокой гомогенности полученных сплавов; Методом сумісного газофазного осадження при пониженому тиску одержано щільні полікристалічні конденсати Si-Ge-сплавів з концентрацією германію від 5 до 30 %, для використання в якості матеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії. Досліджено кінетику осадження Si-Ge-сплавів. Присутність невеликих добавок германію интенсифікує процес осадження кремнію. Визначення концентрації германію проводилось ядерно-фізичним методом. Мікрорентгеноспектральні дослідження рівномірності осадження засвідчили високу гомогенність одержаних сплавів.; Dense polycrystallic condensates of Si-Ge alloys were grown by low pressure CVD intended for usage as materials for thermoelectric energy converters.&#13;
The kinetics of a Si-Ge deposition is researched. The presence of the small amounts of germanium intensifies the process of a silicon deposition.&#13;
The determination of germanium concentration in the samples was made via the nuclear physics technique. The examination, made in the microanalyzer,&#13;
attested to a high homogeneity of the Si-Ge condensates.
</summary>
<dc:date>2006-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Formation of thin film Cr-N composites under ion bombardment at low rates of chromium deposition</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80341" rel="alternate"/>
<author>
<name>Guglya, A.</name>
</author>
<author>
<name>Litvinenko, M.</name>
</author>
<author>
<name>Marchenko, Y.</name>
</author>
<author>
<name>Vasilenko, R.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80341</id>
<updated>2015-04-17T00:02:01Z</updated>
<published>2006-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Formation of thin film Cr-N composites under ion bombardment at low rates of chromium deposition
Guglya, A.; Litvinenko, M.; Marchenko, Y.; Vasilenko, R.
One of peculiar features of the IBAD technology consists in that the damage level and concentration of implanted ions are&#13;
 distributed nonuniformly in the depth of deposited material. The calculations, we have done earlier [1], showed that the highest&#13;
 degree of nonequilibrium is realized in the first 50 nm of a coating. However, just in this thickness the nucleation and formation&#13;
 of the material structure is observed. The peculiarities of chromium coating formation without assisted irradiation and under&#13;
 bombarding with nitrogen ions having the energy of 30 keV were studied. The rates of chromium deposition were low, 0,05…0,1&#13;
 nm/s. During the experiment the vacuum was maintained at a level of 4·10⁻³ Pa and was determined, in main, by the content of nitrogen&#13;
 molecules arriving from the discharging chamber of the ion source. The thickness within the range from 3 to 10 nm was&#13;
 investigated. The results have shown that at the earliest stages of the film growth solely chromium nitride CrN is formed. Sizes&#13;
 of visible nuclei are in the range from 1 to 4 nm, and their density is 1…3·10¹²cm⁻²&#13;
 . As the film thickness increases, the nuclei are&#13;
 growing, then their coalescence occurs and a uniform coating is formed. Chromium deposition without irradiation, but at the&#13;
 same nitrogen pressure, resulted in formation of chromium hcp structure with the following crystallographic parameters: a =  0,315 nm; c = 0,492 nm. The grain size was 3…4 nm. After reaching the coating continuity, the hcp structure was transformed&#13;
 into the bcc structure with the parameter a = 0,261 nm.; Проведено сравнительное исследование начальных стадий формирования хромового покрытия в условиях бомбардировки ионами азота с энергией 30 кэВ и без ассистированного облучения, но при повышенном содержании азота в рабочей камере. Скорости осаждения были выбраны небольшими – 0,05...0,1 нм/с. Вакуум в камере был на уровне 4•10⁻³ Па и определялся в основном азотом, который напускался в разрядную камеру ионного источника. Толщина исследуемых объектов была в интервале 3…10 нм. Результаты показали, что при ионной бомбардировке происходит образование нитрида хрома CrN, начиная с самых ранних стадий роста пленки. Размер видимых зародышей находится в диапазоне 1…4 нм, плотность – 3•10¹² см⁻². С увеличением толщины пленки происходит коалесценция малых зародышей, образование свободных зон и зарождение на них новой популяции зерен. Осаждение хрома без ионного облучения приводит к формированию ГПУ-структуры с параметрами решетки а=0,315 нм и с=0,492 нм. При достижении сплошности у пленки происходит трансформация ГПУ-структуры в ОЦК с параметром а=0,261 нм.; Проведено порівняльне вивчення початкової стадії формування хромового покриття в умовах бомбардування&#13;
 іонами азоту з енергією 30 кеВ та без асистуючого опромінення, але при підвищеному тиску азоту. Швидкості&#13;
 осадження були підібрані невеликі – 0,05…0,1 нм/с. Вакуум у камері був на рівні 4·10⁻³ Па та обумовлювався азотом,&#13;
 який напускався в розрядову камеру іонного джерела. Товщина досліджених плівок – 3…10 нм. Результати показали, що&#13;
 при іонному бомбардуванні має місце створення нітриду хрому CrN починаючи з самих початкових стадій. Розмір&#13;
 зародків знаходиться у діапазоні 1…4 нм, щільність – 3·10¹² см⁻². Зі збільшенням товщини має місце коалесценція  зародків, створення вільних зон та зародження на них нової популяції зерен. Осадження хрому без іонного опромінення&#13;
 призводить до формування ГПУ-структури хрому з параметрами гратки а=0,315 нм та с=0,492 нм. При появленні  сполошної плівки має місце трансформування ГПУ-структури у ОЦК з параметром а=0,261нм.
</summary>
<dc:date>2006-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Фазовые равновесия в гидридах и дейтеридах переходных металлов в модели неидеального решеточного газа</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80340" rel="alternate"/>
<author>
<name>Маринин, В.С.</name>
</author>
<author>
<name>Шмалько, Ю.Ф.</name>
</author>
<author>
<name>Умеренкова, К.Р.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/80340</id>
<updated>2015-04-17T00:01:56Z</updated>
<published>2006-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Фазовые равновесия в гидридах и дейтеридах переходных металлов в модели неидеального решеточного газа
Маринин, В.С.; Шмалько, Ю.Ф.; Умеренкова, К.Р.
Модифицированная схема термодинамической теории возмущений применена для моделирования фазовых&#13;
равновесий в системах «переходный металл – изотопы водорода». Получена связь между макроскопическими&#13;
характеристиками растворов внедрения Pd-H(D)x, в частности параметрами фазовых переходов, и микроскопическими&#13;
(атомными) характеристиками водородной подсистемы и решетки металла.; Модифікована схема термодинамічної теорії збурень застосована для моделювання фазових рівноваг в системах&#13;
„перехідний метал-ізотопи водню”. Встановлено зв’язок між макроскопічними характеристиками розчинів проникнення&#13;
Pd-H(D)x, зокрема параметрами фазових переходів, і мікроскопічними (атомними) характеристиками водневої&#13;
підсистеми та решітки металу.; The modified thermodynamic perturbation theory is applied for modeling phase equilibrium in systems “transitive metal -&#13;
 isotopes of hydrogen”. Intercoupling between macroscopically characteristics of solutions of intrusion Pd-H (D)x, in particular,&#13;
 parameters of phase transitions and microscopic (nuclear) characteristics of a hydrogen subsystem as well as a lattice metal.
</summary>
<dc:date>2006-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
