Вопросы атомной науки и техники, 2004, № 2

Linear accelerators for radiation sterilization developed in NPK LUTS NIIEFA

2015-04-01T00:02:44Z

Linear accelerators for radiation sterilization developed in NPK LUTS NIIEFA Vorogushin, M.F.; Gavrish, Yu.N.; Demsky, M.I.; Maksimov, V.M. NPK LUTS NIIEFA has been developing linear accelerators for industrial applications during about 30 years. More than 150 linear accelerators for different applications have been manufactured by this company and installed in different regions of Russia and abroad: in Poland, Hungary, Germany, France, China and India. The linear accelerators for radiation sterilization developed in NPK LUTS NIIEFA are reviewed.; На протязі 30 років у НПК ЛПЦ НДІЕФА розробляються лінійні прискорювачі промислового призначення. За цей час були виготовлені і встановлені в різних областях Росії і за кордоном: у Польщі, Угорщині, Німеччині, Франції, Китаї й Індії більш 150 лінійних прискорювачів. У роботі приведений огляд основних характеристик цих прискорювачів.; В течение 30 лет в НПК ЛУЦ НИИЭФА разрабатываются линейные ускорители промышленного назначения. За это время были изготовлены и установлены в различных областях России и за границей: в Польше, Венгрии, Германии, Франции, Китае и Индии более 150 линейных ускорителей. В работе приведен обзор основных характеристик этих ускорителей.

Development of a pulsed bremsstrahlung source on a base of a nanosecond and microsecond REB accelerators

2015-04-01T00:02:43Z

Development of a pulsed bremsstrahlung source on a base of a nanosecond and microsecond REB accelerators Batrakov, A.B.; Egorov, A.M.; Gaponenko, N.I.; Glushko, E.G.; Lonin, Yu.F.; Rudnev, N.I.; Sereda, B.V.; Neklyudov, I.M.; Parkhomenko, A.A.; Grivo, A.G.; Mazilov, A.V. In the paper the preliminary results on measuring parameters of a pulsed bremsstrahlung source developed for investigation of physical-mechanical properties of reactor materials are given. Generation of γ-radiation with parameters γ ∼ 0.4...1.0 MeV was carried out at microsecond and nanosecond high-current REB accelerators. The absolute values of an absorbed dose are determined for both nanosecond and microsecond sources of γ-radiation.; Приведено попередні результати по вимірюванню параметрів імпульсного джерела гальмованого випромінювання, якій створюється для дослідження фізико-механічних властивостей матеріалів реакторобудівництва. Генерація НЖР-випромінювання з параметрами 0,4<γ<1,0 МеВ здійснювалась мікросекундному і наносекундному сильнострумових прискорювачах РЕП. Визначені абсолютні значення дози поглинання, як для наносекундного, так і мікросекундного джерел γ-випромінювання.; Приведены предварительные результаты по измерениям параметров импульсного источника тормозного излучения, создаваемого для исследования физико-механических свойств материалов реакторостроения. Генерация СЖР излучения с параметрами 0,4<γ<1,0 МэВ осуществлялась на микросекундном и наносекундном сильноточных ускорителях РЭП. Определены абсолютные значения поглощенной дозы, как для наносекундного так и микросекундного источников γ-излучения.

Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field

2015-04-01T00:02:41Z

Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field Chumakov, V.I.; Slichenko, N.I.; Stolarhuk, A.V.; Egorov, A.M.; Lonin, Yu.F. The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear model permitting to determine the time boundary of heat propagation in the semiconductor device is presented. In the time range t>tcr a uniform volumetric heating of the object takes place, and for ttкр має місце однорідний об’ємний розігрів об’єкту, а при ttкр имеет место однородный объемный разогрев объекта, а при t

Thin-film termoacoustic detector for a registration of microwave pulses of nanosecond duration

2015-04-01T00:02:36Z

Thin-film termoacoustic detector for a registration of microwave pulses of nanosecond duration Andreev, V.; Vdovin, V.; Voronov, P. A process of the thermoacoustic generation inside thin metallic films deposited on the glass substrate was studied. The measurements performed at 8-mm wavelength have showed that an absorption coefficient reaches its maximum in the 2...3-nm aluminum films. The process of sound excitation was studied in a sandwich-type system consisting of glass – aluminum film – water. It was shown that an efficacy of a themoacoustic excitation for the metallic films of several tens of angstroms is solely defined by the thermophysical parameters of liquid adjoining to the film surface.; Досліджено процес термоакустичної генерації в тонких металевих плівках, нанесених на кварцову підкладку. Виміру, проведені на довжині хвилі 8 мм, показали, що коефіцієнт поглинання має максимум при товщині алюмінієвої плівки 22...25 ангстрем. Поглинання в максимумі склало 34 і 49% при падінні хвилі відповідно з боку плівки і кварцової підкладки. Явища, що спостерігаються у тонких металевих плівках, теоретично пояснені з позицій аномального скин-ефекту. Проведено аналіз генерації звуку в шаруватій системі кварц - алюмінієва плівка – вода. Показано, що при товщинах металевої плівки в кілька десятків ангстрем ефективність термоакустичної генерації визначається теплофізичними параметрами рідини, що граничить із плівкою.; Исследован процесс термоакустической генерации в тонких металлических пленках, нанесенных на кварцевую подложку. Измерения, проведенные на длине волны 8 мм, показали, что коэффициент поглощения имеет максимум при толщине алюминиевой пленки 22...25 ангстрем. Поглощение в максимуме составило 34 и 49% при падении волны соответственно со стороны пленки и кварцевой подложки. Наблюдаемые явления в тонких металлических пленках теоретически объяснены с позиций аномального скин-эффекта. Проведен анализ генерации звука в слоистой системе кварц - алюминиевая пленка – вода. Показано, что при толщинах металлической пленки в несколько десятков ангстрем эффективность термоакустической генерации определяется теплофизическими параметрами граничащей с пленкой жидкости.