<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 5</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/74803" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/74803</id>
<updated>2026-04-25T05:06:06Z</updated>
<dc:date>2026-04-25T05:06:06Z</dc:date>
<entry>
<title>К 70-летию со дня рождения Геннадия Филипповича Тихинского</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78242" rel="alternate"/>
<author>
<name>Ажажа, В.М.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78242</id>
<updated>2015-03-14T01:01:28Z</updated>
<published>2000-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">К 70-летию со дня рождения Геннадия Филипповича Тихинского
Ажажа, В.М.
</summary>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78241" rel="alternate"/>
<author>
<name>Юрченко, Г.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78241</id>
<updated>2015-03-14T01:01:27Z</updated>
<published>2000-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления
Юрченко, Г.В.
Исследовались кристаллическая структура, электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных при температурах подложки от 200 до 500°С путем прямоточного нереактивного магнетронного распыления механической смеси содержащей 95 мас.% In₂O₃ и 5 мас.% SnO₂. Пленки ITO, осажденные при температуре подложки 300°С, текстурированы в направлении [400] и имеют минимальный уровень микродеформаций и обладают оптимальным сочетанием оптических и электрических свойств.
</summary>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Електричні властивості двошарових плівок окислів металів</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78240" rel="alternate"/>
<author>
<name>Новіков, В.О.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78240</id>
<updated>2015-05-22T16:39:02Z</updated>
<published>2000-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Електричні властивості двошарових плівок окислів металів
Новіков, В.О.
Досліджені газочутливі властивості тонких двошарових плівок окислів металів, в яких нижній шар є крупнокристалічним, а верхній має високодисперсну структуру. Розглядаються фізичні основи і технологічні прийоми одержання таких плівок вакуумним методом. Двошарові плівки виявляють кращу чутливість до відновлюючих домішок у повітрі, ніж одношарові.
</summary>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>ZnO:Al wide zone “windows” deposited by magnetron sputtering on unheated substrate</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78239" rel="alternate"/>
<author>
<name>Boyko, B.Т.</name>
</author>
<author>
<name>Khrypunov, G.S.</name>
</author>
<author>
<name>Yurchenko, G.V.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/78239</id>
<updated>2015-03-14T01:01:37Z</updated>
<published>2000-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">ZnO:Al wide zone “windows” deposited by magnetron sputtering on unheated substrate
Boyko, B.Т.; Khrypunov, G.S.; Yurchenko, G.V.
Electrical and optical properties of ZnO:Al films deposited on unheated glass substrate by non-reactive RF magnetron sputtering of target ZnO:Al₂O₃ (98/2 wt.%) were studied. It was shown that Zno:Al films with the thickness of 0.75 µm deposited at the magnetron power 130 W and 4 µbar argon pressure with adding of 4·10⁻³ µbar oxygen pressure during the first minute of condensation has the following electrical and optical characteristics: surface, resistance 6 Ω/ and transmittance in visible spectral range about 88%. The ZnO:Al films with such optical and electrical parameters are suitable for substrate configuration highly efficiency thin film solar cells on CuInSe₂ base.
</summary>
<dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
