http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70729 2026-04-16T20:14:29Z 2026-04-16T20:14:29Z Стерхова, А.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70746 2014-11-12T01:01:50Z 2002-01-01T00:00:00Z

Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок Стерхова, А.В. Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР.

2002-01-01T00:00:00Z Лепих, Я.И. Лопушенко, В.К. Черняк, Н.Г. Николаенко, Ю.Е. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70745 2014-11-12T01:02:02Z 2002-01-01T00:00:00Z

Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС Лепих, Я.И.; Лопушенко, В.К.; Черняк, Н.Г.; Николаенко, Ю.Е. Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы датчика с точки зрения его метрологических характеристик. Сопоставляются результаты экспериментальных исследований характеристик датчиков с расчетными.

2002-01-01T00:00:00Z Адарчин, С.А. Кужненков, А.С. Кожитов, Л.В. Косушкин, В.Г. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70744 2014-11-12T01:01:41Z 2002-01-01T00:00:00Z

Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления Адарчин, С.А.; Кужненков, А.С.; Кожитов, Л.В.; Косушкин, В.Г. Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения величины и снижения скорости возрастания гистерезиса выходного сигнала микроэлектромеханических структур.

2002-01-01T00:00:00Z Кругленко, В.П. Марончук, И.Е. Повстяной, М.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70743 2014-11-12T01:01:50Z 2002-01-01T00:00:00Z

Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм Кругленко, В.П.; Марончук, И.Е.; Повстяной, М.В. Предложена рецептура и технология изготовления новых лазерных красителей класса имитринов, эффективно работающих в желто-зеленом спектральном диапазоне при лазерном возбуждении. Приводятся экспериментальные данные о наиболее оптимальных условиях синтеза красителей из доступных исходных компонентов. Химическая структура полученных красителей доказана физико-химическими методами исследования.

2002-01-01T00:00:00Z