http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70578 2026-04-06T13:39:46Z 2026-04-06T13:39:46Z Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70600 2014-11-09T01:01:44Z 2003-01-01T00:00:00Z

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ Казаков, А.И.; Андриянов, А.В.; Миронов, В.С.; Поляруш, О.В. Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.; The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃.

2003-01-01T00:00:00Z Клюканов, А.А. Сенокосов, Э.А. Богинский, Д.Е. Сорочан, В.В. Фещенко, Л.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70599 2014-11-09T01:02:00Z 2003-01-01T00:00:00Z

Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок Клюканов, А.А.; Сенокосов, Э.А.; Богинский, Д.Е.; Сорочан, В.В.; Фещенко, Л.В. Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов.; The outcomes of theoretical accounts of a cumulative distribution function of dark and of light potentials on a surface of a conducting semiconducting disk with a current and four electrical contacts which located squarly on its edges, is shown. The analytical dependence of output voltage of such photoreceiver from magnitude of a current, intensity and coordinates of a local exposure is found.

2003-01-01T00:00:00Z Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70598 2014-11-09T01:01:43Z 2003-01-01T00:00:00Z

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb Андронова, Е.В.; Баганов, Е.А.; Далечин, А.Ю.; Карманный, А.Ю. Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.; The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.

2003-01-01T00:00:00Z Ащеулов, А.А. Охрем, В.Г. Охрем, Е.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/70597 2014-11-09T01:01:53Z 2003-01-01T00:00:00Z

Тепловая модель и КПД анизотропного термоэлемента в режиме генерации электроэнергии Ащеулов, А.А.; Охрем, В.Г.; Охрем, Е.А. Исследованы физические процессы, протекающие в нагруженном анизотропном термоэлементе (АТ). Проанализированы двухмерное распределение температуры и коэффициент полезного действия АТ в случае постоянной плотности электрического тока.; The phisical processes in the load anisotropic thermoelement (AT) have been investigated. The expression for the temperature distribution and efficiency of AT have been obtained and analysed.

2003-01-01T00:00:00Z