<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Вопросы атомной науки и техники, 2011, № 6</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69894" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69894</id>
<updated>2026-04-13T07:32:38Z</updated>
<dc:date>2026-04-13T07:32:38Z</dc:date>
<entry>
<title>Международная научная конференция «Высокочистые материалы: получение, применения, свойства», посвященная 80-летию со дня рождения академика НАН Украины Владимира Михайловича Ажажи</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111705" rel="alternate"/>
<author>
<name/>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111705</id>
<updated>2017-01-14T01:03:05Z</updated>
<published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Международная научная конференция «Высокочистые материалы: получение, применения, свойства», посвященная 80-летию со дня рождения академика НАН Украины Владимира Михайловича Ажажи
15–18 ноября 2011 года в Харькове в Национальном научном центре «Харьковский&#13;
физико-технический институт» состоялась Международная научная конференция&#13;
«Высокочистые материалы: получение, применение, свойства», посвященная 80-летию со&#13;
дня рождения выдающегося ученого-материаловеда, академика НАН Украины Владимира&#13;
Михайловича Ажажи.
</summary>
<dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>К 80-летию со дня рождения академика Ажажи Владимира Михайловича</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111704" rel="alternate"/>
<author>
<name/>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111704</id>
<updated>2017-01-14T01:03:04Z</updated>
<published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">К 80-летию со дня рождения академика Ажажи Владимира Михайловича
</summary>
<dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Высокоразрешающая просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия наноструктурных покрытий нестехиометрического кубического нитрида титана</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111703" rel="alternate"/>
<author>
<name>Шулаев, В.М.</name>
</author>
<author>
<name>Запорожец, М.А.</name>
</author>
<author>
<name>Васильев, А.Л.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111703</id>
<updated>2017-01-14T01:02:36Z</updated>
<published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Высокоразрешающая просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия наноструктурных покрытий нестехиометрического кубического нитрида титана
Шулаев, В.М.; Запорожец, М.А.; Васильев, А.Л.
Представлены новые результаты по исследованию наноструктуры сверхтвердых покрытий нестехиометрического кубического нитрида титана методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии. Покрытия получены вакуумно–дуговым способом, с приложением к подложке импульсного потенциала смещения в условиях однонаправленного роста по механизму «плазма–твердое тело». Покрытия имели двухуровневую структуру. Микроструктура покрытий являлась клиновидно-столбчатой с четко выраженной текстурой типа (111). Методом высокоразрешающей электронной микроскопии впервые выявлено, что на наноуровне структура покрытий является доменной. Размеры доменов варьировались в диапазоне 2…10 нм.; Представлені нові результати дослідження наноструктури надтвердих покриттів нестехіометрічного кубічного нітриду титану методами просвічуючої та растрової електронної мікроскопії. Покриття отримані вакуумно-дуговим способом, з прикладанням до підкладки імпульсного потенціалу зміщення в умовах односпрямованої зростання за механізмом «плазма–тверде тіло». Покриття мали дворівневу структуру. Мікроструктура покриттів була клиновидно-стовпчастої з чітко вираженою текстурою типу (111). Методом високорозподільної електронної мікроскопії вперше виявлено, що на нанорівні структура покриттів є доменною. Розміри доменів варіювалися в діапазоні 2…10 нм.
</summary>
<dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Электроcопротивление и термоэдс аллотропических модификаций олова</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111702" rel="alternate"/>
<author>
<name>Соколенко, В.И.</name>
</author>
<author>
<name>Фролов, В.А.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/111702</id>
<updated>2017-01-14T01:02:35Z</updated>
<published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Электроcопротивление и термоэдс аллотропических модификаций олова
Соколенко, В.И.; Фролов, В.А.
В интервале 50...225 ºС измерены температурные зависимости электросопротивления R и термоэдс S моно- и поликристаллического олова высокой чистоты. Для монокристаллов зависимости имеют особенности при Т ≈ 155 и 203 ºС, связанные с полиморфными превращениями β→γ и γ→x (х – неизвестная модификация). Аллотропические модификации Sn допускают существенный перегрев и переохлаждение. Закаливанием олова из расплава получены образцы, свойства которых отличны от свойств β-Sn: для закаленных образцов характерны структурная неустойчивость и наличие нескольких фаз, что следует из вида зависимости R = f(Т) ниже 4,2 К, которая имеет особенности, указывающие на сверхпроводящие переходы β-Sn (ТС =3,72 К) и еще двух фаз (ТС=2,43 и 2,39 К). Последние связываются с закаленными γ- и x-модификациями.; В інтервалі 50...225 ºС виміряні температурні залежності електроопору R і термоедс S моно- і полікристалічного олова високої чистоти. Для монокристалів залежності мають особливості при Т ≈ 155 і 203 ºС, пов'язані з поліморфними перетвореннями β→γ і γ→x (х – невідома модифікація). Алотропічні модифікації Sn допускають істотне перегрівання і переохолодження. Гартуванням олова з розплаву отримані зразки, властивості яких відмінні від властивостей β-Sn: для загартованих зразків характерні структурна нестійкість і наявність декількох фаз, що виходить з виду залежності R = f(Т) нижче 4,2 К, яка має особливості, що вказують на надпровідні переходи β-Sn (ТС = 3,72 К) і ще двох фаз (ТС=2,43 і 2,39 К). Останні зв'язуються із загартованими γ- і x-модифікаціями.; Measurements of temperature dependences of electrorésistance R and thermo-emf S of mono- and polycrystalline Sn are carried out in an interval 50...225 ºС. For single-crystals dependences have features at Т ≈ 155 and 203 ºС related to polymorphic transformations β→γ and γ→x (х is unknown modification). Allotropic modifications of Sn assume a substantial overheat and supercooling. Hardening of tin from melt is get properties which are different from properties of β-Sn: hard-tempered samples have structural instability and include a few phases, that ensues from the type of dependence of R = f(Т) below 4,2 К, which has features indicated on superconducting transition of β-Sn (ТС = 3,72 К) and two another phases (ТС = 2,43 and 2,39 К). The last are hardening γ- and x-modifications probably.
</summary>
<dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
