http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69887 2026-04-06T23:49:20Z 2026-04-06T23:49:20Z Неклюдов, И.М. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/91077 2016-01-07T01:04:11Z 2009-01-01T00:00:00Z

Памяти Владимира Соломоновича Когана Неклюдов, И.М. 7 сентября 2009 г. перестало биться сердце старейшего сотрудника Национального научного центра «Харьковский физико-технический институт» НАН Украины, доктора физико-математических наук, профессора Когана Владимира Соломоновича.

2009-01-01T00:00:00Z Михайловский, И.М. Саданов, Е.В. Мазилова, T.И. Ксенофонтов, В.А. Великодная, О.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/90885 2016-01-06T01:02:33Z 2009-01-01T00:00:00Z

Сверхвысокоразрешающая полевая электронная микроскопия: наблюдение атомных орбиталей углеродных моноатомных цепочек Михайловский, И.М.; Саданов, Е.В.; Мазилова, T.И.; Ксенофонтов, В.А.; Великодная, О.А. Разработанная недавно высокополевая методика изготовления атомных цепочек сделала возможным достижение в полевом электронном эмиссионном микроскопе (ПЭЭМ) ультравысокого разрешения, которое использовано для прямого наблюдения внутриатомной электронной структуры. Применяя криогенный ПЭЭМ, удалось разрешить пространственные конфигурации атомных орбиталей, которые соответствуют квантовым состояниям атома на конце свободностоящих углеродных атомных цепочек. Полученный результат демонстрирует возможность визуализации основных аспектов квантовой механики и может способствовать появлению и развитию новых подходов в области нанотехнологий.; Ультрависоке розрізнення польового електронного емісійного мікроскопа, яке розроблено нещодавно завдяки високопольової методики виготовлення атомних ланцюжків, може бути використано для прямого спостереження внутріатомної електронної будови. Використовуючи кріогенний мікроскоп нам вдалося одержати зображення просторових конфігурацій атомних орбіталей, які відповідають квантовим станам атома на кінці вільностоячих вуглецевих атомних ланцюжків. Одержаний результат демонструє можливість візуалізації основних аспектів квантової механіки и може сприяти виникненню та розвитку нових підходів в галузі нанотехнологій.; A recently developed high-field technique of atomic chains preparation has made it possible to attain the ultrahigh resolution of field-emission electron microscopy, which can be used to direct imaging the intra-atomic electronic structure. By applying cryogenic field-emission electron microscopy, we are able to resolve the spatial configuration of atomic orbitals, which correspond to quantized states of the end atom in free-standing carbon atomic chains. Knowledge of the intra-atomic structure will make it possible to visualize generic aspects of quantum mechanics and also lead to new approaches for a wide range of nanotechnological applications.

2009-01-01T00:00:00Z Осипов, А.Д. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/90792 2016-01-05T01:02:11Z 2009-01-01T00:00:00Z

О связях энтальпий плавления и испарения у металлов IV–VI групп Осипов, А.Д. Показано, что использование функций эффективных параметров, включающих энергии ионизации атомов, числа электронов связей, позволяют оценить энтальпии плавления и испарения у металлов IV-VI групп.; Показано, що використання функцій ефективних параметрів, що включають енергії іонізації атомів, числа електронів зв’язку, дозволяє оцінити ентальпії плавлення і випаровування у металів IV-VI груп.; It is shown, that the use functions of effective parameters, including energies of ionization atoms, the numbers of electrons connections allow estimating enthalpies of melting and evaporation in metals of IV-VI groups.

2009-01-01T00:00:00Z Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/90791 2016-01-05T01:02:23Z 2009-01-01T00:00:00Z

Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma Aksyonov, D.S.; Aksenov, I.I.; Luchaninov, A.A.; Reshetnyak, E.N.; Strel’nitskij, V.E. Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial distribution.; Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно- дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів.; Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного распределения магнитных полей.

2009-01-01T00:00:00Z