<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физическая инженерия поверхности, 2007 (том 5)</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69736" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69736</id>
<updated>2026-04-09T20:02:20Z</updated>
<dc:date>2026-04-09T20:02:20Z</dc:date>
<entry>
<title>Описание спиральных магнитных проводников на основе ферми-жидкостной модели</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98837" rel="alternate"/>
<author>
<name>Приходько, В.И.</name>
</author>
<author>
<name>Турбин, П.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98837</id>
<updated>2016-04-19T00:02:28Z</updated>
<published>2007-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Описание спиральных магнитных проводников на основе ферми-жидкостной модели
Приходько, В.И.; Турбин, П.В.
Рассмотрена ферми - жидкостная модель магнитных проводников [2, 3], учитывающая взаимодействие s-электронов (электронов проводимости) и атомов с незаполненными оболочками (d, f, ... - электроны), обладающих локализованными магнитными моментами.; Розглянуто фермі - рідинна модель магнітних провідників [2, 3], що враховує взаємодію s-електронів (електронів провідності) і атомів з незаповненими оболонками (d, f, ... - електрони), що володіють локалізованими магнітними моментами.; The fermi-liquid model of magnetic conductors [2, 3], wich is taking into account the interaction between s-electrons (electrons conductivity) and atoms with the empty levels (d, f, ... - electrons) wich prosses the localized magnetic moments was considered.
</summary>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Образование полупроводниковой наноструктуры на поверхности аустенитной стали</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98836" rel="alternate"/>
<author>
<name>Нестеренко, С.В.</name>
</author>
<author>
<name>Джелали, В.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98836</id>
<updated>2016-04-19T00:02:15Z</updated>
<published>2007-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Образование полупроводниковой наноструктуры на поверхности аустенитной стали
Нестеренко, С.В.; Джелали, В.В.
С помощью электрохимических исследований показано, что на межфазных границах&#13;
 10Х20Н9Г6/H₂SO₄  – 1 М, легированных x% масс. Y, при различных температурах существует&#13;
 полупроводниковый слой n-типа, обеспечивающий повышение коррозионной стойкости. Анализ импедансных данных в рамках теории Мотта-Шоттки указывает, что для данной системы&#13;
 полупроводниковая пленка вырождена, концентрация легирующей примеси ND превышает&#13;
 1⋅10²⁷ м⁻³ и поэтому распределение носителей заряда подчиняется статистике Ферми-Дирака.&#13;
 Микроструктурные исследования, определение микрохимической неоднородности, состава и&#13;
 распределения НВ в наплавленном металле выполняли с помощью электронных микроскопов&#13;
 “Comebаx” фирмы “Comeсa” и “Comscan-4” с приставкой для микрорентгеноспектрального&#13;
 анализа “Link System 860”. Определение состава пассивных пленок проводили с помощью&#13;
 метода электронной ОЖЕ-спектроскопии на спектрометре JAMP-10S фирмы JEOL.&#13;
 Установлено, что сварные швы, микролегированные РЗМ, обладают в 3 – 4 раза большей коррозионной стойкостью по сравнению со сварными швами, полученными с помощью серийных&#13;
 электродов.; Внаслідок електрохимічних досліджень було показано, що на міжфазових межах 10Х20Н9Г6/&#13;
H₂SO₄ – 1M, що бyли легіровані х% за масою Y,&#13;
 при різних температурах існує напівпровідниковий шар n-типу, що забезпечує підвищення корозійної стійкості. Аналіз даних імпедансу в рамках&#13;
 теорії Мотта-Шотткі свідчить, що для даної системи напівпровідникова плівка є виродженою,&#13;
 концентрація легіруючої домішки ND перевищує&#13;
 1⋅10²⁷м⁻³, і тому розподіл носіїв заряду підкоряється статистиці Фермі-Дірака. Мікроструктурні&#13;
 дослідження, визначення мікрохимічної нерівномірності, складу та розподілу НВ у наплавленому&#13;
 металі виконували за допомогою електронних&#13;
 мікроскопів “Comebax” фірми “Comeca” та&#13;
 “Comscan-4” з пристрієм для мікрорентгеноструктурних аналізів “Link System 860”. Визначення складу пасивних плівок проводили за допомогою методу електронної Оже-спектроскопії&#13;
 на спектрометрі “JAMP-10S” фірми “JEOL”.&#13;
 Було встановлено, що зварювальні шви, що були&#13;
 мікролегіровані РЗМ, мають в 3 – 4 рази більшу&#13;
 корозійну стійкість в порівняннізізварювальними швами, що були виготовлені за допомогою&#13;
 серійних електродів.; The thesis is paper to investigation of welds corrosion&#13;
 resistance of austenitic chrome-nickel (18-8) and&#13;
 chrome-nickel-molybdenum (18-8-2) stainless steel&#13;
 samples. The welds were micro-alloyed with rareearth&#13;
 metals (REM) and their compounds. Investigation&#13;
 has shown that the metal anodic solution was&#13;
 hindered and metal passivation occured more readily&#13;
 when welds were micro-alloyed by Y and/or its&#13;
 compounds and by complex mixture of Y and Ce. It&#13;
 was established that auto solution currents after full&#13;
 passivation REM-containing Cr-Ni-Mo metal are&#13;
 smaller than it has been observed for initial variant.&#13;
 Yttrium optimal content was 0,0025 – 0,0032&#13;
 mass.%.A structural change leads to the micro-chemical&#13;
 heterogeneity decrease (especially for samples&#13;
 with Ni and Cr) and ensures continuous formation&#13;
 of passive protective films enriched with REM. The&#13;
 analysis of dependences Cω→∞^−2 = f(Е) were with usage&#13;
 of the theory Mott-Schottka’s and Grilikhes’s&#13;
 approach enabled to show that implantation Y in the&#13;
 chrome-nickel alloy converts its surface layer into&#13;
 the semi-conductor state. This remarkable fact leads&#13;
 to more uniform electrode potential distribution on&#13;
 metal surface of the welding compound and hinders&#13;
 local corrosion development.
</summary>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Формування гетерофазних наноструктур на основі селеніду індію, їх фізичні властивості та можливості практичного застосування</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98835" rel="alternate"/>
<author>
<name>Войтович, С.А.</name>
</author>
<author>
<name>Григорчак, І.І.</name>
</author>
<author>
<name>Аксіментьєва, О.І.</name>
</author>
<author>
<name>Міцов, М.М.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98835</id>
<updated>2016-04-19T00:02:02Z</updated>
<published>2007-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Формування гетерофазних наноструктур на основі селеніду індію, їх фізичні властивості та можливості практичного застосування
Войтович, С.А.; Григорчак, І.І.; Аксіментьєва, О.І.; Міцов, М.М.
Отримано наноструктури селеніду індію, з включенням нанопрошарків нітриду натрію та наступним заміщенням їх на електроактивні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості,тангенса кута втрат та параметрів домішкового енергетичного спектру; Получены наноструктуры селенида индия, с&#13;
включением нанослоев нитрида натрия и последующим замещением их на электроактивные&#13;
полимерные прослойки. Проанализировано изменение частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости,&#13;
тангенса угла потерь и параметров примесного&#13;
энергетического спектра.; In Se nanostructures with NaNO2&#13;
 nanolayers impurities&#13;
and their sequent substitution by electroactive&#13;
polymer layers were obtained. The variation&#13;
of frequency dependence of the specific resistance,&#13;
the permittivity, the tangent of loss angle and impurity&#13;
energetic spectrum parameters has been&#13;
studied.
</summary>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>One-beam dynamic ion mixing applied to coat elements onto sophistically shaped objects</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98834" rel="alternate"/>
<author>
<name>Boyko, E.B.</name>
</author>
<author>
<name>Komarov, F.F.</name>
</author>
<author>
<name>Jukowski, P.</name>
</author>
<author>
<name>Karwat, C.</name>
</author>
<author>
<name>Kolasik, M.</name>
</author>
<author>
<name>Kozak, C.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98834</id>
<updated>2016-04-19T00:02:12Z</updated>
<published>2007-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">One-beam dynamic ion mixing applied to coat elements onto sophistically shaped objects
Boyko, E.B.; Komarov, F.F.; Jukowski, P.; Karwat, C.; Kolasik, M.; Kozak, C.
Recently suggested single-ion-beam setup for ion-beam assisted deposition (IBAD) of layers with&#13;
various composition including the sputter target in a form of hollow truncated cone made of the&#13;
material to be deposited allows the use of a single ion beam (e.g., noble gas) for simultaneous layer&#13;
deposition and ion-beam mixing. Such a setup can also be applied for coating deposition on the&#13;
surfaces having sophisticated geometric shape. In the present work single-beam IBAD was used for&#13;
deposition of Ni and Mo coatings onto the surface of ball fingers. The Rutherford backscattering was&#13;
used for evaluating the coating thickness distributions along the spherical surface of the aluminium&#13;
ball fingers. It is shown that the results can be explained in terms of space distribution of the sputtered&#13;
atoms inside the conical target.; Запропоновано систему з одним іонним пучком&#13;
для іонно-асистуємого нанесення (ІАН) шарів&#13;
різної композиції, яка включає мішень, що розпорошується, у формі усіченого порожнього конуса, виготовленого з матеріалу, що буде наноситися. У цій системі одночасно реалізується як&#13;
нанесення шару, так і іонно-променеве перемішування його з підкладинкою. Така система&#13;
може використовуватися і для нанесення покриттів на вироби довільної геометричної форми. У&#13;
цій роботі однопучкове ІАН застосовувалося для&#13;
осадження шарів Ni і Mo на поверхню алюмінієвих кульових пальців. За допомогою зворотного резерфордівського розсіювання іонів He+&#13;
визначався розподіл товщини покриття уздовж&#13;
сферичної поверхні кульових пальців. Показано,&#13;
що отримані результати можна пояснити на основі даних по просторовому розподілі рос-пилених атомів усередині полою конічної мішені.; Предложена система с одним ионным пучком для&#13;
 ионно-ассистируемого нанесения (ИАН) слоев&#13;
 различной композиции, которая включает распыляемую мишень в форме усеченного полого&#13;
 конуса, изготовленного из материала, который будет наноситься. В этой системе одновременно реализуется как нанесение слоя, так и ионно-луче-&#13;
 вое перемешивание его с подложкой. Такая система может использоваться и для нанесения покрытий на изделия произвольной геометрической&#13;
 формы. В настоящей работе однопучковое ИАН&#13;
 применялось для осаждения слоев Ni и Mo на&#13;
 поверхность алюминиевых шаровых пальцев. С&#13;
 помощью обратного резерфордовского рассеяния&#13;
 ионов He+ определялось распределение толщины&#13;
 покрытия вдоль сферической поверхности шаровых пальцев. Показано, что полученные результаты можно объяснить с точки зрения пространственного распределения распыленных атомов внутри полой конической мишени.
</summary>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
