Физическая инженерия поверхности, 2005, № 3-4

Правила оформления статей

2016-04-18T00:02:53Z

Правила оформления статей

Дисперсные поглотители электромагнитных волн

2016-04-18T00:02:21Z

Дисперсные поглотители электромагнитных волн Широков, Б.М.; Корж, А.Ф. В работе представлены результаты расчетов различных конструкций дисперсных структур, в которых дисперсная фракция помещенная, в диэлектрическую матрицу, представляет собой микрочастицы, на поверхность которых нанесено металлическое покрытие. Такие искусственные материалы могут быть использованы как поглотители электромагнитной энергии.; У роботі наведено результати розрахунків різноманітних конструкцій дисперсних структур, в яких дисперсна фракція, поміщена в діелектричну матрицю, являє собою мікрочастинки, на поверхні яких нанесено металеве покриття. Такі штучні матеріали можуть бути використані, як вбирачі електромагнітної енергії.; The results of calculations for different disperse structures, in which disperse fraction located in dielectric matrix represents macro-particles with metallic coating deposited on their surface, are presented in the paper. Such artificial materials can be used as electro-magnetic energy absorbers.

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

2016-04-18T00:02:22Z

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Ёдгорова, Д.М. В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.; У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.; In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is.

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe

2016-04-18T00:02:22Z

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Каримов, М.А.; Юлдашев, Н.Х. Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In⁺ⁱ и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки.; Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки.; It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process.