<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физическая инженерия поверхности, 2004, №1-2</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69728" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69728</id>
<updated>2026-05-07T06:12:19Z</updated>
<dc:date>2026-05-07T06:12:19Z</dc:date>
<entry>
<title>Титульная страница и содержание</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98751" rel="alternate"/>
<author>
<name/>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98751</id>
<updated>2016-04-18T00:02:34Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Титульная страница и содержание
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Рассеяние волноводной волны на запредельном участке с феррито-диэлектрическим резонатором</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98637" rel="alternate"/>
<author>
<name>Мизерник, В.Н.</name>
</author>
<author>
<name>Пятак, Н.И.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98637</id>
<updated>2016-04-17T00:03:24Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Рассеяние волноводной волны на запредельном участке с феррито-диэлектрическим резонатором
Мизерник, В.Н.; Пятак, Н.И.
Проведен анализ частотных характеристик базового элемента СВЧ устройств - запредельного прямоугольного волновода с феррито-диэлектрическим резонатором. Разработан алгоритм численного решения исходной задачи при произвольных параметрах структуры.; Проведено аналіз частотних характеристик базового елементу НВЧ пристроїв - позамежного прямокутного хвилеводу з ферито-діелектричним резонатором. Розроблено алгоритм чисельного рішення вихідної завдання при довільних параметрах структури.; The analysis of the frequency characteristics of the base element of the microwave devices - the beyond of a rectangular waveguide with a ferrite-dielectric resonator. An algorithm for the numerical solution of the initial problem for arbitrary parameters of the structure.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Некоторые аспекты повышения стойкости рабочих поверхностей трения</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98488" rel="alternate"/>
<author>
<name>Береснев, В.М.</name>
</author>
<author>
<name>Толок, В.Т.</name>
</author>
<author>
<name>Гриценко, В.И.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98488</id>
<updated>2020-11-10T20:02:11Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Некоторые аспекты повышения стойкости рабочих поверхностей трения
Береснев, В.М.; Толок, В.Т.; Гриценко, В.И.
В работе установлено, что главное функциональное свойство покрытие – его адгезионная активность&#13;
по отношению к обрабатываемому материалу. На основе конфигурационной модели вещества (КМВ)&#13;
показано, что для повышения таких свойств TiN, ZrN, как адгезионная инертность, эти соединения целесообразно легировать небольшим количеством металла, имеющих большой статический вес атомов&#13;
со стабильной конфигурацией (СВАСК) spі и d-конфигураций. Показано, что легирование TiN d-металлом (Nb) с большим, чем у титана количеством электронов d-уровне оказывает существенное&#13;
влияние на адгезионную активность покрытия.; У роботі встановлено, що головна функціональна&#13;
властивість покриття – його адгезійна активність стосовно оброблюваного матеріалу. На основі конфігураційної моделі речовини (КМВ) показано, що для&#13;
підвищення таких властивостей TіN, ZrN, як адгезійна&#13;
інертність, ціз’єднання доцільно легувати невеликою&#13;
кількістю металу, що мають велику статичну вагу&#13;
атомів із стабільною конфігурацією (СВАСК) sp3 та&#13;
d-конфігурацій. Показано, що легування TіN d-металом (Nb) із більшим, ніж у титана кількістю&#13;
електронів d-рівня впливає на адгезійну активність&#13;
покриття.; The papers еstablishment, the chief thing functional&#13;
property to cover – his adhesion activity with respects&#13;
on working materials. On foundation configurationally&#13;
localization model (CLM ), showing as far as to&#13;
increase quality TiN, ZrN, as adhesion inertness,&#13;
compound eхpe-diency to alloy small quantity metal,&#13;
of available large static’s weight atomicity stable&#13;
configuration (LWASC) spі and d-configuration.&#13;
Showing of a alloy TiN d- metal (Nb)as large be than&#13;
titanium quantity electron d-level to influence essential&#13;
influence on the adhesion active covering.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98487" rel="alternate"/>
<author>
<name>Богатыренко, С.И.</name>
</author>
<author>
<name>Гладких, Н.Т.</name>
</author>
<author>
<name>Дукаров, С.В.</name>
</author>
<author>
<name>Крышталь, А.П.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98487</id>
<updated>2016-04-16T00:01:38Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
Богатыренко, С.И.; Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Крышталь, А.П.
Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут&#13;
– германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении&#13;
их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается&#13;
с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры&#13;
Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и&#13;
краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке.; Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної&#13;
конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення&#13;
в указаній системізнижується зізменшенням товщини&#13;
плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний&#13;
метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε&#13;
= 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К)&#13;
та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих&#13;
плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці .; The results of studies of melting and crystallization processes&#13;
in Bi-Ge layered film system are presented. These&#13;
systems were prepared by subsequent condensation of&#13;
components in vacuum. It has been shown that the melting&#13;
temperature in system under study decreases with the&#13;
decrease of Bi film thickness. The differential technique&#13;
used for melting temperature registration enables us to&#13;
measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in&#13;
the system. The values of supercooling upon crystallization&#13;
(∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been&#13;
determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
