http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69654 2026-04-12T19:36:04Z 2026-04-12T19:36:04Z Чернышов, Н.Н. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98936 2016-04-20T00:02:37Z 2012-01-01T00:00:00Z

Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии Чернышов, Н.Н. В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю.; У роботі отдержано за електричним полем поправку до струму, пов'язану з відсутністю центра інверсії кристала, розглянуто випадок не виродженого електричного газу. Якісно статичний розрахунок показано моделлю асиметричних розсіювачів. Циркулярний фотогальванічний ефект в цьому розрахунку відсутній і поле може вважатися дійсним. Оскільки рішення задачі розглядається за рамками Борновскі наближення, підставою є метод квантового кінетичного управління. Спочатку було отримано кінетичне управління з урахуванням поправок до борнове наближення, потім воно вирішувалося ітераціями по непарному інтегралу зіткнень. Розгляд велося в довільному порядку по електричному полю.; In work the amendment to a current, connected with absence of the center of inversion of a crystal is received on an electric field, the case not clear electric gas is considered. Qualitatively static calculation it is shown by model asymmetric the allocator. The circular photogalvanic effect in this calculation is absent also a field can be considered valid. As the decision of a problem is examined behind frameworks of the Born approximation, the basis is the method of the quantum kinetic equation. In the beginning the kinetic equation has been received in view of amendments to the Born approximation, then it was solved iterations on odd integral of collisions. Consideration was conducted in the any order on an electric field.

2012-01-01T00:00:00Z Колесников, Д.А. Грудницкий, В.В. Гриценко, В.И. Дручинина, О.А. Кирик, Г.В. Махмуд, А.М. Турбин, П.В. Маликов, Л.В. Прозорова, М.С. Сердюк, И.В. Рудюк, А.М. Береснева, Е.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98935 2016-04-20T00:02:35Z 2012-01-01T00:00:00Z

Механические и триботехнические свойства нанокомпозитных покрытий Ti-Hf, (Ti-Hf)N и (Ti-Hf-Si)N, полученных вакумно-дуговым осаждением Колесников, Д.А.; Грудницкий, В.В.; Гриценко, В.И.; Дручинина, О.А.; Кирик, Г.В.; Махмуд, А.М.; Турбин, П.В.; Маликов, Л.В.; Прозорова, М.С.; Сердюк, И.В.; Рудюк, А.М.; Береснева, Е.В. Исследованы триботехнические и механические свойства защитных нанокомпозитных покрытий, синтезированных вакуумно-дуговым методом с применением ВЧ стимуляции на основе Ti, Hf, Si и N. Показано, что применение в качестве легирующего элемента кремния повышает твердость покрытий, а также совершенствует их триботехнические характеристики.; Досліджені триботехнічні та механічні властивостізахисних нанокомпозитних покриттів, синтезованих вакуумно-дуговим методом із застосуванням ВЧ стимуляції на основі Ti, Hf, Si і N. Встановлено, що застосування легуючого елементу кремнію підвищує твердість покриттів, а також удосконалює їх триботехнічні характеристики.; Tribological and mechanical properties of nanocomposite protective coatings synthesized by vacuumarc method by application of high frequency stimulation on the basis of Ti, Hf, Si and N. It is shown that application as an alloying element silicon increases the hardness of coatings, as well as improving their tribological characteristics.

2012-01-01T00:00:00Z Сичікова, Я.О. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98934 2016-04-20T00:02:32Z 2012-01-01T00:00:00Z

Дослідження дефектної структури фосфіду індію за ямками травлення Сичікова, Я.О. В роботі встановлено вплив дефектів на пороутворення фосфіду індію, основні спостереження зроблено на основі аналізу ямок травлення, які утворюються під час електрохімічної обробки кристалу. Основний метод спостереження – растрова електронна мікроскопія, дозволив простежити дефектну структуру кристалу за формою та розміром ямок травлення.; В работе установлено влияние дефектов на порообразование фосфида индия, основные наблюдения сделаны на основе анализа ямок травления, которые образовываются во время электрохимической обработки кристалла. Основной метод наблюдения – растровая электронная микроскопия, разрешил проследить дефектную структуру кристалла по форме и размером ямок травления.; Influence of defects is in process set on порообразование of phosphide of indium, basic supervisions are done on the basis of analysis of fossils etch that appear during electrochemical treatment of crystal. Basic method of supervision – raster electronic microscopy, let to trace the imperfect structure of crystal in due form and measuring fossils of etch.

2012-01-01T00:00:00Z Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98933 2016-04-20T00:02:31Z 2012-01-01T00:00:00Z

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Мирсагатов, Ш.А.; Музафарова, С.А.; Ачилов, А.С.; Мовлонов, А.А. В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.; У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації.; In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating.

2012-01-01T00:00:00Z