http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69653 2026-04-09T18:48:47Z 2026-04-09T18:48:47Z Рахматов, А.З. Каримов, А.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101888 2016-06-09T00:02:33Z 2012-01-01T00:00:00Z

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах Рахматов, А.З.; Каримов, А.В. На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) аппроксимируется прямой линией и по сути она очень близка к известной формуле для времени жизни неосновных носителей заряда при больших концентрациях ловушек τp = τp0(1 + Nсм/n0). При этом зависимость Kτ от флюенса нейтронов вероятнее всего определяется уменьшением концентрации основных носителей под воздействием облучения.; На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R² = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення.; Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ (Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R² = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majoritycarriers under irradiation.

2012-01-01T00:00:00Z Долгов, А.С. Валуйская, А.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101887 2016-06-09T00:02:36Z 2012-01-01T00:00:00Z

Неоднородные распределения в моноатомном слое в условиях осаждения извне Долгов, А.С.; Валуйская, А.В. Теоретически изучаются особенности осаждения атомов на поверхность. Предполагается, что условия осаждения обеспечивают формирование только одного слоя. Основное внимание уделяется особенностям микрораспределений в монослое и влияние этих особенностей на свойства поверхности. Анализируется возможность реализации мезо- и макронеоднородностей моноатомной пленки в условиях однородного внешнего воздействия. Выявлены условия возникновения неоднородностей. Показано, что варьирование интенсивности внешнего воздействия и температуры сопровождается качественными перестройками поверхностного монослоя.; Теоретично вивчаються особливості осадження атомів на поверхню. Передбачається, що умови осадження забезпечують формування лише одного шару. Головним чином увага звертається на особливості мікророзподілів в межах моношару та вплив цих особливостей на властивості поверхні. Аналізується можливість реалізації мезо- і макронеоднорідностей моноатомної плівки в умовах однорідного зовнішнього впливу. Виявлено умови виникнення неоднорідностей. Показано, що варіювання інтенсивності зовнішнього впливу і температури супроводжується якісними перебудовами поверхневого моношару.; Peculiarities of atom sedimentation onto the surface are theoretically explored. It is assumed that sedimentation conditions provide formation of only one layer. Main prominence is given to the peculiarities of microdistributions in monolayer and their influence on surface properties. Possibility of meso- and macroinhomogeneities realization within monatomic film under homogeneous external influence is analyzed. Conditions of inhomogeneities occurrence are revealed. It is shown that the variation of the intensity of external influence and temperature is accompanied by a qualitative rear-rangement of the surface monolayer.

2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101886 2016-06-09T00:02:28Z 2012-01-01T00:00:00Z

Тематические направления

2012-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/101885 2016-06-09T00:02:29Z 2012-01-01T00:00:00Z

Правила оформления рукописей

2012-01-01T00:00:00Z