http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69647 2026-04-09T12:55:41Z 2026-04-09T12:55:41Z Храновська, К.М. Мазанко, В.Ф. Іващенко, Є.В. Лобанова, Г.Г. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98919 2016-04-20T00:02:14Z 2010-01-01T00:00:00Z

Вплив середовища легування та додаткового азотування на мікротвердість, структуру та фазовий склад залізної підкладинки Храновська, К.М.; Мазанко, В.Ф.; Іващенко, Є.В.; Лобанова, Г.Г. Досліджено вплив середовища електроіскрового легування та додаткового азотування на мікротвердість, мікроструктуру та фазовий склад приповерхневих шарів залізної підкладинки. Встановлено, що різна послідовність обробки між ЕІЛ та азотуванням дозволяє керувати положенням максимуму у приповерхневому шарі технічного заліза, що дає можливість обирати послідовність стадій із врахуванням умов експлуатації деталей та забезпеченням необхідної мікротвердості легованого шару. Поява максимумів мікротвердості пояснена формуванням дефектного шару та максимальною глибиною термічних напружень у залізі.; Исследовано влияние среды электроискрового легирования и дополнительного азотирования на микротвердость, микроструктуру и фазовый состав приповерхностных слоев железной подложки. Показано, что различная последовательность обработки между ЭИЛ и азотированием позволяет управлять положением максимума в приповерхностном слое технического железа, что дает возможность выбирать последовательность стадий с учетом условий эксплуатации деталей и обеспечением необходимой микротвердости легированного слоя. Появление максимумов микротвердости объясняется формированием дефектного слоя и максимальной глубиной термических напряжений в железе.; Influence of environment at electric-spark alloying and additional nitration on microhardness, microstructure and phase composition of near-surface layers of iron substrate are investigated. Established that various processing sequence between electric-spark alloying and nitration allows managing the location of maximum in a near-surface layer of technical iron, which gives an opportunity to choose the sequence of stages, taking into account the exploiting conditions of details and providing the necessary microhardness of doped layer. The emergence of microhardness highs explained by the formation of defective layer and by maximum depth of thermal stresses in iron. Keywords: additional nitration, electric-spark alloying, microhardness, technical iron.

2010-01-01T00:00:00Z Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98918 2016-04-20T00:02:13Z 2010-01-01T00:00:00Z

Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках Атакулов, Ш.Б.; Зайнолобидинова, С.М.; Отажонов, С.М.; Тухтаматов, О.А. В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов.; У моделі, яка припускає захоплення електронів провідності, на поверхневі стани границь зерен у полікристалах напівпровідників, розрахована прозорість потенційного бар’єра. Задача вирішена для випадків невирожденої та вирожденої статистики електронів.; In the model suggested capture conductivity electrons on grain boundaries surface states in polycrystals of the semiconductors calculated potential barrier penetrability. The problem is solved for no degenerated and degenerated cases of the electrons statistic.

2010-01-01T00:00:00Z Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98917 2016-04-20T00:02:24Z 2010-01-01T00:00:00Z

Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством Ахмадалиев, Б.Ж.; Каримов, М.А.; Полвонов, Б.З.; Юлдашев, Н.Х. Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см.; Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe, CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см.; Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered. In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence, conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.

2010-01-01T00:00:00Z Борисенко, Ю.Н. Береснев, В.М. Литовченко, С.В. Шевцов, А.Б. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98916 2016-04-20T00:02:12Z 2010-01-01T00:00:00Z

Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения Борисенко, Ю.Н.; Береснев, В.М.; Литовченко, С.В.; Шевцов, А.Б. Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это объясняется выходом на границу раздела внедрённого в подложку водорода. В ходе статистической обработки микроинтерферограмм поверхности плёнки проведен расчёт силовой и энергетической характеристик адгезии плёнок к подложкам, а также получено уравнение кинетики роста пузыря на границе раздела и проделана оценка газокинетических характеристик.; Досліджено вплив опромінення протонами на газовиділення в тонкоплівковій системі. З’ясовано, що протонне опромінення ініціює утворення на границі розподілу плівка-підкладинка дрібних сферичних утворень, розміри яких зростають зі зростанням дози. Це пояснюється виходом на границю розподілу водню, прониклого в підкладинку. Статистична обробка мікроінтерферограм поверхні плівки дозволила розрахувати силову та енергетичну характеристики адгезії плівок до підкладинок, а також отримати рівняння кінетики росту пузиря на границі розподілу та зробити оцінку газокінетичних характеристик.; The processes of the stimulated gas release and gas blister growth are investigated at an interface of thin-film systems. The relationship of these processes to the adhesion of a system is established. A method to determine the adhesion and to compute the adhesion characteristics in the film-substrate system is described. Using the results of this study carried out a series of practical approaches is proposed to measure the adhesion of thin films to substrates with the method of stimulated gas release.

2010-01-01T00:00:00Z