http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/69644 2026-04-09T12:55:41Z 2026-04-09T12:55:41Z Стервоедов, А.Н. Береснев, В.М. Сергеева, Н.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98851 2016-04-19T00:02:23Z 2010-01-01T00:00:00Z

Особенности применения рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины ультратонких пленок Стервоедов, А.Н.; Береснев, В.М.; Сергеева, Н.В. В работе на примере измерения параметров ультратонких (3 – 5 нм) TiNx пленок показана возможность использования рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины и сплошности пленок наноразмерной толщины. Пленки TiNx были получены на кремнии методом слаботочного ионно-лучевого распыления титановой мишени в атмосфере азота. Показаны преимущества метода РФЭС по сравнению с другими распространенными методами исследования поверхности твердого тела, описана методика измерения толщины ультратонких пленок.; У роботі на прикладі вимірювання параметрів ультратонких (3 – 5 нм) TiNx плівок показана можливість використання рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення товщини і суцільності плівок нанорозмірної товщини. Плівки TiNx були отримані на кремнії методом слаботочного іонно-променевого розпилення титанової мішені в атмосфері азоту. Показано переваги методу РФЕС в порівнянні з іншими поширеними методами дослідження поверхні твердого тіла, описана методика вимірювання товщини ультратонких плівок.; In the current paper, the example of measuring the parameters of ultrathin (3 – 5 nm) TiNx films demonstrates the possibility of using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for determination the thickness and continuity of the films of nanoscale thickness. TiNx films were obtained on silicon by the low-current ion-beam sputtering of titanium target in a nitrogen atmosphere. The advantages of XPS method in comparison with other common methods of solid surface analysis are shown. The method of measuring the thickness of ultrathin films by XPS was described in details.

2010-01-01T00:00:00Z Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98850 2016-04-19T00:02:22Z 2010-01-01T00:00:00Z

Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А.; Кидалов, В.В.; Сукач, Г.А. Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов.; Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів.; The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials.

2010-01-01T00:00:00Z Павлов, А.М. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98849 2016-04-19T00:02:21Z 2010-01-01T00:00:00Z

Влияние процессов кластеризации в газах на скорость звука и его поглощение Павлов, А.М. В статье доказывается, что процессы кластеризации газа влияют на показатель адиабаты и скорость звука в нем. Формула, полученная для отношения теплоемкостей, содержит энергию связей димеров и тримеров, концентрацию мономеров и множитель, связанный с частотой звуковой волны. Отсюда видно, что и показатель адиабаты и скорость звука, а также его поглощение должны зависеть как от частоты колебания, так и от степени кластеризации.; У статті доводиться, що процеси кластерізації газу впливають на показник адіабати і швидкість звуку в ньому. Формула, отримана для відношення теплоємкостей, містить енергію зв’язків димерів і тримерів, концентрацію мономерів і множник, пов’язаний із частотою звукової хвилі. Звідси видно, що й показник адіабати й швидкість звуку, а також його поглинання повинні залежати як від частоти коливання, так і від ступеня кластерізації.; It is proved that the processes of clustering effect on the gas adiabatic index and the speed of sound in it. The formula obtained for the ratio of specific heats contains the energy of the dimmer and trimmer, monomer concentration and the factor associated with the frequency of the sound wave. This shows that the adiabatic index and the speed of sound, as well as its absorption should depend on the frequency of oscillations, and the degree of clustering.

2010-01-01T00:00:00Z Абдурахманов, Б.М. Олимов, Л.О. Абдуразаков, Ф. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/98848 2016-04-19T00:02:21Z 2010-01-01T00:00:00Z

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда Абдурахманов, Б.М.; Олимов, Л.О.; Абдуразаков, Ф. Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния.; Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної залежності питомого опору полікристалічного кремнію.; Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon.

2010-01-01T00:00:00Z