<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физика и техника высоких давлений, 2009, № 2</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5967" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5967</id>
<updated>2026-04-05T16:01:09Z</updated>
<dc:date>2026-04-05T16:01:09Z</dc:date>
<entry>
<title>Atomistic models for R1–xPrxBa2Cu3O7–δ (R = Y and lanthanides) and related oxides</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5990" rel="alternate"/>
<author>
<name>Chroneos, A.I.</name>
</author>
<author>
<name>Goulatis, I.L.</name>
</author>
<author>
<name>Vovk, R.V.</name>
</author>
<author>
<name>Zavgorodniy, A.A.</name>
</author>
<author>
<name>Obolenskii, M.A.</name>
</author>
<author>
<name>Petrenko, A.G.</name>
</author>
<author>
<name>Samoilov, A.V.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5990</id>
<updated>2010-02-15T10:01:24Z</updated>
<published>2009-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Atomistic models for R1–xPrxBa2Cu3O7–δ (R = Y and lanthanides) and related oxides
Chroneos, A.I.; Goulatis, I.L.; Vovk, R.V.; Zavgorodniy, A.A.; Obolenskii, M.A.; Petrenko, A.G.; Samoilov, A.V.
We report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed.; Атомістичні методи імітаційного моделювання, основані на принципі мінімізації енергії, використані для вивчення структурних параметрів ряду орторомбічних R1–xPrxBa2Cu3O6.5 і пов'язаних з ними сполук. Нові міжатомні потенційні параметри взаємодії одержані для широкого діапазону оксидів, таких як CuO, R2O3, RBa2Cu3O6.5 і R1–xPrxBa2Cu3O6.5 (всього 62 сполуки). Одержані дані знаходяться в доброму узгoдженні з попередніми результатами експериментальних і теоретичних досліджень. Мета даної роботи – прогнозування решіточних потенціалів взаємодії, що можуть бути надалі використані як основа для теоретичного вивчення дефектної хімії надпровідних купратів та інших технологічно важливих оксидів.
</summary>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Вопросы неравновесной термодинамики дефектов</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5989" rel="alternate"/>
<author>
<name>Метлов, Л.С.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5989</id>
<updated>2010-02-15T10:01:07Z</updated>
<published>2009-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Вопросы неравновесной термодинамики дефектов
Метлов, Л.С.
Посредством фильтрации общее тепловое движение в задаче о вдавливании индентора в атомарный образец разбито на равновесную и неравновесную подсистемы. Установлено, что последняя состоит из низкочастотных колебательных пакетов и представляет собой акустическую эмиссию, возникающую вследствие динамических явлений в момент генерации дислокаций. Обнаружено, что энергия неравновесной подсистемы пополняется в момент генерации дислокаций и убывает вследствие рассеяния на высокочастотных колебаниях, переходя в равновесную подсистему. Путем осреднения кинетической энергии введен и исследован некоторый аналог температуры отдельно для равновесной и неравновесной подсистем.; За допомогою фільтрації загальний тепловий рух в задачі про втиснення індентора в атомарний зразок розбито на рівноважну та нерівноважну підсистеми. Встановлено, що остання складається з низькочастотних коливальних пакетів і являє собою акустичну емісію, яка виникає внаслідок динамічних явищ в момент генерації дислокацій. Знайдено, що енергія нерівноважної підсистеми поповнюється в момент генерації дислокацій і знижується внаслідок розсіяння високочастотних коливань, переходячи в рівноважну підсистему. Шляхом осереднення кінетичної енергії введено і досліджено деякий аналог температури окремо для рівноважної та нерівноважної підсистем.; In the problem on indenter forcing into a monatomic specimen, the total thermal motion has been subdivided by filtering into equilibriun and nonequilibrium subsystems. It has been determined that the nonequilibrium subsystem consists of low-frequency oscillatory packets and represents an acoustic emission resulting from dynamic phenomena at the moment of dislocation generation. It has been shown that the nonequilibrium-subsystem energy is replenished at the moment of dislocation generation and diminishes through scattering at high-frequency oscillations going then over into the equilibrium subsystem. By averaging the kinetic energy, a temperature analogue has been introduced and examined for equilibrium and nonequilibrium subsystems separately.
</summary>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Электронное строение одномерных наноструктур лития и калия</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5988" rel="alternate"/>
<author>
<name>Бутько, В.Г.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5988</id>
<updated>2010-02-15T10:00:40Z</updated>
<published>2009-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Электронное строение одномерных наноструктур лития и калия
Бутько, В.Г.
Методами теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры одномерных наноструктур лития и калия. Расчеты проведены с учетом оптимизации параметров наноструктур, найдены равновесные длины связей между атомами. Показано, что все рассматриваемые структуры обладают металлической проводимостью.; Методами теорії функціонала щільності виконано розрахунки зонної структури одномірних наноструктур літію і калію. Розрахунки проведено з урахуванням оптимізації параметрів наноструктур, знайдено рівноважні довжини зв'язків між атомами. Показано, що всі розглянуті структури володіють металевою провідністю.; Methods of the density functional theory have been used to calculate the band structure of unidimensional lithium and potassium nanostructures. The calculations were done in view of nanostructure parameters optimization, the equilibrium lengths of interatomic bonds were determined. It is shown that the considered structures possess metallic conductivity.
</summary>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Кристаллическая и магнитная структуры анион-дефицитного манганита La0.70Sr0.30MnO2.85 под действием высокого давления</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5987" rel="alternate"/>
<author>
<name>Труханов, С.В.</name>
</author>
<author>
<name>Козленко, Д.П.</name>
</author>
<author>
<name>Труханов, А.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/5987</id>
<updated>2010-02-15T10:01:07Z</updated>
<published>2009-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Кристаллическая и магнитная структуры анион-дефицитного манганита La0.70Sr0.30MnO2.85 под действием высокого давления
Труханов, С.В.; Козленко, Д.П.; Труханов, А.В.
Методом нейтронной дифракции исследованы магнитная и кристаллическая структуры манганита La0.70Sr0.30MnO2.85 в диапазоне давлений 0–5 GPa и температур 10–300 K. Обнаружено, что при температуре ниже Tf ~ 50 K формируется состояние спинового стекла. В отличие от манганитов Nd(Sm)0.50Ba0.50MnO3, в которых влияние высокого давления приводит к подавлению состояния спинового стекла и появлению ферромагнетизма, в La0.70Sr0.30MnO2.85 состояние спинового стекла является стабильным под давлением. Проанализированы причины формирования магнитной структуры анион-дефицитного La0.70Sr0.30MnO2.85.; Методом нейтронної дифракції досліджено магнітну і кристалічну структури манганіту La0.70Sr0.30MnO2.85 в діапазоні тиску 0–5 GPa і температур 10–300 K. Виявлено, що при температурі нижче Tf ~ 50 K формується стан спінового скла. На відміну від манганітів Nd(Sm)0.50Ba0.50MnO3, в яких вплив високого тиску призводить до пригнічення стану спінового скла і появи феромагнетизму, в La0.70Sr0.30MnO2.85 стан спінового скла є стабільним під тиском. Проаналізовано причини формування магнітної структури аніон-дефіцитного La0.70Sr0.30MnO2.85.; Magnetic and crystalline structures of manganite La0.70Sr0.30MnO2.85 have been studied by the neutron diffraction method in the 0–5 GPa pressure and 10–300 K temperature range. It has been determined that a spin-glass state is formed at a temperature below Tf ~ 50 K. In contrast to manganites Nd(Sm)0.50Ba0.50MnO3 where the application of high pressure results in suppression of spin-glass state and origination of ferromagnetism, in La0.70Sr0.30MnO2.85 the spin-glass state is stable under pressure. Reasons for what the magnetic structure of anion-deficient La0.70Sr0.30MnO2.85 is formed have been analysed.
</summary>
<dc:date>2009-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
