http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51750 2026-04-25T02:10:39Z 2026-04-25T02:10:39Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51770 2013-12-09T01:13:53Z 2011-01-01T00:00:00Z

Конференции

2011-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51769 2013-12-09T01:14:06Z 2011-01-01T00:00:00Z

Указатель статей, опубликованных в журнале в 2010 г.

2011-01-01T00:00:00Z Болтовец, Н.С. Мальцев, С.Б. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51768 2013-12-09T01:14:19Z 2011-01-01T00:00:00Z

Развитие полупроводниковых СВЧ-технологий в НИИ «Орион» (к пятидесятилетию НИИ «Орион») Болтовец, Н.С.; Мальцев, С.Б. В марте 2011 года исполняется 50 лет со дня основания научно-исследовательского института "Орион", одного из старейших институтов прикладной науки страны с богатыми традициями. Государственный научно-исследовательский институт "Орион", первоначально называвшийся Институтом радиотехнических проблем АН УССР, был создан в соответствии со специальным постановлением правительства в 1961 г. на базе Лаборатории токов высокой частоты Института электротехники АН УССР.

2011-01-01T00:00:00Z Катрунов, К.А. Лалаянц, А.И. Гальчинецкий, Л.П. Старжинский, Н.Г. Жуков, А.В. Галкин, С.Н. Брылёва, Е. Зеня, И.М. Трубаева, О.Г. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/51767 2013-12-09T01:13:59Z 2011-01-01T00:00:00Z

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения Катрунов, К.А.; Лалаянц, А.И.; Гальчинецкий, Л.П.; Старжинский, Н.Г.; Жуков, А.В.; Галкин, С.Н.; Брылёва, Е.; Зеня, И.М.; Трубаева, О.Г. Изучен процесс образования твердого раствора при спекании порошков ZnS и ZnTe, подобраны оптимальные соотношения исходных компонентов и режим синтеза, изучено влияние дополнительной термообработки на люминесцентные и сцинтилляционные свойства полученных материалов.; Визначено оптимальний технологічний режим утворення твердого розчину ZnS1–xTex у зоні 0,0 ≤ х ≤ 0,1. Показано, що використання водню при спіканні порошків призводить до більш ефективного утворення твердого розчину, завдяки протіканню хімічних реакцій, що призводять до руйнування шару ZnO. Подальший відпал в атмосфері Ar спричиняє збільшення світлового виходу, формування нової полоси випромінювання, зниження рівня післясвітіння та перебудову грат.; The optimal technological regime of formation ZnS1–xTex solid solution at spacing 0,0 ≤ х ≤ 0,1 has been determined, and has been shown that fritting in hydrogen atmosphere results in more rapid reaction in comparison to argon due to chemical-thermal etching the ZnO layer out. Further annealing in the inert Ar atmosphere leads to the increase of the light output, to the intensive emission band formation and causes afterglow level reduction and the crystalline lattice rearrangement.

2011-01-01T00:00:00Z