http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168180 2026-04-16T15:24:32Z 2026-04-16T15:24:32Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168196 2020-04-25T22:25:42Z 2018-01-01T00:00:00Z

Тематичні напрямки

2018-01-01T00:00:00Z Мисюра, І. Кононенко, С. Журенко, В. Калантар’ян, О. Скиба, Р. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168195 2020-04-24T22:25:36Z 2018-01-01T00:00:00Z

Вплив тривалого рентгенівського опромінення на структуру та електронні переходи поліського бурштину та кварцового скла Мисюра, І.; Кононенко, С.; Журенко, В.; Калантар’ян, О.; Скиба, Р. У роботі вивчався вплив довготривалого опромінення рентгенівськими квантами з енергіями до 60 кеВ на структуру та електронні переходи поліського бурштину та кварцового скла. Методом рентгенівського дифракційного аналізу встановлено, що зразки мають аморфну структуру без кристалічних включень. Тривале опромінення поліського бурштину та кварцового скла (поглинена доза до 2800 рентген) не призвело до помітних змін дифрактограм. Електронні переходи було досліджено методом оптичної спектроскопії. Спектр люмінесценції кварцового скла не змінювався під час рентгенівського опромінення на відміну від спектру бурштину. Інтенсивність світла, яке пов’язано з релаксацією електронного переходу в бурштині з енергією 2.7 еВ, суттєво зменшувалась, а для переходу з енергією 2.25 еВ – майже не змінювалася.; В работе изучалось влияние длительного облучения рентгеновскими квантами с энергиями до 60 кэВ на электронные переходы и структуру полесского янтаря и кварцевого стекла. Методом рентгеновского дифракционного анализа установлено, что образцы имеют аморфную структуру без кристаллических включений. Длительное облучение полесского янтаря и кварцевого стекла (поглощенная доза до 2800 рентген) не привело к заметным изменениям дифрактограм. Электронные переходы были исследованы методом анализа спектров люминесценции. Спектр люминесценции кварцевого стекла не менялся во время рентгеновского облучения в отличие от спектра янтаря. Интенсивность света, который связан с релаксацией электронного перехода в янтаре с энергией 2.7 эВ, существенно уменьшалась, а для перехода с энергией 2.25 эВ - почти не менялась.; The paper deals with the effect of long-term X-ray irradiation with energies up to 60 keV on the structure and electronic transitions of poleskiy amber and silica. X-ray diffraction analysis showed that the samples had an amorphous structure without crystalline inclusions. Long-time irradiation of poleskiy amber and silica samples (absorbed dose of up to 2800 roentgens) did not lead to noticeable changes in the X-ray diffraction patterns. Electronic transitions were studied by luminescence spectrum analysis. The luminescence spectrum of silica did not change during x-ray irradiation, in contrast to the amber case. The intensity of amber light, which is associated with relaxation of electronic transition with an energy of 2.7 eV, decreased substantially, while it almost did not change for the transition with an energy of 2.25 eV.

2018-01-01T00:00:00Z Хайдаров, З. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168194 2020-04-24T22:25:38Z 2018-01-01T00:00:00Z

Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда Хайдаров, З. Теоретически рассмотрены особенности плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности рассмотрена кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Рассмотрен более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а так же – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень.; Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка.; Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage.

2018-01-01T00:00:00Z Туркадзе, Н. Джабуа, З. Гигинеишвили, А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168193 2020-04-24T22:25:38Z 2018-01-01T00:00:00Z

Микротвердость пленок моноантимонида тербия Туркадзе, Н.; Джабуа, З.; Гигинеишвили, А. Исследована микротвердость тонких кристаллических пленок моноантимонида тербия, приготовленных на различных подложках: плавленый кварц, монокристаллический кремний, ситалл, сапфир. Пленки приготовлены методом дискретного вакуумно-термического испарения, предварительно синтезированного объемного материала. Проведено исследование микротвердости приготовленных пленок на ультрамикротвердомере DUH-211S с индентором Виккерса. Показана, что микротвердость пленок зависит как от глубины индентирования так и от материала подложки.; Досліджено мікротвердість тонких кристалічних плівок моноантимоніду тербію, приготовлених на різних підкладинках: плавлений кварц, монокристалічний кремній, ситалл, сапфір. Плівки приготовлені методом дискретного вакуумно-термічного випаровування, попередньо синтезованого об’ємного матеріалу. Проведено дослідження мікротвердості приготовлених плівок на ультрамікротвердомірі DUH-211S з індентором Віккерса. Доведено, що мікротвердість плівок залежить як від глибини індентування так і від матеріалу підкладинки.; The microhardness of the thin crystal films of monoantimonide of terbium prepared on various substrates is investigated: fused silica, monocrystal silicon, polycrystalline glass. sapphire. Films are prepared by method of discrete vacuum-thermal evaporation of the beforehand synthesized volume material. The research of a microhardness of the prepared films on an ultra microhardness gage of DUH-211S is conducted by Vikkers's indentor. It is shown that the microhardness of films depends both on depth of a dimpling and on substrate material.

2018-01-01T00:00:00Z