<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Журнал фізики та інженерії поверхні, 2018, № 1</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168179" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168179</id>
<updated>2026-04-16T15:24:32Z</updated>
<dc:date>2026-04-16T15:24:32Z</dc:date>
<entry>
<title>Тематические направления</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168189" rel="alternate"/>
<author>
<name/>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168189</id>
<updated>2020-04-24T22:25:33Z</updated>
<published>2018-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Тематические направления
</summary>
<dc:date>2018-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS»</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168188" rel="alternate"/>
<author>
<name>Бардашевська, С.Д.</name>
</author>
<author>
<name>Будзуляк, І.М.</name>
</author>
<author>
<name>Рачій, Б.І.</name>
</author>
<author>
<name>Будзуляк, С.І.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168188</id>
<updated>2020-04-24T22:25:34Z</updated>
<published>2018-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Отримання та властивості системи «нанопористий вуглецевий матеріал – квантові точки CdS»
Бардашевська, С.Д.; Будзуляк, І.М.; Рачій, Б.І.; Будзуляк, С.І.
Квантові точки (КТ) на сьогодні є об’єктами інтенсивних досліджень багатьох наукових груп. КТ напівпровідникових сполук A²B⁶ привертають особливу увагу завдяки можливості управляти розмірами КТ в процесі їх синтезу, що дає можливість отримати необхідні електронні і оптичні властивості.Успішне вирішення проблеми отримання КТ напівпровідникових матеріалів з відповідними контрольованими властивостями в значній мірі залежить від вибору середовища, в якому реалізується їх синтез. Інкапсуляція наночастинок або введення їх у хімічно інертну матрицю дає можливість не тільки ізолювати КТ від хімічно активного середовища, а й отримати систему наночастинок з певними заданими розмірами (розмірами пор матриці). Саме тому, перспективним матеріалом матриці є нанопористий вуглецевий матеріал (НВМ), який є хімічно інертним для більшості лугів і кислот, і в якому можна отримувати необхідні розміри пор для впровадження КТ.; Квантовые точки (КТ) на сегодня являются объектами интенсивных исследований многих научных групп. КТ полупроводниковых соединений A²B⁶ привлекают особое внимание благодаря возможности управлять размерами КТ в процессе их синтеза, дает возможность получить необходимые электронные и оптические свойства. Успешное решение проблемы получения КТ полупроводниковых материалов с соответствующими контролируемыми свойствами в значительной степени зависит от выбора среды, в которой реализуется их синтез. Инкапсуляция наночастиц или введение их в химически инертную матрицу дает возможность не только изолировать КТ от химически активной среды, но и получить систему наночастиц с определенными заданными размерами (размерами пор матрицы). Именно поэтому, перспективным материалом матрицы является нанопористый углеродный материал (НУМ), который является химически инертным для большинства щелочей и кислот, и в котором можно получать необходимые размеры пор для внедрения КТ.; Quantum dots (QDs) today are the objects of intense research of many scientific groups. QDs semiconductor compounds A²B⁶ attract special attention due to the ability to control the size of QDs in the process of their synthesis, which gives the opportunity to obtain the necessary electronic and optical properties. Successful solution to the problem of obtaining QDs semiconductor materials with appropriate controllable properties largely depends on the choice of environment in which their synthesis is realized. Encapsulation of nanoparticles or introducing them into a chemically inert matrix makes it possible not only to isolate QDs from a chemically active medium, but also to obtain a system of nanoparticles with certain given sizes (pore size matrices). For this reason, the promising material of the matrix is a nanoporous carbon material (NCM) that is chemically inert to most alkalis and acids, and in which it is possible to obtain the required pore sizes for the introduction of QDs.
</summary>
<dc:date>2018-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168187" rel="alternate"/>
<author>
<name>Быткин, С.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168187</id>
<updated>2020-04-24T22:25:33Z</updated>
<published>2018-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
Быткин, С.В.
В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного облучения. Показана возможность эффективного повышения радиационной стойкости ИМС, имеющих бимодальное распределение UOL до облучения.; В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією ≡ 5 МеВ при дії  γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення.; The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of ≡ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown.
</summary>
<dc:date>2018-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Принципы физической расшифровки изображений в сканирующей микроволновой микроскопии</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168186" rel="alternate"/>
<author>
<name>Гордиенко, Ю.Е.</name>
</author>
<author>
<name>Левченко, А.В.</name>
</author>
<author>
<name>Щербань, И.Н.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/168186</id>
<updated>2020-04-24T22:25:31Z</updated>
<published>2018-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Принципы физической расшифровки изображений в сканирующей микроволновой микроскопии
Гордиенко, Ю.Е.; Левченко, А.В.; Щербань, И.Н.
В работе численно исследуются приёмы построения изображений в СММ, обеспечивающие визуализацию профилей распределения физических параметров объекта в приповерхностной области. Показано, что изображение фундаментальных сигналов изменения резонансной частоты и добротности резонаторного сканирующего зонда далеко не всегда соответствуют профилю указанных параметров. Для обеспечения такого соответствия предлагается реконструировать изображение этих сигналов на основе аналитической аппроксимации соответствующих характеристик преобразования зонда и формирования оптимального пакета сигналов.; В роботі чисельно досліджуються прийоми побудови зображень в СММ, що забезпечують візуалізацію профілів розподілу фізичних параметрів об'єкта в приповерхневій області. Показано, що зображення фундаментальних сигналів зміни резонансної частоти і добротності резонатора скануючого зонда далеко не завжди відповідають профілю зазначених параметрів. Для забезпечення такої відповідності пропонується реконструювати зображення цих сигналів на основі аналітичної апроксимації відповідних характеристик перетворення зонда і формування оптимального пакету сигналів.; In the paper, the methods of constructing images in SMM are numerically studied, providing visualization of profiles of the distribution of physical parameters of an object in the near-surface region. It is shown that the image of the fundamental signals of the change in the resonant frequency and Q of the resonator scanning probe does not always correspond to the profile of the indicated parameters. To ensure such correspondence, it is proposed to reconstruct the image of these signals on the basis of an analytical approximation of the corresponding conversion characteristics of the probe and formation of the optimal signal packet.
</summary>
<dc:date>2018-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
