http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150592 2026-04-24T06:55:53Z 2026-04-24T06:55:53Z Говоркова, Т.Е. Окулов, В.И. Окулова, К.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175966 2021-02-03T23:30:06Z 2019-01-01T00:00:00Z

Низкотемпературные магнитополевые зависимости спонтанной намагниченности электронной системы примесей железа низкой концентрации (≤ 0,2 ат.%) в кристалле селенида ртути Говоркова, Т.Е.; Окулов, В.И.; Окулова, К.А. Изложены результаты экспериментального изучения и теоретического описания магнитополевых зависимостей намагниченности кристалла селенида ртути с низкими концентрациями примесей железа (0,01–0,2) aт.%. при температуре 5 К. С применением детального анализа полученных зависимостей выделены вклады спонтанного магнетизма электронной системы гибридизированных состояний донорных примесных атомов железа, имеющие вид кривых намагничивания с насыщением. Для сравнительного рассмотрения проведены аналогичные измерения на кристаллах селенида ртути без легирования и с примесями галлия (0,05 ат.%), позволившие подтвердить детали интерпретации данных. На основе разработанных ранее теоретических представлений об изучаемых электронных системах получены формулы, описывающие полевые зависимости спонтанной намагниченности, и достигнуто хорошее их согласие с найденными экспериментальными зависимостями. В итоге выполненной подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным определены параметры, характеризующие спонтанный спиновый магнетизм изучаемых примесных систем, значения которых согласуются с экспериментальными данными, полученными ранее при наблюдении аномалий эффекта Холла и температурных зависимостей магнитной восприимчивости тех же систем.; Викладено результати експериментального вивчення та теоретичного опису магнітопольових залежностей намагніченості кристала селеніду ртуті з низькими концентраціями домішок заліза (0,01–0,2) aт.% при температурі 5 К. Зі застосуванням детального аналізу отриманих залежностей виділено внески спонтанного магнетизму електронної системи гібридизованих станів донорних домішкових атомів заліза, що мають вид кривих намагнічування з насиченням. Для порівняльного розгляду проведено аналогічні вимірювання на кристалах селеніду ртуті без легування та з домішками галію (0,05 ат.%), що дозволило підтвердити деталі інтерпретації даних. На основі розроблених раніше теоретичних уявлень щодо дослідження електронних систем отримано формули, які описують польові залежності спонтанної намагніченості, та досягнуто добре узгодження єдність зі знайденими експериментальними залежностями. В результаті виконаної підгонки теоретичних залежностей до експериментальних визначено параметри, що характеризують спонтанний спіновий магнетизм досліджених домішкових систем, значення яких узгоджуються з експериментальними даними, які отримані раніше при спостереженні аномалій ефекту Холла та температурних залежностей магнітної сприйнятливості тих же систем.; There are presented the results of the experimental study and theoretical description of magnetic field dependences of mercury selenide single crystal magnetization with low ((0.01 ≤ 0.2) at.%) concentration of iron impurities at T = 5 K. Using detailed analysis of experimental data obtained one have been first derived the contributions of spontaneous magnetism of electron system of iron atom donor impurity hybridized states, having the shape of magnetization curves with saturation. For comparative consideration the like measurements were carried out on non-doped mercury selenide single crystal and on that with gallium impurities (0.05 аt.%) as well. The results obtained in so doing allowed us to confirm our development of the interpretation of experimental data. On the basis of previously developed theoretical ideas about electron systems under study there have been obtained formulas, describing magnetic field dependences of spontaneous magnetization. By fitting the theoretical results to the experimental ones the parameters, characterizing spontaneous spin magnetism of impurity systems, have been determined. It turned out that the given parameters are in good agreement also with experimental data, obtained in studying the anomalies of the Hall effect and the temperature dependences of magnetic susceptibility in the same systems.

2019-01-01T00:00:00Z Лашкарев, Г.В. Радченко, М.В. Байбара, А.Е. Бугаева, М.Е. Петросян, Л.И. Dumond, Y. Story, T. Knoff, W. Nedelko, N. Ślawska-Waniewska, A. Foltyn, M. Стельмах, Я.А. Крушинская, Л.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175965 2021-02-03T23:26:45Z 2019-01-01T00:00:00Z

Нетривиальные явления в магнитных нанокомпозитах Co/Al₂O₃ и Co/SiO₂ Лашкарев, Г.В.; Радченко, М.В.; Байбара, А.Е.; Бугаева, М.Е.; Петросян, Л.И.; Dumond, Y.; Story, T.; Knoff, W.; Nedelko, N.; Ślawska-Waniewska, A.; Foltyn, M.; Стельмах, Я.А.; Крушинская, Л.А. Магнитные нанокомпозиты (МНК), в которых наночастицы ферромагнитных металлов распределены в широкозонной диэлектрической матрице (Al₂O₃ или SiO₂), являются перспективными материалами для электроники благодаря возможности управления их свойствами путем технологического варьирования размерами и концентрацией ферромагнитных наночастиц. Слои МНК Co/Al₂O₃ и Co/SiO₂ с концентрациями Со ниже порога перколяции были осаждены на поликоровые подложки методом электроннолучевого напыления в вакууме (EB-PVD). Сканирующая электронная микроскопия показала наличие в МНК плотно упакованных зерен Со неправильной формы с размерами 5–50 нм. Проведены низкотемпературные измерения намагниченности МНК Co/Al₂O₃ в диапазоне температур 4–300 К и магнитных полях до 10 кЭ. Обнаружен «магнитный обменный сдвиг», который увеличивается с возрастанием концентрации Со. Путем исследований электрических свойств в МНК Co/Al₂O₃ и Co/SiO₂ в диапазоне температур 77–280 К установлен прыжковый механизм транспорта электронов моттовского типа. В МНК Co/Al₂O₃ нами впервые обнаружен эффект гигантской положительной термоэдс в магнитном поле, а в МНК Co/SiO₂ — эффект отрицательной магнитотермоэдс.; Магнітні нанокомпозити (МНК), в яких наночастинки феромагнітних металів розподілені у широкозонній діелектричній матриці (Al₂O₃ або SiO₂), є перспективними матеріалами для електроніки через можливість управління їх властивостями шляхом технологічного управління розмірами та концентрацією феромагнітних наночастинок. Шари МНК Co/Al₂O₃ та Co/SiO₂ з концентраціями Со нижче порога перколяції були осаджені на полікорові підкладки методом електроннопроменевого напилення в вакуумі (EB-PVD). Скануюча електронна мікроскопія показала наявність в МНК щільно упакованих зерен Со неправильної форми з розмірами 5–50 нм. Проведено низькотемпературні вимірювання намагніченості МНК Co/Al₂O₃ в діапазоні температур 4–300 К та магнітних полях до 10 кЕ. Виявлено «магнітний обмінний зсув», який збільшується зі зростанням концентрації Со. Шляхом досліджень електричних властивостей в МНК Co/Al₂O₃ та Co/SiO₂ в діапазоні температур 77–280 К встановлено стрибковий механізм транспорту електронів моттовського типу. В МНК Co/Al₂O₃ нами вперше було виявлено ефект гігантської позитивної термоерс у магнітному полі, а в МНК Co/SiO₂ — ефект від’ємної магнітотермоерс.; Magnetic nanocomposites (MNC), in which nanoparticles of ferromagnetic metals are distributed in a wide-gap dielectric matrixes (Al₂O₃ or SiO₂2), are perspective materials for electronics due to the ability to give them necessary properties by technological control of the concentration and size of ferromagnetic nanoparticles. Co/Al₂O₃ and Co/SiO₂ MNC layers with Co concentrations below the percolation threshold were deposited on polycor substrates using electron-beam deposition in vacuum (EB-PVD). Scanning electron microscopy showed the presence of tightly packed Co grains of irregular shape with sizes of 5–50 nm in MNC. Low-temperature measurements of the magnetization for MNC Co/Al₂O₃ were made in the temperature range 4–300 K and magnetic fields up to 10 kOe. The “magnetic exchange bias” has been detected and it increases with Co concentration growing. By studying the electrical properties of the MNC Co/Al₂O₃ and Co/SiO₂ in the temperature range of 77–280 K, Mott type electron transport hopping mechanism was established. We first observed the effect of a giant positive thermoelectric power in a magnetic field in MNC Co/Al₂O₃ and the effect of a negative magnetothermoelectric power in a Co/SiO₂.

2019-01-01T00:00:00Z Чурманов, В.Н. Соколов, В.И. Пустоваров, В.А. Груздев, Н.Б. Иванов, В.Ю. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175964 2021-02-03T23:30:04Z 2019-01-01T00:00:00Z

Проявление экситонов в спектрах низкотемпературной люминесценции твердых растворов оксидов цинка и никеля Чурманов, В.Н.; Соколов, В.И.; Пустоваров, В.А.; Груздев, Н.Б.; Иванов, В.Ю. Исследованы спектры рентгенолюминесценции твердых растворов Zn₁–xNixO ряда составов, включая оксид никеля (x = 1), в окрестности линий I₁ и I₂ с энергиями 3,339 и 3,393 эВ. Ранее обнаружена сильная температурная зависимость этих линий, подобная проявляющейся при наблюдении донорных и акцепторных экситонов 3d-примесей в соединениях II–VI:3d, а также изменение соотношения интенсивности с повышением температуры и различная кинетика затухания, что позволило предположительно связать происхождение линий I₁ и I₂ с излучательным распадом экситонов, имеющих разную природу. На основании полученных в работе результатов было подтверждено, что ширина запрещенной щели данных соединений не зависит от состава растворов (т.е. от концентрации x), а в соединении NiO вблизи дна зоны проводимости имеется набор состояний никеля как d-, так и s-типа. На основании проведенного анализа электронного энергетического спектра, рассчитанного для исследованных твердых растворов Zn₁–xNixO, установлено, что одна из наблюдаемых линий спектра рентгенолюминесценции связана с экситоном s–pтипа, а другая — с экситоном p–d-типа.; Досліджено спектри рентгенолюмінесценції твердих розчинів Zn₁–xNixO, що мають різний склад, включаючи оксид нікелю (x = 1), поблизу ліній I₁ та I₂ з енергіями 3,339 та 3,393 еВ. Раніше було виявлено сильну температурну залежність цих ліній, яка подібна до виявленої при спостереженні донорних та акцепторних екситонів 3d-домішок в сполуках II–VI:3d, а також зміна співвідношення інтенсивності з підвищенням температури та різна кінетика загасання, що дозволило імовірно пов’язати походження ліній I₁ и I₂ з випромінювальним розпадом екситонів, які мають різну природу. На підставі отриманих в роботі результатів було підтверджено, що ширина забороненої щілини даних сполук не залежить від складу розчинів (тобто від концентрації x), а в сполуці NiO поблизу дна зони провідності є набір станів нікелю як d-, так і s-типу. На основі проведеного аналізу електронного енергетичного спектра, який розраховано для досліджених твердих розчинів Zn₁–xNixO, встановлено, що одна з ліній спектра рентгенолюмінесценції, яка спостерігається, пов’язана з екситоном s–p-типу, а інша — з екситоном p–d-типу.; The given paper is devoted to investigation of the x-ray luminescence spectra of Zn₁–xNixO solid solutions of a number of concentrations, including NiO (x = 1) around the lines I₁ and I₂ with energies of 3,339 and 3,393 eV correspondingly. Earlier a strong temperature dependence on these lines similar to the one manifesting itself during observation of the donor and acceptor excitons of 3d-impurities in II–VI:3d compounds had been discovered, along with the changing of ratio of intensities with the increasing of temperature and different decay kinetics, which allowed us to assume the origin of I₁ and I₂ lines with radiative annihilation of excitons with the different physical nature. The results achieved in the study allowed the authors to confirm the fact that the width of bandgap in the given compounds does not depend on their composition (i.e., on concentration x) and in NiO near the bottom of the conduction band a number of states of nickel of both d- and s-types exists. Basing on the conducted analysis of electronic energy spectrum, calculated for the investigated solid solutions Zn₁–xNixO it was concluded that one of the lines of the x-ray luminescence spectrum is connected with the exciton of the s–p-type, and the other with the exciton of the p–d-type.

2019-01-01T00:00:00Z Klepikova, A.S. Charikova, T.B. Shelushinina, N.G. Popov, M.R. Ivanov, A.A. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175962 2021-02-03T23:30:46Z 2019-01-01T00:00:00Z

Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd₂−xCexCuO₄ Klepikova, A.S.; Charikova, T.B.; Shelushinina, N.G.; Popov, M.R.; Ivanov, A.A. The aim of this work is to investigate the temperature dependences both in CuO₂ plane and out-of plane resistivities in electron-doped Nd₂–xCexCuO₄ for x from 0.135 up to 0.15 in order to analyze the anisotropy of the electrical transport in the process of the evolution from antiferromagnetic order in the underdoped region to superconducting order in optimally doped region.; Досліджено температурні залежності як внутрішньоплощинних CuO₂, так і позаплощинних питомих опорів в електронно-легованих Nd₂−xCexCuO₄ в діапазоні х = 0,135–0,15 для аналізу анізотропії електричного транспорту в процесі еволюції від антиферомагнітного, в області недодопування, до надпровідного упорядкування, в області оптимального допування.; Исследованы температурные зависимости как внутриплоскостных CuO₂, так и внеплоскостных удельных сопротивлений в электронно-легированных Nd₂−xCexCuO₄ в диапазоне х = 0,135–0,15 для анализа анизотропии электрического транспорта в процессе эволюции от антиферромагнитного, в области недодопирования, до сверхпроводящего упорядочения, в области оптимального допирования.

2019-01-01T00:00:00Z