http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150591 2026-04-05T20:43:16Z 2026-04-05T20:43:16Z Cottam, M.G. Lockwood, D.J. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175470 2021-02-01T23:26:53Z 2019-01-01T00:00:00Z

Spin-phonon interaction in transition-metal difluoride antiferromagnets: Theory and experiment Cottam, M.G.; Lockwood, D.J. An overall comparative study is made of the spin-phonon interactions in several rutile-structure transition-metal difluorides, specifically FeF₂, MnF₂, NiF₂, and CoF₂, in terms of recent developments obtained experimentally using inelastic light scattering spectroscopy and theoretically using a modified mean-field approach to estimate spin-pair correlation functions. New experimental data are presented here and interpreted within an extended and comprehensive theoretical treatment to yield estimates for the spin-phonon coupling coefficients and the relative magnitudes of the magneto-optical coupling coefficients.; С использованием последних результатов экспериментально с применением спектроскопии неупругого рассеяния света и теоретически методом модифицированного среднеполевого подхода для оценки корреляционных функций спиновой пары проведено полное сравнительное исследование спин-фононных взаимодействий в нескольких дифлуоридах переходных металлов рутиловой структуры, в частности FeF₂, MnF₂, NiF₂ и CoF₂. С целью получения оценок коэффициентов спин-фононной связи и относительных величин коэффициентов магнитооптической связи представлены новые экспериментальные данные, которые интерпретируются в рамках всестороннего расширенного теоретического описания; З використанням останніх результатів експериментально зі застосуванням спектроскопії непружного розсіяння світла та теоретично методом модифікованого середньопольового підходу для оцінки кореляційних функцій спінової пари проведено повне порівняльне дослідження спін-фононних взаємодій в декількох діфлуоридах перехідних металів рутилової структури, зокрема FeF₂, MnF₂, NiF₂ та CoF₂. З метою отримання оцінок коефіцієнтів спін-фононного зв’язку та відносних величин коефіцієнтів магнітооптичного зв’язку представлено нові експериментальні данні, які інтерпретуються в рамках всебічного розширеного теоретичного опису.

2019-01-01T00:00:00Z Михеев, В.М. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175438 2021-02-01T23:27:11Z 2019-01-01T00:00:00Z

Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях Михеев, В.М. На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных ионов наличие эффекта «инверсии электронной проводимости» приводит к локальным максимумам электронной подвижности.; На прикладі гетероструктури AlxGa₁–xAs/GaAs теоретично вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до локальних максимумів електронної рухливості.; Using the example of the AlxGa₁–xAs/GaAs heterostructure, the concentration dependences of the mobility of 2D electrons upon scattering by an equilibrium correlated distribution of impurity ions at fixed temperatures are theoretically studied. It is shown that, in the case of significant correlations in the arrangement of impurity ions, the presence of the effect of “electron conduction inversion” leads to local maxima of the electron mobility.

2019-01-01T00:00:00Z Топоров, Ю.В. Кордюк, А.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175437 2021-02-01T23:27:37Z 2019-01-01T00:00:00Z

Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах Топоров, Ю.В.; Кордюк, А.А. Особенностью топологических изоляторов является наличие электронных, топологически защищенных квазичастичных поверхностных состояний, исключительно устойчивых к наличию примесей, однако структура спектра рассеяния поверхностных квазичастиц изучена слабо. Цель работы — определение структуры собственной энергии поверхностных состояний из анализа фотоэмиссионных спектров. В частности, детально исследовано уширение этих состояний в зависимости от энергии связи в Bi₂Se₃ и Bi₂Te₂Se — наиболее изученных топологических изоляторах. Выявленная ступенчатая структура уширения позволила выделить вклады упругого и неупругого межзонного рассеяния (поверхность–объем) в квазичастичную собственную энергию и показать, что оно сравнимо с упругим внутризонным рассеянием.; Особливістю топологічних ізоляторів є наявність електронних топологічно захищених квазічастинкових поверхневих станів, винятково стійких до наявності домішок, однак структуру спектра розсіяння поверхневих квазічастинок вивчено слабко. Мета роботи — визначення структури власної енергії поверхневих станів з аналізу фотоемісійних спектрів. Зокрема, детально досліджено уширення цих станів в залежності від енергії зв’язку у Bi₂Se₃ та Bi₂Te₂Se — найбільш досліджених топологічних ізоляторах. Виявлена сходинкова структура уширення дозволила виділити внески пружного та непружного міжзонного розсіяння (поверхня–об’єм) до квазічастинкової власної енергії та показати, що воно порівнянне з пружним внутрішньозонним розсіянням.; The uniqueness of topological insulators is in the presence of the topologically protected quasiparticle surface states, which are exceptionally resistant to presence of impurities, nevertheless the structure of the scattering spectrum of topological quasiparticles is not well studied. The aim of the work — determination of the surface states self-energy from photoemission spectra analysis. In particular, the binding energy dependence of the broadening of these states has been studied in detail in Bi₂Se₃ and Bi₂Te₂Se — the most explored topological insulators. The revealed stairstructure of the broadening made it possible to distinguish the contributions of the elastic and inelastic interband scattering (surface to bulk) to quasiparticle self-energy and to show that these contributions are comparable with the elastic intraband scattering

2019-01-01T00:00:00Z Миронов, Г.И. Созыкина, Е.Р. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175436 2021-02-01T23:27:33Z 2019-01-01T00:00:00Z

Электронные свойства золотых нанотрубок (5, 3) и (5, 0) в модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций Миронов, Г.И.; Созыкина, Е.Р. Приведен теоретический анализ электронных свойств одностенных золотых нанотрубок хиральностей (5, 3) и (5, 0) по мере роста нанотрубок. Проведено сравнение результатов исследования одностенных золотых нанотрубок (5, 3) и (5, 0) с результатами работы X.P. Yang и J.M. Dong. Использованная нами модель Хаббарда при определенном выборе параметров модели позволяет объяснить данные, которые получены с помощью теории функционала электронной плотности. По нашим результатам получается, что при росте золотых нанотрубок имеет место только переход полупроводник–металл без осцилляций полупроводник–металл–полупроводник–металл, как это следует из работы X.P. Yang и J.M. Dong, Phys. Rev. B 71, 233403 (2005).; Наведено теоретичний аналіз електронних властивостей одностінних золотих нанотрубок з хіральністю (5, 3) і (5, 0) зі зростанням нанотрубок. Проведено порівняння результатів дослідження одностінних золотих нанотрубок (5, 3) і (5, 0) з резутатамі роботи X.P. Yang та J.M. Dong, Використана нами модель Хаббарда при певному виборі параметрів моделі дозволяє пояснити дані, які отримані за допомогою теорії функціоналу електронної густини. За нашими результатами виходить, що при зростанні золотих нанотрубок має місце тільки перехід «напівпровідник-метал» без осциляцій «напівпровідник-метал-напівпровідник-метал», як це випливає з роботи [X.P. Yang, J.M. Dong, Phys. Rev. B 71, 233403 (2005)].; Theoretical analysis of the electronic properties of singlewalled gold nanotubes of chiralities (5, 3) and (5, 0) with the growth of nanotubes is given in comparison. The results of the study of single-walled gold nanotubes (5,3) and (5, 0) were compared with the work of Yang X.P. and Dong J.M. (2005). The Hubbard model we used with a certain choice of model parameters allows us to explain the data obtained using the electron density functional theory, but according to our results, with the growth of gold nanotubes, only the semiconductor–metal transition without semiconductor–metal–semiconductor–metal oscillations takes place as it follows from the work of X.P. Yang and J.M. Dong (2005).

2019-01-01T00:00:00Z