http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150453 2026-04-09T15:33:35Z 2026-04-09T15:33:35Z Shklovskij, V.A. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175408 2021-02-01T23:28:11Z 1997-01-01T00:00:00Z

Anisotropic pinning and the mixed state galvanothermomagnetic properties of superconductors a phenomenological approach Shklovskij, V.A. In the presence of isotropic and anisotropic pinning the vortex dynamics is discussed in terms of phenomenologically introduced, nonlinear viscosities. The formulas tor linear galvanothermomagnetic effects are derived and analyzed under the condition at which the transport current or temperature gradient is directed at arbitrary angle with respect to the unidirected twins, which cause the anisotropic pinning. It is shown that two new effects which appear due to the anisotropic pinning, namely (with respect to the reversal of the magnetic field direction) even transverse and odd longitudinal voltage, have a distinct origin. The first is due to the guided vortex motion, while the second appears only when anisotropic (in contrast with isotropic) pinning changes the Hall drag coefficient. We also show that the last effect might be masked in the experiment by a large, odd contribution, which has the same angular dependence and which appears due to the Ettingshausen effect In order to clarify the problem of influence of the twins on the Hall drag coefficient, we discuss the possibility of separating these two contributions in the experiment.

1997-01-01T00:00:00Z Ogurtsov, A.N. Savchenko, E.V. Becker, J. Runne, M. Zimmerer, G. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175407 2021-02-01T23:28:03Z 1997-01-01T00:00:00Z

Photon excitation of the third molecular continuum in solid krypton Ogurtsov, A.N.; Savchenko, E.V.; Becker, J.; Runne, M.; Zimmerer, G. Luminescence study of the near-ultraviolet continuum in nominally pure solid krypton under selective excitation by synchrotron radiation is presented. Intrinsic nature of the emission has been established. Clear threshold behavior at the band gap energy reveals the key role of the electron-hole pairs in a population of the continuum forming states.

1997-01-01T00:00:00Z Лебедев, В.П. Крыловский, В.С. Пинто Симоес, В.М. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175406 2021-02-01T23:27:58Z 1997-01-01T00:00:00Z

Влияние циклической смены нормального и сверхпроводящего состояний на деформацию сплавов Pb-In Лебедев, В.П.; Крыловский, В.С.; Пинто Симоес, В.М. Установлено упрочняющее действие циклической смены нормального и сверхпроводящего состоянии на монокристаллы сплавов системы Pb-In. Возрастание деформирующего напряжения металла при таком воздействий связывается с увеличением плотности деформационных дефектов; Встановлено зміцнюючу дію циклічної зміни нормального та надпровідного станів на монокристали сплавів системи Pb-In. Зростання деформуючого напруження метала при такому впливі пов'язується із збільшенням густини деформаційних дефектів.; It is found that the cyclic change of normal and superconducting states contributes to the strengthening of Pb-In alloys single crystals. The increase in straining stress in this case may be due to the in- crease in structural defects density.

1997-01-01T00:00:00Z Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Рожок, С.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175405 2021-02-01T23:27:12Z 1997-01-01T00:00:00Z

Релаксация и эффекты градиента потенциала в висмутовом микроконтакте Андриевский, В.В.; Комник, Ю.Ф.; Рожок, С.В. Показано, что на положение первой линии поперечной электронной фокусировки в висмуте на шкале магнитных полей сильное влияние оказывает релаксация электронов в эмиттерном микроконтакте, в результате чего энергия электронов, покинувших микроконтактную область, меньше, чем энергия eV, задаваемая приложенным к микроконтакту напряжением. При протекании сильных токов на положение линии электронной фокусировки оказывает влияние также собственное магнитное поле тока, причем дополнительное ее смещение под влиянием этого фактора нелинейно зависит от V, что обусловлено сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик висмутового микроконтакта. Показано, что эта нелинейность может быть объяснена ростом концентрации носителей заряда в области микроконтакта под влиянием градиента распределения потенциала и процесса межзонного туннелирования. С помощью этих механизмов достигается точное описание нелинейности вольт-амперных характеристик висмутовых микроконтактов.; Виявлено, що на позицію першої лінії поперечного електронного фокусування у вісмуті на шкалі магнітних полей сильно впливає релаксація електронів в емітерному мікроконтакті, внаслідок чого енергія електронів, які покинули мікроконтактну зону, менша енергії eV, обумовленої прикладеною до мікроконтакту напругою. Під час протікання потужних струмів на позицію лінії електронного фокусування впливає також власне магнітне поле струму, до того ж її додаткове зміщення під впливом цього фактора нелінійно залежить від V, що обумовлюється сильною нелінійністю вольт- амперних характеристик вісмутового мікроконтакту. Виявлено, що ця нелінійність може бути пояснена зростанням концентрації носіїв заряду в зоні мікроконтакту під впливом градієнта розподілу потенціалу та процеса міжзонного тунелювання, за допомогою цих механізмів досягається точний опис нелінійності вольт-амперних характеристик вісмутових мікроконтактів.; It is shown that the position of the first line of the transverse electron focusing in Bi on the magnetic field scale is strongly influenced by the electron relaxation in the emitting point contact. As a result, the electrons which left the point contact region have energies below those dictated by the voltage applied to the point contact. At high currents the EF line position is also influenced by the intrinsic magnetic field of the current. An additional shift of the EF line is nonlinear with V because of strong nonlinearity of the I-V characteristics of Bi point contacts. It is shown that the nonlinearity may be attributed to the growing concentration of charge carriers in the point contact region due to the gradient of the potential distribution and interband tunneling. These mechanism permit the nonlinearity of the I-V characteristics of Bi point contacts to be described exactly.

1997-01-01T00:00:00Z