http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150447 2026-04-09T15:33:35Z 2026-04-09T15:33:35Z Terekhin, M.A. Svechnikov, N.Yu. Tanaka, S. Hirose, S. Kamada, M. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175116 2021-02-03T12:54:32Z 1997-01-01T00:00:00Z

High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF₂ at low temperature Terekhin, M.A.; Svechnikov, N.Yu.; Tanaka, S.; Hirose, S.; Kamada, M. The effect of VUV undulator excitation intensity on the emission shape and decay time of BaF₂ crystal at low temperature has been observed. The findings are explained in terms of quenching of Auger-free luminescence (cross luminescence) by self-trapped exciton via Förster mechanism energy transfer.

1997-01-01T00:00:00Z Алексеева, Л.А. Стржемечный, М.А. Бутенко, Ю.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175115 2021-01-31T23:26:15Z 1997-01-01T00:00:00Z

Низкотемпературная пластичность разбавленных твердых растворов Ne в n-H₂ Алексеева, Л.А.; Стржемечный, М.А.; Бутенко, Ю.В. Образцы сильно разбавленных твердых растворов Ne в n-Н₂ были испытаны в режиме ступенчатого одноосного растяжения при температурах 1,8-4,2 К. Наблюдалось четко выраженное пластифицирующее влияние примеси неона: при фиксированной температуре для получения одной и той же деформации требо вались более низкие нагрузки в кристаллах с более высоким содержанием неона. Предел прочности легиро­ванных неоном кристаллов оказался заметно ниже, чем для чистых кристаллов нормального водорода. Исследована также ползучесть указанных твердых растворов. Понижение прочности n-Н₂ может быть связано со спецификой механизма преодоления дислокациями кристаллическоrо барьера вблизи примеси, которая, по-видимому, образует вандерваальсовый комплекс с кристаллическим окружением.; Зразки дуже розбавлених твердих розчинів Ne в n-Н₂ досліджено у режимі ступеневого одновісного розтягу при температурах 1,8-4,2 К. Виявлено чіткий пластифікуючий вплив домішки неону: при фіксованій температурі для отримання тієї ж самої деформації потрібні нижчі навантаження в кристалах з більшим вмістом неону. Границя міцності легованих неоном кристалів виявилась значно нижчею, ніж в чистих крис­талах нормального водню. Досліджено також повзучість вказаних твердих розчинів. Зниження міцності n-Н₂ може бути пов'язано із специфікою механізму подолання дислокаціями кристалічного бар'єру біля домішки, котра, можливо, утворює вандерваальсовий комплекс з кристалевим оточенням.; Samples of strongly dilute solid solutions of Ne in n-Н₂ are tested under step-wise axial extension at temperatures 1.8–4.2 K. A clearly manifested plasticization effect of neon impurities has been observed: smaller loads are required for crystals with a higher neon concentration to obtain the same strain at a fixed temperature. The ultimate strength of neon-doped crystals is noticeably lower than for pure samples of normal hydrogen. The creep of such solid solutions has also been studied. The decrease in the strength of n-Н₂ can be due to a specific mechanism of overcoming by dislocations of the barrier formed near impurities which probably form Van der Waals complexes with the crystal environment.

1997-01-01T00:00:00Z Гнатченко, С.Л. Чижик, А.Б. Меренков, Д.Н. Еременко, В.В. Шимчак, Г. Шимчак, Р. Фронц, К. Жуберек, Р. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175114 2021-02-03T12:54:01Z 1997-01-01T00:00:00Z

Неколлинеарная спиновая конфигурация, индуцированная полем в поверхностном слое гадолиния многослойных пленок Gd/Fe Гнатченко, С.Л.; Чижик, А.Б.; Меренков, Д.Н.; Еременко, В.В.; Шимчак, Г.; Шимчак, Р.; Фронц, К.; Жуберек, Р. Из сопоставления полевых зависимостей меридиональноrо эффекта Керра и намагниченности сделан вывод об образовании в магнитном поле неколлинеарноrо неоднородноrо магнитноrо состояния в поверхност­ном слое rадолиния в мноrослойных пленках Gd/Fe. Экспериментальные результаты описьваются в рамках предложенной теоретической модели, предсказывающей образование в поверхностном гадолиниевом слое неколлинеарной спиновой конфигурации в результате спин-ориентационного фазового перехода, индуциро­ванноrо магнитным полем.; Із порівняння польових залежностей меридіонального ефекту Керра і намагніченості зроблено висновок про утворення в магнітному полі неколінеарноrо неоднорідного магнітного стану в поверхневому шарі га­долінію в баrатошаруватих плівках Gd/Fе. Експериментальні результати описуються в межах запропонованоі теоретичної моделі, яка передбачає утворення в поверхневому гадолінієвому шарі не­колінеарної спінової конфігурації внаслідок спін-орієнтаційноrо фазового переходу, індукованого магнітним полем.; A comparison of field dependences of the meridional Kerr effect and magnetization leads to the conclusion that a noncollinear inhomogeneous magnetic state is formed in the surface layer of gadolinium in multilayered Gd/Fe films in a magnetic field. Experimental results are described by using a theoretical model predicting the formation of a noncollinear spin configuration in the surface Gd layer as a result of a spin-reorientation phase transition induced by the magnetic field.

1997-01-01T00:00:00Z Шикин, В.Б. Назин, С.С. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/175113 2021-02-03T12:53:02Z 1997-01-01T00:00:00Z

О минимальной магнитоемкости 2D электронной системы Шикин, В.Б.; Назин, С.С. Отмечено, что существующая теория магнитоемкости экранированных 2D электронных систем теряет смысл в окрестности минимумов магнитоемкости. Предложена модификация этой теории, устраняющая указанные недостатки. Полученные уравнения использованы для расчета минимальной магнитоемкости плоскоrо конденсатора, одной из пластин которого служит 2D электронная система.; Відзначено, що теорія магнітоємності екранованих 2D електронних систем, яка існує зараз, втрачає своє значення поблизу мінімумів магнітоємності. Запропоновано модифікацію цієї теорії, яка ліквідує зазначені недоліки. Одержані рівняння застосовано при обчисленні мінімальної магнітоємності плоского конденсатора, однією з пластин якого є 2D електронна система.; It is noted that the existing theory of magnetocapacity of screened 2D electron systems becomes meaningless in the vicinity of magnetocapacity minima. A modification of this theory eliminating these limitations is proposed. The derived equations are used for calculating the lowest magnetovcapacity of a parallel-plate capacitor in which one plate is a 2D electron system.

1997-01-01T00:00:00Z