<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физика низких температур, 1995, № 07</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150418" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/150418</id>
<updated>2026-04-23T23:55:03Z</updated>
<dc:date>2026-04-23T23:55:03Z</dc:date>
<entry>
<title>Radiative transitions in solid C₆₀ under UV laser and VUV synchrotron radiation</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174648" rel="alternate"/>
<author>
<name>Terekhin, M.A.</name>
</author>
<author>
<name>Svechnikov, N.Yu.</name>
</author>
<author>
<name>Kolmakov, A.A.</name>
</author>
<author>
<name>Stankevitch, V.G.</name>
</author>
<author>
<name>Stepanov, V.A.</name>
</author>
<author>
<name>Bezmelnitsin, V.N.</name>
</author>
<author>
<name>Kamada, M.</name>
</author>
<author>
<name>Tanaka, S.</name>
</author>
<author>
<name>Kan'no, K.</name>
</author>
<author>
<name>Ashida, M.</name>
</author>
<author>
<name>Matsumoto, T.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174648</id>
<updated>2021-01-26T23:26:39Z</updated>
<published>1995-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Radiative transitions in solid C₆₀ under UV laser and VUV synchrotron radiation
Terekhin, M.A.; Svechnikov, N.Yu.; Kolmakov, A.A.; Stankevitch, V.G.; Stepanov, V.A.; Bezmelnitsin, V.N.; Kamada, M.; Tanaka, S.; Kan'no, K.; Ashida, M.; Matsumoto, T.
Photoluminescent properties of pure C₆₀ thin solid films have been investigated in the emission range of 1.2-2.4 eV over a wide temperature interval under excitations with 3.7 and 36 eV photons. Dose dependence of the luminescence degradation of C₆₀ films under long-time UV and VUV irradiation has been discovered and examined at various ambient conditions. Temperature dependence of luminescence from 10 to 300 K exhibited a step-like peculiarity in the vicinity of the structural phase transition near Tc ~ 250 K, and a decrease from 13 to 10 K. Also a C₆₀ luminescence in the process of doping by neutral potassium atomic beam «in situ» at 400 K has been examined. The luminescence decay time measurements gave values of 1.2 ± 0.. I ns for a singlet excited state, and -400 microseconds for a triplet state, the latter decays non-radiatively with a probability of more than 80%. The experimental data obtained lead us to a conclusion that the intrinsic nature of luminescence in solid C₆₀ , correlates with the bulk properties which may be attributed, mainly, to self-trapped singlet excitons. The influence of the triplet state was also observable via protection against photopolymerization due to energy transfer from the excited triplet state of C₆₀ to intercalated dioxygen.
</summary>
<dc:date>1995-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Эффекты слабой локализации электронов в проводимости пленок золота, подвергнутых облучению ионами аргона</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174647" rel="alternate"/>
<author>
<name>Белевцев, Б.И.</name>
</author>
<author>
<name>Беляев, Е.Ю.</name>
</author>
<author>
<name>Бобков, В.В.</name>
</author>
<author>
<name>Глушко, В.И.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174647</id>
<updated>2021-01-26T23:26:25Z</updated>
<published>1995-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Эффекты слабой локализации электронов в проводимости пленок золота, подвергнутых облучению ионами аргона
Белевцев, Б.И.; Беляев, Е.Ю.; Бобков, В.В.; Глушко, В.И.
Исследованы эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в проводимости осажденных в вакууме тонких пленок золота (толщина L ≤ 10 нм) до и после облучения их ионами аргона с энергией 0,5-3,5 кэВ. Влияние облучения (при дозах до — 8 • 10¹⁵ см⁻²) сводилось к уменьшению толщины пленок и увеличению беспорядка кристаллической решетки. Температурные и магнитополевые зависимости квантовых поправок к проводимости пленок Δσ были измерены при температурах 0,5 К ≤ Т ≤ 50 К и магнитных полях до 20 кЭ. Численная обработка этих зависимостей позволила определить скорости неупругой, спин-орбитальной и спин-спиновой релаксации электронов. Обнаружено, что скорости спин-орбитальной релаксации в исследованных пленках уменьшаются при увеличении беспорядка под влиянием ионного облучения. Показано, что такое поведение (противоречащее, на первый взгляд, известным представлениям) возможно в тонких пленках при уменьшении длины свободного пробега электронов, если преобладающий вклад в спин-орбитальное рассеяние вносит поверхностное рассеяние электронов.; Досліджено ефекти слабкої локалізації та електрон-електронної взаємодії у провідності осаджених у вакуумі тонких плівок золота (товщина L ≤ 10 10 нм) до та після опромінення їх іонами аргону з енергією 0,5-3,5 кеВ. Вплив опромінення (при дозах до — 8 • 10¹⁵ см⁻²) зводився до зменшення товщини плівок та збільшення непорядку кристалічної гратки. Температурні та магнітопольові залежності квантових поправок до провідності плівок Δσ було виміряно при температурах 0,5 К ≤ Т ≤ 50 К та в магнітних полях до 20 кЕ. Чисельний аналіз цих залежностей дозволив визначити швидкості непружньої, спін-орбітальної та спін-спінової релаксації електронів. Знайдено, що швидкості спін-орбітальної релаксації у досліджуваних плівках зменшуються при збільшенні непорядку під впливом іонного опромінення. Показано, що така поведінка (суперечна, на перший погляд, відомим уявленням) можлива у тонких плівках при зменшенні довжини вільного пробігу електронів за умовою переважного внеску поверхневого розсіяння електронів у спін-орбітальне розсіяння.; We report on weak localization and electron-elect-ron interaction effects in the conductivity of evaporated gold films (thickness L ≤ 10 nm) before and after irradiation with 0.5-3.5 keV argon ions. The irradiation (up to 8 • 10¹⁵ см⁻²) slightly decreases the film thickness and strongly increases the disorder of crystall lattice. The temperature and magnetic field dependences of quantum correction to conductivity Δσ are measured in the ranges 0,5 К ≤ Т ≤ 50 К  and 0  ≤ H  ≤ 20 kOe. The analysis of σ(T, H) yields the rates of inelastic, spin-orbit, and spin-spin electron relaxation. It is found that the rate of spin-orbit scattering decreases with disorder induced by the ion irradiation. It is demonstrated that such behaviour (which is contradictory, at first glance, to the known physical concept) can take place for thin films at decreasing of electron mean-free path provided that the surface electron scattering contribute significantly to the spin-orbit scattering.
</summary>
<dc:date>1995-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>О структурных искажениях в Nd₂CuO₄</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174646" rel="alternate"/>
<author>
<name>Пашкевич, Ю.Г.</name>
</author>
<author>
<name>Пишко, В.В.</name>
</author>
<author>
<name>Цапенко, В.В.</name>
</author>
<author>
<name>Еременко, А.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174646</id>
<updated>2021-01-26T23:26:37Z</updated>
<published>1995-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">О структурных искажениях в Nd₂CuO₄
Пашкевич, Ю.Г.; Пишко, В.В.; Цапенко, В.В.; Еременко, А.В.
Обнаружено однофононное инфракрасное поглощение в Nd₂СuO₄, связанное с магнитным упорядочением, сопровождаемым мультипликацией кристаллографической ячейки. Показано, что магнитное упорядочение типа «плоский крест» приводит к спин-зависимому поглощению фононами, соответствующими границе зоны Бриллюэна парамагнитной фазы, и оказывает влияние на фононные спектры, аналогичное влиянию структурного фазового перехода. Рассмотрены электродипольные механизмы такого поглощения: из М-точки границы зоны Бриллюэна, индуцированный магнитным упорядочением, и из А-точек, индуцированный приложейным внешним магнитным полем. Измерения, проведенные в магнитном поле, превышающем поле спин-переориентационного фазового перехода, позволили обнаружить проявление однофонного поглощения из Х-точки зоны Бриллюэна, подавление однофононного поглощения ИЗ М-точки и показали отсутствие структурных искажений в Nd₂СuO₄  при температурах выше 150 К.; Знайдено однофононне інфрачервоне поглинання у  Nd₂СuO₄, пов’язане з магнітним упорядкуванням, яке виникає з мультиплікацією кристалографічної комірки. Показано, що магнітне упорядкування типу «плоский хрест» приводить до спін-залежного поглинання фононами із межі зони Брйллюена парамагнітної фази та чинить вплив на фононні спектри, аналогічний впливу структурного фазового переходу. Розглянуто електродипольні механізми такого поглинання: із М-точки межі зони Брйллюена, індукований магнітним упорядкуванням, та з Х-точок, Індукований прикладеним зовнішнім магнітним полем. Вимірювання, виконані у магнітному полі, яке перевищує поле спінтпереорієнтаційного фазового переходу, дозволили знайти прояв однфононного поглинання із А’-точки зони Брйллюена, пригнічування однофононного поглинання із М-точки та показали відсутність структурних ^спотворень у Nd₂СuO₄, при температурах вищих ніж 150 К.; The present paper is concemied with one-phonon IR absorption inNd₂СuO₄, associated with magnetic ordering which is accompanied by a multiplication of a crystallography cell. It is shown that magnetic ordering of the «plane cross» type results in the spin dependent phonon absorption from the Brillouin zone boundary of the paramagnetic phase and affects the phonon spectra similarly to the structure phase transition. The mechanisms of such absorption ire considered from the M-point of the Brillouin zone boundary induced by magnetic ordering and from the Jt-point induced by an applied magnetic field. The measurements performed in a magnetic field exceeding that of the spin-reorientation phase transition made it possible to detect one-phonon absorption from the X-point of the Brillouin zone and the suppression of one-phonon absorption from the M-point and showed the absence of structure distortions in Nd₂СuO₄, at temperatures above 150 K.
</summary>
<dc:date>1995-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>EPR studies of Mn-doped YBa₂Cu₃0₇-δ composites</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174645" rel="alternate"/>
<author>
<name>Stepanov, A.A.</name>
</author>
<author>
<name>Gaillard, В.</name>
</author>
<author>
<name>Regnier, S.</name>
</author>
<author>
<name>Marfaing, J.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/174645</id>
<updated>2021-01-26T23:26:34Z</updated>
<published>1995-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">EPR studies of Mn-doped YBa₂Cu₃0₇-δ composites
Stepanov, A.A.; Gaillard, В.; Regnier, S.; Marfaing, J.
The preliminary results of EPR experiments on superconducting Mn-YBaCuO composites are reported. The measurements were done in X band in the temperature range 4-300 K. Three distinct EPR components were observed possessing different g-factors and a rather different temperature behavior. For similar nonsuperconducting samples, only two signals were observed. The nature of the different components is discussed from the comparison of the results. It is shown that, among the superconducting samples, two of them originate from Mn²⁺ paramagnetic centers while the third one presumably comes from Cu²⁺ paramagnetic center. For the nonsuperconducting samples, a magnetic phase transition in an ordered state has been revealed at 25 K. This transition seems to be stimulated by the presence of Mn ions or clusters, probably located in the CuO chains.
</summary>
<dc:date>1995-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
