Физика низких температур, 1995, том 21

Корреляции низкотемпературных аномалий микропластичности со структурными превращениями в кристаллах С₆₀

2021-02-02T23:27:18Z

Корреляции низкотемпературных аномалий микропластичности со структурными превращениями в кристаллах С₆₀ Фоменко, Л.С.; Нацик, В.Д.; Лубенец, С.В.; Лирцман, В.Г.; Аксенова, Н.А.; Исакина, А.П.; Прохватилов, А.И.; Стржемечный, М.А.; Руофф, Р.С. На кристаллах особо чистого С₆₀ изучены решеточная структура, микротвердость и системы легкой) скольжения в температурном интервале 30-290 К, включающем фазовый переход ГЦК -> ПК с Тс = 260 К и область существования ориентационного стекла Т < 100 К. Зарегистрировано ступенчатое изменение параметра решетки и микротвердости при переходе через Тс и образование вблизи отпечатка индентора линий скольжения в обеих фазах. Показано, что действующая при комнатной температуре в ГПК фазе система скольжения <110>{111} сохраняет активность и ниже Тс в ПК фазе. В области формирования ориентационного стекла обнаружена аномалия в виде излома на температурной зависимости микротвсрдости, которая коррелирует со слабой аномалией на температурной зависимости параметра решетки. Сформулированы предположения о характере движения дислокаций в кристаллах С₆₀, позволяющие объяснить наблюдаемые особенности микропластичности.; На кристалах особливо чистого С₆₀ вивчено структуру, мікротвердість та системи леїкого ковзання в температурному інтервалі 30-290 К, який охоплює фазовий перехід ГЦК -> ПК з Тс = 260 К та область існування орієнтаційного скла Т < 100 К. Зареєстровано ступінчасту зміну параметра гратки і мікротвердості при переході через Тс та формування ліній ковзання поблизу відбитка індентора в обох фазах. Показано, що діюча при кімнатній температурі в ГЦК фазі система ковзання <110>{111} зберігає активність і нижче Tс в ПК-фазі. В області формування орієнтаційного скла виявлено аномалію у вигляді перелому на температурній залежності мікротвердості, яка корелює зі слабкою аномалією на температурній залежності параметра гратки. Сформульовані припущення про характер руху дислокацій в кристалах С₆₀, які дозволяють пояснити виявлені особливості мікропластичності.; Structure, microhardness and slip systems were studied on С₆₀ crystals of high purity in the temperature range 30- 290 K, which includes the fcc -> sc phase transition at Tc = 260 K and the orientational glass region T< 100 K. A step-like change of both the lattice parameter and the microhardness was recorded when passing through Tc, as well as the formation of slip lines near the indentations in both phases. The slip system <110>{111}, operative at room temperature in the fcc phase, is shown to retain its activity below Tc , in the sc phase. In the region where the orientation glass is formed, we have found a kink-like anomaly on the microhardness vs temperature curve; this anomaly correlates with a weak anomaly in the temperature dependence of the lattice parameter. Assumptions are formulated concerning the character of the dislocation motion in С₆₀ crystals, which make it possible to explain the microplasticity anomalies observed.

Особенности диссипативных свойств квази-двумерных сверхпроводников в области сильных флуктуации фазы параметра порядка

2021-02-02T23:27:17Z

Особенности диссипативных свойств квази-двумерных сверхпроводников в области сильных флуктуации фазы параметра порядка Гененко, Ю.А.; Криворучко, В.И.; Медведев, Ю.В. Предложен «парамагнитный» механизм резистивных потерь в слоистых сверхпроводниках, обусловленный магнитной поляризацией флуктуационных вихревых петель полем движущегося джозефсоновского вихря. Подобный механизм существен в области температур, при которых слоистость системы становится определяющей и интенсивные квазидвумерные флуктуации в виде пар вихрь-антивихрь определяют сверхпроводящие свойства системы.; Запропоновано «парамагнітний» механізм резистивних втрат в шаруватих надпровідниках, обумовлений магнітною поляризацією флуктуаційних вихорових петель полем джозефсонівського вихора, що рухається. Схожий з ним механізм є суттєвим в області температур, при яких шаруватість системи стає визначальною та інтенсивні квазідвовимірні флуктуації у вигляді пар вихор-антивихор визначають надпровідні властивості системи.; A «paramagnetic» mechanism of resistivity losses due to magnetic polarization of fluctuated vortex loops by the field of a moving Josephson vortex have been discussed for layered superconductors. Such a mechanism is valid at temperatures where the layered structure of the system becomes a crucial factor and the intensive quasi-two-dimensional fluctuations like vortex—anti-vortex pairs determine superconducting properties of the system.

Динамика ансамбля вихрей в сильно анизотропных планарных ферромагнетиках со спином s=1

2021-02-02T23:27:32Z

Динамика ансамбля вихрей в сильно анизотропных планарных ферромагнетиках со спином s=1 Иванов, Б.А.; Шека, Д.Д. Рассмотрена динамика внутриплоскостного вихря в сильно анизотропном планарном ферромагнетике (ПФМ) со спином s = 1 и сильными эффектами квантового сокращения спина во внешнем магнитом поле Н, перпендикулярном легкой плоскости. Обсуждаются структура, динамика и релаксация таких вихрей. Построены эффективные уравнения движения для координат вихрей в ансамбле взаимодействующих »их рей, существующем в ПФМ выше точки топологического фазового перехода. Вычислена среднеквадратичная скорость движения вихрей. Рассчитаны компоненты динамического структурного фактора ПФМ в присутствии магнитного поля.; Розглянуто динаміку внутрішньоплощинного вихора всильно анізотропному планарному феромагнетику (ПФМ) із спіном s = 1 та сильними ефектами квантового скорочення спіну у зовнішньому магнітному полі Н, перпендикулярному легкій площині. Обговорюються структура, динаміка та релаксація таких вихорів. І Іобу-довано ефективні рівняння руху для координат вихорів у ансамблі взаємодіючих вихорів, який існує у ПФМ вище точки топологічного фазового переходу. Обчислено середньоквадратичну швидкість руху вихорів. Розраховано компоненти динамічного структурного фактора ПФМ в присутності магнітного поля.; The dynamics of the in-plane vortex in the highly-anisotropic planar ferromagnet (PFM) with spin s = 1 and strong effects of quantum spin contradiction is considered for the external magnetic field H which is perpendicular to the easy plane. The structure, dynamics and relaxation of such vortices are discussed. The effective equations of motion of vortex coordinates in the interacting vortex ensemble are constructed above the topological phase transition. The value of rms vortex velocity is calculated. Components of the PFM dynamical structure factor are calculated in the presence of the magnetic field.

Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины

2021-02-02T23:27:15Z

Аномальный размерный эффект в проводимости пленок висмута малой толщины Анопченко, А.С.; Каширин, В.Ю.; Комник, Ю.Ф. Исследованы кинетические свойства (приводимость, магнитосопротивление и коэффициент Холла) пленок висмута в интервале толщин 100-500 А при гелиевой температуре. Пленки висмута малой толщины проявляют аномальный размерный эффект — рост проводимости с уменьшением толщины, а также четко выраженные эффекты квантовой интерференции — слабой локализации электронов и усиления электрои-электронного взаимодействия в неупорядоченной системе. Полученные данные о кинетических свойствах пленок использованы для определения характера изменения концентрации и подвижности электронов и дырок с уменьшением толщины. Изотропность свойств в плоскости пленки вследствие существования аксиальной текстуры позволила при этом использовать уравнения для проводника с двумя типами носителей заряда. При расчете в кинетических характеристиках учтен вклад квантовых поправок, связанных с квантовой интерференцией. Установлено, что концентрация носителей заряда заметно увеличивается (до двух порядков) при уменьшении толщины пленки до 100 А, что определяет проявление аномального размерного эффекта в проводимости пленок.; Досліджено кінетичні, властивості (провідність, магнітоопір та коефіцієнт Холла) плівок вісмуту в інтервалі товщин 100-500 А при гелійових температурах. Плівки вісмуту малої товщини виявляють аномальний розмірний ефект — зростання провідності із зменшенням товщини, а також чітко виражені ефекти квантової інтерференції — слабкої локалізації електронів та посилення електрон-електронної взаємодії и невпорядкованій системі. Одержані дані про кінетичні властивості плівок використано для визначений характера змінення концентрації та рухомості електронів і дірок з зменшенням товщини. Ізотропність властивостей в площині плівки внаслідок існування аксіальної текстури дозволила при цьому використати рівняний для провідника з двома типами носіїв заряду. При розрахунку в кінетичних характеристиках враховано вклад квантових поправок, які пов’язані з квантовою інтерференцією. Встановлено, що концентрація носіїв заряду помітно збільшується (до двох порядків) при зменшенні товщини плівки до 100 А, що визначає прояв аномального розмірного ефекту в провідності плівок.; Experemental data are obtained at helium temperature, which describe the kinetic properties (conductivity, magnetoresistance and Hall coefficient) of Bi films whose thicknesses are within 100-500 A. The smallthickness Bi films display an anomalous size effect — the growing conductivity at decreasing thickness, and pronounced quantum interference effects — weak electron localization and enhancing electron-electron interaction in a disordered system. The information derived on the kinetic properties of the films is used to identify the character of the changes in the electron and hole concentrations and mobilities with a decreasing thickness. The isotropy of the properties in the Rims plane due to the axial texture has permitted us to use the equations for a conductor with two types of charge carriers. The used kinetic characteristics correctly take into account the contribution of the quantum corrections related to quantum interference. It is found lhal the concentration of the charge carries increases appreciably (by about two orders of magnitude) as the film thickness decreases to 100 A, which determines the anomalous size effect in the conductivity of the films.