Condensed Matter Physics, 2015, том 18http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1501062026-04-08T23:51:06Z2026-04-08T23:51:06ZAuthor index of volume 18 (2015)http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1558012019-06-17T22:28:36Z2015-01-01T00:00:00ZAuthor index of volume 18 (2015)
2015-01-01T00:00:00ZWolfhard Janke turns 60http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1558002019-06-17T22:29:27Z2015-01-01T00:00:00ZWolfhard Janke turns 60
On December 11th, 2015, Wolfhard Janke, a member of the Editorial Board of ``Condensed Matter Physics'' and a leading expert in computer simulations in condensed matter physics, celebrated his 60th birthday.
2015-01-01T00:00:00ZOn the discontinuity of the specific heat of the Ising model on a scale-free networkKrasnytska, M.Berche, B.Holovatch, Yu.Kenna, R.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1557992019-06-17T22:29:39Z2015-01-01T00:00:00ZOn the discontinuity of the specific heat of the Ising model on a scale-free network
Krasnytska, M.; Berche, B.; Holovatch, Yu.; Kenna, R.
We consider the Ising model on an annealed scale-free network with node-degree distribution characterized by a power-law decay P(K)∼ K-λ. It is well established that the model is characterized by classical mean-field exponents for λ > 5. In this note we show that the specific-heat discontinuity δc_h at the critical point remains λ-dependent even for λ > 5: δch=3(λ-5)(λ-1)/[2(λ-3)²] and attains its mean-field value δch=3/2 only in the limit λ → ∞. We compare this behaviour with recent measurements of the d dependency of δch made for the Ising model on lattices with d > 4 [Lundow P.H., Markström K., Nucl. Phys. B, 2015, 895, 305].; Ми розглядаємо модель Iзiнга на вiдпаленiй безмасштабнiй мережi зi степенево-спадною функцiєю розподiлу вузлiв P(K ) ∼ K
−λ. Вiдомо, що ця модель описується класичними критичними показниками середнього поля при λ > 5. Тут ми покажемо, що стрибок теплоємностi δch при критичнiй температурi залишається λ-залежним навiть для λ > 5: δch = 3(λ−5)(λ−1)/[2(λ−3)² ] i досягає свого середньопольового значення δch = 3/2 тiльки в границi λ → ∞. Ми порiвнюємо цю поведiнку iз недавнiми результатами залежностi δch вiд d для моделi Iзiнга на гратках з d > 4 [Lundow P.H., Markstr¨om K., Nucl. Phys. B, 2015,
895, 305].
2015-01-01T00:00:00ZTemperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiationPeleshchak, R.M.Kuzyk, O.V.Dan'kiv, O.O.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1557952019-06-17T22:29:25Z2015-01-01T00:00:00ZTemperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation
Peleshchak, R.M.; Kuzyk, O.V.; Dan'kiv, O.O.
The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of formation of nanoclusters on n-GaAs surface under the action of laser irradiation are investigated. The offered model permits to choose optimal technological parameters (temperature, doping degree, intensity of laser irradiation) for the formation of the surface periodic defect-deformation structures under the action of laser irradiation.; Розвинуто теорiю нуклеацiї нанорозмiрних структур адсорбованих атомiв (адатомiв), яка вiдбувається в
результатi самоузгодженої взаємодiї адатомiв з поверхневою акустичною хвилею та електронною пiдсистемою. Дослiджено температурнi режими формування нанокластерiв на поверхнi n-GaAs пiд дiєю
лазерного опромiнення. Запропонована модель дозволяє вибрати оптимальнi технологiчнi параметри
(температуру, ступiнь легування, iнтенсивнiсть лазерного опромiнення) для формування поверхневих
перiодичних дефектно-деформацiйних структур пiд дiєю лазерного опромiнення.
2015-01-01T00:00:00Z