http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132710 2026-04-16T18:35:00Z 2026-04-16T18:35:00Z Kudin, A.M. Shkoropatenko, A.V. Ovcharenko, N.V. Alekseev, V.D. Trefilova, L.N. Shpilinskaya, A.L. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/137899 2018-06-18T00:11:38Z 2009-01-01T00:00:00Z

Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity Kudin, A.M.; Shkoropatenko, A.V.; Ovcharenko, N.V.; Alekseev, V.D.; Trefilova, L.N.; Shpilinskaya, A.L. The causes of millisecond afterglow in Csl:Tl crystals have been considered. The two afterglow components with about 5 ms and about 60 ms characteristic time at RT have been shown to be related to the trap disruption at 190 and 215 K. The thermostimulated luminescence peak at 215 K is of extrinsic nature and is associated most probably with barium cations in the form of single dipoles Ba²⁺-Vc⁻. In contrast to Ba²⁺, introduction of Eu²⁺ cations results in the afterglow attenuation. The aggregation of Eu²⁺-Vc⁻ dipoles in a quenched sample has been found to occur during almost 10 min at RT. The afterglow suppression mechanism in Csl:Tl,Eu crystals consists in that not only europium ions but also other Me²⁺ type impurities are involved in the aggregation process. After the solid solution decomposition and metastable aggregate formation, not millisecond but more durable afterglow is observed in the crystals within the second and minute time ranges.; Розглянуто причини мілісекундного післясвітіння кристалів Csl:TJ. Показано, що два компоненти післясвітіння з характерними часами -5 та -60 мс при кімнатній температурі пов'язані з руйнуванням пасток при 190 та 215 К. Пік термостимульованої люмінесценції при 215 К має домішкову природу та пов'язаний найімовірніше з катіонами барію у формі окремих диполів Ba²⁺-Vc⁻. На відміну від Ва²⁺, введення катіонів Eu²⁺ призводить до зниження післясвітіння. Показано, що агрегація диполів Eu²⁺-Vc⁻ у загартованому зразку триває не більше 10 хв при кімнатній температурі. Механізм пригнічення післясвітіння в кристалах Csl:TJ,Eu полягає в тому, що до процесу агрегації залучаються не тільки іони європію, але й інші домішки типу Ме²⁺. Після розпаду твердого розчину та утворення метастабільних агрегатів у кристалах спостерігається не мілісекундне, а більш тривале післясвітіння у секундному та хвилинному діапазонах часу.; Рассмотрены причины миллисекундного послесвечения кристаллов Csl:TJ. Показано, что два компонента послесвечения с характерными временами -6 и -60 мс при комнатной температуре связаны с разрушением ловушек при 190 и 215 К. Пик термостимулированной люминесценции при 215 К имеет примесную природу и наиболее вероятно связан с катионами бария в виде одиночных диполей Ba²⁺-vc-· В отличие от Ва²⁺, введение катионов Eu²⁺ приводит к снижению послесвечения. Показано, что агрегация диполей Eu²⁺-Vc⁻ в закаленном образце занимает не более 10 мин при комнатной температуре. Механизм подавления послесвечения в кристаллах Csl:TJ,Eu состоит в том, что в процесс агрегации вовлекаются не только ионы европия, но другие примеси типа Ме²⁺. После распада твердого раствора и образования метастабильных агрегатов в кристаллах наблюдается не миллисекундное, а более длительное послесвечение в секундном и минутном диапазоне времен.

2009-01-01T00:00:00Z Bagmut, A.G. Shipkova, I.G. Zhuchkov, V.A. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/137740 2018-06-18T00:09:46Z 2009-01-01T00:00:00Z

Structure, phase states and change of magnetic properties at recrystallization of thin-film Ni laser condensates Bagmut, A.G.; Shipkova, I.G.; Zhuchkov, V.A. The influence of a substrate temperature and of oxygen pressure in the evaporation chamber on the structure and phase state of nickel laser condensates has been studied by electron microscopy. The regularities of structure-phase transformations in the films and changes of magnetic properties after annealing have been investigated. It is established that a wide spectrum of thin-film states can be provided by varying the oxygen pressure in the evaporation chamber and the substrate temperature during nickel condensation. Amorphous Ni films are formed as well those with metastable HCP lattice ( phase), with stable GCC lattice ( phase), and NiO films with FCC structure. The effective activation energy value for the processes controlling the formation of  phase of Ni grains makes about 0.26 eV /atom. Annealing of amorphous films initiates their crystallization with formation of disordered precipitates of  phase of nickel. Annealing of Ni films with metastable HCP lattice initiates the HCP -> FCC polymorphic transformation accompanied by sharp increase of grain size and changes in its magnetic properties. The annealed films get a magnetic moment and hysteresis is observed at magnetization reversal.; Проведено електронно-мікроскопічне дослідження впливу температури підкладки та тиску кисню у випарній камері на структуру та фазовий склад лазерних конденсатів нікелю. Вивчено закономірності структурно-фазових трансформацій та зміни магнітних властивостей плівок після відпалу. Установлено, що варіювання тиском кисню у випарній камері й температурою підкладки у процесі конденсації нікелю забезпечують широкий спектр тонкоплівкових станів. Формуються аморфні плівки Ni, плівки Ni з метастабільною ГПУ решіткою ( фаза), плівки Ni зі стабільною ГЦК граткою ( фаза) і плівки оксиду Ni зі структурою ГЦК. Ефективне значення енергії активації процесів, що контролюють утворення зерен  фази Ni, становить - 0,26 еВ/атом. Відпал аморфних плівок ініціює їхню кристалізацію з утворенням розорієнтованих виділень  фази нікелю. Відпал плівок Ni з метастабільною ГПУ граткою ініціює поліморфне перетворення ГПУ -> ГЦК, що супроводжується різким збільшенням розміру зерен і зміною магнітних характеристик плівки. У результаті відпалу плівки набувають магнітного моменту, а при перемагнічуванні має місце гістерезис.; Проведено электронно-микроскопическое исследование влияния температуры подложки и давления кислорода в испарительной камере на структуру и фазовый состав лазерных конденсатов никеля. Изучены закономерности структурно-фазовых трансформаций и изменение магнитных свойств пленок после отжига. Установлено, что варьированием давления кислорода в испарительной камере и температуры подложки в процессе конденсации никеля можно обеспечить формирование широкого спектра тонкопленочных состояний. Конденсируются аморфные пленки Ni, пленки Ni с метастабильной ГПУ решеткой ( фаза), пленки Ni со стабильной ГЦК решеткой ( фаза) и пленки оксида NiO со структурой ГЦК. Эффективное значение энергии активации процессов, контролирующих образование зерен  фазы Ni, составляет - 0,26 эВ/атом. Отжиг аморфных пленок инициирует их кристаллизацию с образованием разориентированных выделений  фазы никеля. Отжиг пленок Ni с метастабильной ГПУ решеткой инициирует полиморфное превращение ГПУ -> ГЦК, которое сопровождается резким увеличением размера зерен и изменением магнитных характеристик пленки. В результате отжига пленки приобретают магнитный момент, а при перемагничивании имеет место гистерезис.

2009-01-01T00:00:00Z Dyomin, A.V. Skibin, A.P. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/137739 2018-06-18T00:08:51Z 2009-01-01T00:00:00Z

Precision tomoghaphic system based on annular scintillation detector and Multi Pin-hole collimator Dyomin, A.V.; Skibin, A.P. Theoretical investigations have made it possible to derive an algorithm of 3-dimensional tomographic reconstruction for a cylindrical gamma-ray camera with a pin-hole type collimator. The optimum number of the pin-hole collimators has been found providing the image formation on the whole surface of the cylindrical detector. Formulas have been derived correlating the tomographic projections in the planar and cylindrical geometry. A precision tomographic system has been designed and constructed basing on an annular scintillation detector and a Multi Pin-hole collimator. The space resolution of the system amounts 1 mm.; Виконані теоретичні дослідження дозволили створити алгоритм тривимірної томографічної реконструкції для циліндричної гамма-камери з коліматором типу pin-hole. Визначено оптимальну кількість pin-hole коліматорів для формування зображення на всій поверхні циліндричного детектора. Виведено формули, які пов'язують томографічні проекції у площинній та циліндричній геометрії. Спроектовано та виготовлено прецизійну томографічну систему на основі кільцевого сцинтиляційного детектора та multi-pin-hole коліматора. Просторове розріmення прецизійної системи становить 1 мм.; Проведенные теоретические исследования позволили создать алгоритм трёхмерной томографической реконструкции для цилиндрической гамма-камеры с коллиматором типа Pin-hole. Найдено оптимальное количество pin-hole коллиматоров для формирования изображения на всей плоскости цилиндрического детектора. Выведены формулы, связывающие томографические проекции в плоской и цилиндрической геометрии. Спроектирована и изготовлена прецизионная томографическая система на базе кольцевого сцинтилляционного детектора и Multi Pin-hole коллиматора. Пространственное разрешение прецизионной системы составляет 1 мм.

2009-01-01T00:00:00Z Levchenko, A.N. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/137738 2018-06-18T00:08:48Z 2009-01-01T00:00:00Z

Methods of optical absorption reduction in irradiated KDP single crystals containing arsenic ions Levchenko, A.N. The processes of disappearance of radiation defects under thermal, laser, and ionizing irradiation annealing in gamma-irradiated potassium dihydrogen phosphate crystals containing arsenic ions have been investigated using electron paramagnetic resonance and optical spectroscopy. It has been found that the disappearance of some types of defect results in optical absorption reduction in crystal. Basing on the spectroscopic measurements, the possibilities, advantages and drawbacks of different crystal treatment methods including the above-mentioned kinds of annealing, have been determined. The optimal conditions of the crystal treatment have been determined.; У гамма-опромінених кристалах дигідрофосфату калію, що містять домішкові іони миш'яку, за допомогою електронного парамагнітного резонансу і оптичної спектроскопії досліджено процеси зникнення радіаційних дефектів при термічному, лазерному та радіаційному відпалі. Встановлено, що зникнення визначених типів дефектів приводить до зменшення оптичного поглинання у кристалах. На основі спектроскопічних вимірювань визначено можливості, достоїнства та недоліки різних засобів обробки кристалів, що включають зазначені вище різновиди відпалу. Визначено оптимальні умови обробки кристалів.; В гамма-облученных кристаллах дигидрофосфата калия, содержащих примесные ионы мышьяка, с помощью электронного парамагнитного резонанса и оптической спектроскопии исследованы процессы исчезновения радиационных дефектов при термическом, лазерном и радиационном отжиге. Установлено, что исчезновение определенных типов дефектов приводит к уменьшению оптического поглощения в кристаллах. На основе спектроскопических измерений определены возможности, достоинства и недостатки различных способов обработки кристаллов, включающих указанные выше разновидности отжига. Определены оптимальные условия обработки кристаллов.

2009-01-01T00:00:00Z