http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132691 2026-04-13T05:24:18Z 2026-04-13T05:24:18Z Tsarenko, O.N. Ryabets, S.I. Tkachuk, A.I. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/139315 2018-06-21T00:04:14Z 2005-01-01T00:00:00Z

Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates Tsarenko, O.N.; Ryabets, S.I.; Tkachuk, A.I. The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide composition range by the liquid phase epitaxy technique at a programmed overcooling of supersaturated melt-solution.; Методом рiдинної епiтаксiї при програмному переохолодженнi пересиченого розчину-розплаву на пiдкладках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, і РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ у широкому дiапазонi складiв вирощенi iзоперiоднi епiтаксiйнi шари чотирикомпонентних твердих розчинiв Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ товщиною 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К.; Методом жидкофазной эпитаксии при программном переохлаждении пересыщенного раствора-расплава на подложках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, и РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ в широком диапазоне составов выращены изопериодные эпитаксиальные слои четырёхкомпонентных твёрдых растворов Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ толщиной 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ и µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К.

2005-01-01T00:00:00Z Cheremskoy, P.G. Pugachov, A.T. Sobol, O.V. Malykhin, S.V. Toptygin, A.L. Panikarsky, A.S. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/138869 2018-06-20T00:08:43Z 2005-01-01T00:00:00Z

Condensation-dependent porosity in film nanostructures Cheremskoy, P.G.; Pugachov, A.T.; Sobol, O.V.; Malykhin, S.V.; Toptygin, A.L.; Panikarsky, A.S. The formation processes and behavior of submicro-, micro- and macropores in amorphous, poly- and single-crystalline condensed systems at multiple-factor external influence are considered. The pore formation mechanisms depending on physical and technological condensation conditions are discussed as well as effects of external factors on the porous structure stability.; Рассмотрены процессы образования и поведения пор в аморфных, поли- и монокристаллических конденсированных системах при многофакторных внешних воздействиях. Обсуждаются механизмы порообразования в зависимости от физико-технологических условий конденсации и влияние внешних воздействий на стабильность пористых структур.; Розглянуто процеси утворення i поведiнки субмiкро-, мiкро- i макропор у аморфних, полi- та монокристалiчних конденсованих системах при багатофакторному зовнiшньому впливi. Обговорюються механiзми пороутворення у залежностi вiд фiзико- технологiчних умов конденсацiї i вплив зовнiшнiх чинникiв на стабiльнiсть пористих структур.

2005-01-01T00:00:00Z Klochko, N.P. Volkova, N.D. Starikov, V.V. Kopach, V.R. Dobrotvorskaya, M.V. Mateychenko, P.V. Novikov, V.O. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/138868 2018-06-20T00:08:42Z 2005-01-01T00:00:00Z

Utilization of alternating current methods for manufacture of selective absorbing coatings for heat collectors Klochko, N.P.; Volkova, N.D.; Starikov, V.V.; Kopach, V.R.; Dobrotvorskaya, M.V.; Mateychenko, P.V.; Novikov, V.O. Electrochemical processes, taking place during alternating current treatment of aluminum, and dependence of morphology, chemical composition and electrical properties of obtained surface on treatment regimes have been studied. The conditions, providing the formation of selectively absorbing Al/Al203 coating in hydrochloric acid solutions, have been determined. To improve the optical characteristics of such coatings we have elaborated an electrochemical alternating current deposition of cupric oxide on their surface in form of isolated CuО nanoparticles. The method is environmentally safe and does not require any re-equipment. It provides an enhanced spectral selectivity due to increase of sunlight absorption in visible spectral region without a significant emissivity increase in the infrared one.; Изучены процессы, протекающие при электрохимической обработке алюминия переменным током. Исследована зависимость химического состава, морфологии и электрических свойств поверхности от режима обработки и определены условия, при которых в солянокислых растворах образуются селективные поглощающие покрытия Al/Al₂О₃. Для улучшения оптических характеристик таких покрытий разработан электрохимический переменнотоковый метод нанесения на их поверхность оксида меди в виде отдельных наночастиц CuО. Метод безопасен с экологической точки зрения, не требует замены технологической оснастки и приводит к увеличению спектральной селективности покрытий за счет роста коэффициента поглощения в видимой области спектра без заметного возрастания излучательной способности в инфракрасной области.; Вивчено процеси, якi вiдбуваються протягом електрохiмiчної обробки алюмiнiю змiнним струмом. Дослiджено залежнiсть хiмiчного складу, морфологiї та електричних властивостей поверхонь вiд режимiв обробки i визначено умови, за яких в солянокислих розчинах можуть бути виготовленi селективнi поглинаючi покриття AI/AI₂O₃. 3 метою полiпшення оптичних властивостей таких покриттiв розроблено змiннострумовий електрохiмiчний метод нанесення на їх поверхню оксиду мiдi у формi окремих наночастинок CuО. Метод є безпечним з екологiчного погляду, не потребує замiни технологiчної оснастки i приводить до збiльшення спектральної селективностi покриттiв внаслiдок пiдвищення коефiцiєнта поглинання у видимiй частинi сонячного спектра без помiтного зростання здатностi до випромiнювання в iнфрачервонiй частинi.

2005-01-01T00:00:00Z Vus, A.S. Savitsky, B.A. Zubarev, E.N. Moskalets, M.V. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/138867 2018-06-20T00:08:42Z 2005-01-01T00:00:00Z

Structure changes in C₆₀-Bi composite films irradiated by accelerated electron beam Vus, A.S.; Savitsky, B.A.; Zubarev, E.N.; Moskalets, M.V. The structure of unsupported epitaxial films of С₆₀-Bi composite with hcp lattice has been studied after irradiation by 100 keV electron beam in the electron microscope column. А short-time irradiation of the film by electrons at the average current density of 40 А/cm² results in the composite evaporation in the beam central area. In the film boundary region, pores are formed of dimensions well correlated with the nanodimensional areas of the segregated bismuth. The electron bombardment results in reduced interplanar spacings depending on the plane system index and the irradiation intensity. А qualitative mechanism of pore formation has been proposed.; Исследована структура свободных эпитаксиальных пленок композита С₆₀-Bi с ГПУ решеткой после облучения пучком электронов с энергией 100 кэВ в колонне электронного микроскопа. Кратковременное облучение пленки электронами при средней плотности тока 40 А/см² вызывает испарение композита в центральной части пучка. В пограничной области пленки образуются поры, размеры которых хорошо коррелируют с наноразмерными областями сегрегированного висмута. Электронная бомбардировка приводит к уменьшению межплоскостных расстояний, зависящих от индекса системы плоскостей и интенсивности облучения. Предложена качественная модель, описывающая механизм образования пор.; Дослiджено структуру вiльних епiтаксiальних плiвок композиту С₆₀-Bi з гексагональною щiльно пакованою граткою пiсля опромiнення пучком електронiв з енергiєю 100 кеВ у колонi електронного мiкроскопа. Короткочасне опромiнення плiвки електронами при середнiй густинi струму 40 А/см² спричиняє випаровування композиту в центральнiй частинi пучка. У примежовiй областi плiвки утворюються пори, розмiри яких добре корелюють з нанорозмiрними областями сегрегованого вiсмуту. Електронне бомбардування спричиняє зменшення мiжплощинних вiдстаней, яке залежить вiд iндекса системи площин та вiд iнтенсивностi опромiнення. 3апропоновано якiсну модель, що описує механiзм утворення пор.

2005-01-01T00:00:00Z