http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/131168 2026-04-18T18:59:42Z 2026-04-18T18:59:42Z Jouini, Z. Kurakevych, O.O. Moutaabbid, H. Godec, Le Y. Mezouar, M. Guignot, N. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/131179 2018-03-15T01:03:01Z 2016-01-01T00:00:00Z

Phase boundary between Na–Si clathrates of structures I and II at high pressures and high temperatures Jouini, Z.; Kurakevych, O.O.; Moutaabbid, H.; Godec, Le Y.; Mezouar, M.; Guignot, N. Understanding of the covalent clathrate formation is a crucial point for the design of new superhard materials with intrinsic coupling of superhardness and metallic conductivity. It has been found that silicon clathrates have the archetype structures, which can serve an existent model compounds for superhard clathrate frameworks Si–B, Si–C, B–C and C with intercalated atoms (e.g., alkali metals or even halogens) that can assure the metallic properties. Here we report our in situ and ex situ studies of high-pressure formation and stability of clathrates Na₈Si₄₆ (structure I) and Na₂₄₊xSi₁₃₆ (structure II). Experiments have been performed using standard Paris–Edinburgh cells (opposite anvils) up to 6 GPa and 1500 K. We have established that chemical interactions in the Na–Si system and transition between two structures of clathrates occur at temperatures below silicon melting. The strong sensitivity of crystallization products to the sodium concentration has been observed. A tentative diagram of clathrate transformations has been proposed. At least up to ~ 6 GPa, Na₂₄₊xSi₁₃₆ (structure II) is stable at lower temperatures as compared to Na₈Si₄₆ (structure I).; Изучен in situ и ex situ процесс образования при высоких давлениях и стабильности клатратов Na₈Si₄₆ (структура I) и Na₂₄₊xSi₁₃₆ (структура II). Эксперименты были проведены в стандартных Париж-Эдинбургских ячейках (opposite anvils) при давлениях и температурах до 6 ГПа и 1500 K соответственно. Установлено, что химическое взаимодействие в системе Na–Si и переходы между двумя структурами клатратов происходят при температурах ниже температуры плавления кремния. Предложено первое приближение диаграммы превращений клатратов. Отмечена большая чувствительность продуктов кристаллизации к концентрации натрия. Na₂₄₊xSi₁₃₆ (структура II) является стабильной при более низких температурах по сравнению с Na₈Si₄₆ (структура I), по крайней мере до ~ 6 ГПа.; Вивчено in situ і ex situ процес утворення при високих тисках і стабільності клатратів Na₈Si₄₆ (структура I) і Na₂₄₊xSi₁₃₆ (структура II). Експерименти було проведено в стандартних Париж-Единбурзький комірках (opposite anvils) при тисках і температурах до 6 ГПа і 1500 K відповідно. Встановлено, що хімічна взаємодія в системі Na–Si і переходи між двома структурами клатратов відбуваються при температурах нижче температури плавлення кремнію. Запропоновано перше наближення діаграми перетворень клатратів. Відзначено велику чутливість продуктів кристалізації до концентрації натрію. Na₂₄₊xSi₁₃₆ (структура II) є стабільною при більш низьких температурах у порівнянні з Na₈Si₄₆ (структура I), принаймні до ~ 6 ГПа.

2016-01-01T00:00:00Z Долматов, В.Ю. Кулакова, И.И. Myllymäki, V. Vehanen, A. Бочечка, А.А. Панова, А.Н. Nguyen, B.T.T. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/131178 2018-03-15T01:02:53Z 2016-01-01T00:00:00Z

Инфракрасные спектры алмазов различного генезиса и способов очистки Долматов, В.Ю.; Кулакова, И.И.; Myllymäki, V.; Vehanen, A.; Бочечка, А.А.; Панова, А.Н.; Nguyen, B.T.T. Сопоставлены ИК-спектры алмазов различного генезиса, как природных, так и искусственных – детонационного, динамического и статического синтеза, подвергнутых очистке в различных условиях. Показано, что в ИК-диапазоне имеются полосы поглощения при 421, 945, 1022, 2854, 2920 и 3368 см⁻¹, характерные для большинства исследованных образцов. Установлено, что независимо от генезиса алмазов при их очистке с использованием серной кислоты в ИК-спектрах присутствуют полосы поглощения связей S–S, C–S, а после очистки в азотной кислоте – связей C–N. Подтверждено наличие функциональных групп C–H и –ОН.; Зіставлено ІЧ-спектри алмазів різного генезису, як природних, так і синтетичних – детонаційного, динамічного і статичного синтезу, очищених в різних умовах. Показано, що в ІЧ-спектральному діапазоні є частоти, при яких поглинає більшість досліджених зразків (421, 945, 1022, 2 854, 2 920 і 3368 см⁻¹). Встановлено, що незалежно від генезису алмазів при їх очищенні з використанням сірчаної кислоти в ІЧ-спектрах присутні смуги поглинання зв’язків S–S, C–S, а після очищення в азотній кислоті – зв’язків C–N. Підтверджено наявність функціональних груп C–H і –ОН.; The authors compare IR spectra of diamonds of different origins, both natural and synthetic ones − produced by detonation, dynamic, and static syntheses, and subjected to purifying treatment under various conditions. It is shown that in the IR-spectral range there are absorption bands at 421, 945, 1022, 2854, 2920, and 3368 cm⁻¹, which are typical of the majority of the samples studied. Whatever the origin of diamonds, their IR spectra have been found to contain absorption bands of S–S, C–S bonds (upon treatment with sulfuric acid), and C–N bonds (after treatment with nitric acid). The presence of functional C–H and –OH groups has been confirmed.

2016-01-01T00:00:00Z Девин, Л.Н. Рычев, С.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/131177 2018-03-15T01:03:11Z 2016-01-01T00:00:00Z

Экспериментальное исследование влияния инструментального материала и режимов тонкого точения на уровень сигналов акустической эмиссии Девин, Л.Н.; Рычев, С.В. Исследовано влияние режимов резания на сигналы акустической эмиссия при тонком точении алюминиевых сплавов. Каждый сигнал акустической эмиссия был разделен на два участка, первый из которых преимущественно связан с образованием стружки, второй – с трением инструмента по заготовке. При исследовании использовали монокристаллы природного и синтетического алмаза, а также твердый сплав ВК6. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что при алмазном точении основной сигнал акустической эмиссия излучается при образовании стружки, а при точении твердым сплавом зачастую выше доля излучаемого сигнала от трения по задней поверхности, и она зависит от режимов обработки.; Досліджено вплив режимів різання на сигнали акустичної емісії при тонкому точінні алюмінієвих сплавів. Кожен сигнал акустичної емісії був розділений на дві ділянки, перша з яких переважно пов’язана з утворенням стружки, друга – з тертям інструменту по заготовці. При дослідженні використовували монокристали природного та синтетичного алмазу, а також твердий сплав ВК6. Експериментальні дані свідчать про те, що при алмазному точінні основний сигнал акустичної емісії випромінюється при утворенні стружки, а при точінні твердим сплавом часто більша частка випромінюваного сигналу від тертя по задній поверхні, і вона залежить від режимів обробки.; The paper addresses the influence of cutting conditions on acoustic emission signals in fine turning of aluminum alloys. Each AE signal was split into two sections: the first one is associated mostly with the chip formation and the second one with the tool–workpiece friction. The tool materials were single crystals of natural and synthetic diamond as well as hardmetal WC–6Co. The experimental data demonstrate that in diamond turning the main signal is emitted during the chip formation, while in the case of hardmetal turning the portion of the signal emitted due to the tool flank friction is often larger and depends on the cutting conditions.

2016-01-01T00:00:00Z Шейко, М.Н. Скок, В.Н. Пасичный, О.О. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/131176 2018-03-15T01:03:01Z 2016-01-01T00:00:00Z

Форма зерен как фактор, определяющий параметры алмазно-гальванического покрытия правящего инструмента. Сообщение 2. Фактическая площадь контакта зерен с графитовой формой и смежные характеристики как исходные для расчета режимов нанесения алмазно-гальванического покрытия методом гальванопластики Шейко, М.Н.; Скок, В.Н.; Пасичный, О.О. Приведены экспериментально установленные данные фактической площади контакта зерен с графитовой формой, используемой в технологии нанесения алмазно-гальванического покрытия правящего инструмента методом гальванопластики. Также приведены результаты определения максимального сечения алмазных зерен порошков различных зернистостей, удельного числа зерен на поверхности, их ориентации, которые необходимы для расчета площади свободной поверхности осаждаемого никеля, а следовательно, скорости и времени осаждения, а также конечной толщины алмазно-гальванического покрытия.; Наведено експериментально встановлені дані фактичної площі контакту зерен з графітової формою, що використовують в технології нанесення алмазногальванічного покриття правлячого інструменту методом гальванопластики. Також наведено результати визначення максимального перетину алмазних зерен порошків різних зернистостей, питомої кількості зерен на поверхні, їх орієнтації, що необхідні для розрахунку площі вільної поверхні осаджуваного нікелю, а отже, швидкості, часу і кінцевої товщини алмазно-гальванічного покриття.; The paper gives experimental data on the actual contact area between grains and the graphite form used in the process of deposition of a diamond coating onto a dressing tool by the electroforming method. Also, the authors provide the results of determination of the maximum section of diamond grains in the powders of different grain sizes, the specific number of grains on the surface and their orientation − the data needed for the calculation of the free surface area of nickel being deposited, and thus the deposition rate and time as well as the final thickness of the diamond electroplated coating.

2016-01-01T00:00:00Z