http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129038 2026-04-24T06:08:14Z 2026-04-24T06:08:14Z Лончаков, А.Т. Бобин, С.Б. Дерюшкин, В.В. Окулов, В.И. Говоркова, Т.Е. Неверов, В.Н. Памятных, Е.А. Паранчич, Л.Д. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129458 2018-01-20T01:03:18Z 2017-01-01T00:00:00Z

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта Лончаков, А.Т.; Бобин, С.Б.; Дерюшкин, В.В.; Окулов, В.И.; Говоркова, Т.Е.; Неверов, В.Н.; Памятных, Е.А.; Паранчич, Л.Д. В кристаллах селенида ртути, легированных примесями кобальта малой концентрации, обнаружены квантовые осцилляции аномальной составляющей холловского сопротивления с амплитудой, превосходящей амплитуду осцилляций Шубникова–де Гааза поперечного магнитосопротивления. В соответствии с предсказаниями теории эффекта Холла для систем со спонтанной спиновой поляризацией гибридизированных донорных электронов наблюдаемые осцилляции отвечают магнитным квантовым осцилляциям, обусловленным термодинамическим аномальным эффектом Холла.; У кристалах селеніду ртуті, легованих домішками кобальту малої концентрації, виявлено квантові осциляції аномальної складової холлівського опору з амплітудою, що перевершує амплітуду осциляцій Шубнікова–де Гааза поперечного магнітоопору. Відповідно до передбачень теорії ефекту Холла для систем із спонтанною спіновою поляризацією гібридизованих донорних електронів спостережувані осциляції відповідають магнітним квантовим осциляціям, які обумовлені термодинамічним аномальним ефектом Холла.; Quantum oscillations of the anomalous component of Hall resistance with an amplitude exceeding the amplitude of the Shubnikov-de Haas oscillations of transverse magnetoresistance are observed in mercury selenide crystals doped with low concentrations of cobalt impurity. In accordance with the predictions of the Hall effect theory for systems with spontaneous spin polarization of hybridized donor electrons, the observed oscillations correspond to magnetic quantum oscillations caused by the thermodynamic anomalous Hall effect.

2017-01-01T00:00:00Z Лашкарев, Г.В. Карпина, В.А. Овсянникова, Л.И. Картузов, В.В. Дранчук, Н.В. Годлевский, М. Петрушка, Р. Хомяк, В.B. Петросян, Л.И. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129457 2018-01-20T01:03:11Z 2017-01-01T00:00:00Z

Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка Лашкарев, Г.В.; Карпина, В.А.; Овсянникова, Л.И.; Картузов, В.В.; Дранчук, Н.В.; Годлевский, М.; Петрушка, Р.; Хомяк, В.B.; Петросян, Л.И. Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.; Розглянуто властивості прозорих провідних матеріалів на основі широкозонного напівпровідника оксиду цинку, перспективного для застосування у фотовольтаїці та рідкокристалічних дисплеях. Вивчено вплив алюмінію на провідність тонких плівок ZnO, які осаджені методом атомно-шарового росту. Проведено температурні дослідження концентрації, рухливості і питомого електроопору у діапазоні температур 77–300 К, які свідчать про металеву провідність сильно легованих плівок. Електроактивність алюмінію як донорної домішки в гратці ZnO вивчено для тонких плівок, вирощених методом атомного пошарового осадження на скло та кремній, які містять 1–7 ат.% алюмінію. Обговорено причини низької електроактивності Al в ZnO і запропоновано шляхи її підвищення.; The properties of transparent conductive materials based on wide-gap zinc oxide semiconductors are considered, which are promising in their application to photovoltaics and liquid crystal displays. The impact of aluminum doping on the conductivity of thin ZnO films is examined. Temperature studies of the concentration, mobility, and resistivity in the temperature range of 77–300 K are conducted, revealing the metal conductivity of highly doped films. The electroactivity of aluminum as a donor impurity in the ZnO lattice is studied for thin films grown using atomic layer deposition on glass and silicone, containing 1–7 at. % aluminum. The reasons behind the low electroactivity of Al in ZnO are discussed, as are the methods for its enhancement.

2017-01-01T00:00:00Z Чурманов, В.Н. Соколов, В.И. Пустоваров, В.А. Груздев, Н.Б. Уймин, М.А. Бызов, И.В. Дружинин, А.В. Королев, А.В. Ким, Г.А. Зацепин, А.Ф. Кузнецова, Ю.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129456 2018-01-20T01:04:24Z 2017-01-01T00:00:00Z

Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg₁₋cO Чурманов, В.Н.; Соколов, В.И.; Пустоваров, В.А.; Груздев, Н.Б.; Уймин, М.А.; Бызов, И.В.; Дружинин, А.В.; Королев, А.В.; Ким, Г.А.; Зацепин, А.Ф.; Кузнецова, Ю.А. В оксидах NicMg₁₋cO (с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8–300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3d-состояний иона Ni²⁺ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов NicMg₁₋cO обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p-состояниями иона кислорода.; У оксидах NicMg₁₋cO (с = 0,008) спостерігалася випромінювальна рекомбінація з перенесенням заряду в інтервалі температур 8–300 К, що виникає за рахунок сильної гібридизації 3d-станів іона Ni²⁺ та зонних станів. У спектрі збудження випромінювання з перенесенням заряду зареєстровано коливальні LO повторення двох ліній екситонів з перенесенням заряду з інтервалом по енергії приблизно 25 меВ. У спектрі поглинання нанокристалів NiO виявлено два слабкі піки з енергіями 3,510 та 3,543 еВ, які сильно залежать від температури. Вони інтерпретуються як екситони з перенесенням заряду на краю фундаментального поглинання NiO. Відстань між лініями екситонів з перенесенням заряду в спектрах оксидів NicMg₁₋cO обумовлено спін-орбітальним розщеплюванням вершини валентної зони, що формується p-станами іона кисню.; Radiative recombination with charge transfer was observed in NicMg₁₋cO ( c = 0.008) oxides over the 8–300 K temperature range. This recombination occurs as a result of strong hybridization of the Ni²⁺ ion 3d-states and the band states. The charge transfer radiation excitation spectrum shows vibrational LO repeats of two exciton lines having charge transfer energy intervals of about 35 meV. The NiO nanocrystal absorption spectrum shows two weak peaks with energies of 3.510 and 3.543 eV, which are highly dependent on temperature. They are interpreted as charge transfer excitons at the edge of NiO fundamental absorption. The distance between the charge transfer exciton lines in the NicMg₁₋cO oxide spectra are caused by spin-orbit splitting of the valence band peak that was formed by the p-states of the oxygen ion.

2017-01-01T00:00:00Z Говоркова, Т.Е. Жевстовских, И.В. Лончаков, А.Т. Окулов, В.И. Окулова, К.А. Подгорных, С.М. Бобин, С.Б. Дерюшкин, В.В. Паранчич, Л.Д. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129454 2018-01-20T01:04:16Z 2017-01-01T00:00:00Z

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути Говоркова, Т.Е.; Жевстовских, И.В.; Лончаков, А.Т.; Окулов, В.И.; Окулова, К.А.; Подгорных, С.М.; Бобин, С.Б.; Дерюшкин, В.В.; Паранчич, Л.Д. Получены новые экспериментальные данные о проявлениях эффектов гибридизации и спиновой поляризации 3d-состояний донорных электронов примесных атомов кобальта низкой концентрации в кристаллах селенида ртути. Исследованы холловская концентрация и подвижность электронов проводимости в зависимости от концентрации примесей, температурные зависимости электронной подвижности, теплоемкости и упругих модулей при низких температурах. Выполнена количественная интерпретация наблюдаемых зависимостей на основе разработанной ранее теории в обоснованной упрощенной модели одного пика локализации в плотности состояний электронов. В итоге определены значения параметров гибридизированных состояний примесей кобальта, полученные согласованной подгонкой наблюдаемых экспериментальных зависимостей, и обнаружены свидетельства спонтанной спиновой поляризации электронов в температурных зависимостях примесной теплоемкости и примесного вклада в упругие модули.; Отримано нові експериментальні дані про прояви ефектів гібридизації і спінової поляризації 3d-станів донорних електронів домішкових атомів кобальту низької концентрації у кристалах селеніду ртуті. Досліджено холлівську концентрацію та рухливість електронів провідності залежно від концентрації домішок, температурні залежності електронної рухливості, теплоємності і пружних модулів при низьких температурах. Виконано кількісну інтерпретацію спостережуваних залежностей на основі розробленої раніше теорії в обгрунтованій спрощеній моделі одного піку локалізації в щільності станів електронів. У результаті визначено значення параметрів гібридизованих станів домішок кобальту, які отримано погодженою підгонкою спостережуваних експериментальних залежностей, і виявлено свідчення спонтанної спінової поляризації електронів в температурних залежностях домішкової теплоємності і домішкового вкладу в пружні модулі.; New experimental data on the manifestation of hybridization and spin polarization effects in 3 d-states of donor electrons of a low concentration of cobalt atoms in mercury selenide crystals are obtained. The Hall concentration and mobility of conduction electrons as a function of impurity concentration, and the temperature dependences of the electron mobility, specific heat, and elastic moduli at low temperatures, are investigated. A quantitative interpretation of the observed dependences based on an earlier-developed theory in a justified simplified model of a single localization peak in the electron density of states is performed. As a result, the hybridization parameters of the cobalt states are determined by consistently fitting the observed experimental dependences, and evidence for the spontaneous spin polarization of electrons in the temperature dependences of the impurity specific heat and impurity contribution to the elastic moduli is detected.

2017-01-01T00:00:00Z