http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127438 2026-04-25T08:23:35Z 2026-04-25T08:23:35Z Прохватилов, А.И. Стржемечный, М.А. Гальцов, Н.Н. Пышкин, О.С. Буравцева, Л.М. Аксенова, Н.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128509 2018-01-11T01:02:52Z 2016-01-01T00:00:00Z

Параметры решетки и тепловое расширение кристаллов 2-бромбензофенона в области 90–300 К Прохватилов, А.И.; Стржемечный, М.А.; Гальцов, Н.Н.; Пышкин, О.С.; Буравцева, Л.М.; Аксенова, Н.А. С помощью метода порошковой рентгеновской дифрактометрии определены параметры моноклинной решетки ортобромбензофенона (2-BrBP) в интервале температур 90–300 К. Установлено, что ортобромбензофенон имеет малые коэффициенты линейного теплового расширения (порядка 10⁻⁵ К⁻¹) и характеризуется слабой анизотропией. В исследованном температурном интервале фазовых переходов не обнаружено.; Методом порошкової рентгенівської дифрактометрії визначено параметри моноклінної гратки ортобромбензофенона (2-BrBP) в інтервалі температур 90–300 К. Встановлено, що ортобромбензофенон має малі коефіцієнти лінійного теплового розширення (близько 10⁻⁵ К⁻¹) та характеризується слабкою анізотропією. У дослідженому температурному інтервалі фазових переходів не виявлено.; Using powder x-ray diffractometry, the lattice parameters and the thermal exppansivities of orthobromobenzophenone crystals have been determined over the temperature range from 90 to 300 K. It has been established that orthobromobenzophenone has low linear expansion coefficients (of order 10⁻⁵ К⁻¹) and a weak anisotropy. Within the above temperature range, no phase transition has been observed .

2016-01-01T00:00:00Z Nikonkov, R.V. Stachowiak, P. Jeżowski, A. Krivchikov, A.I. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128508 2018-01-11T01:02:39Z 2016-01-01T00:00:00Z

Thermal conductivity of argon–SiO₂ cryocrystal nanocomposite Nikonkov, R.V.; Stachowiak, P.; Jeżowski, A.; Krivchikov, A.I. The effective thermal conductivity of samples of cryocrystal nanocomposite obtained from argon and SiO2 nanopowder was determined in the temperature interval 2–35 K using the steady-state method. The thermal conductivity of crystalline argon with nanoparticles of amorphous silica oxide embedded in its structure shows a weak dependence on particle linear dimension in the interval 5–42 nm. The temperature dependence of the thermal conductivity of the nanocomposites can be well approximated by taking into account only the two mechanisms of heat carrier scattering: phonon-phonon interaction in U-processes and scattering of phonons by dislocations.

2016-01-01T00:00:00Z Shkop, A.D. Parafilo, A.V. Krive, I.V. Shekhter, R.I. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128507 2018-01-11T01:03:15Z 2016-01-01T00:00:00Z

Low-energy anomalies in electron tunneling through strongly asymmetric Majorana nanowire Shkop, A.D.; Parafilo, A.V.; Krive, I.V.; Shekhter, R.I. Electron transport through Majorana nanowire with strongly asymmetric couplings to normal metal leads is considered. In three terminal geometry (electrically grounded nanowire) it is shown that the presence of unbiased electrode restores zero-bias anomaly even for strong Majorana energy splitting. For effectively two-terminal geometry we show that electrical current through asymmetric Majorana junction is qualitatively different from the analogous current through a resonant (Breit–Wigner) level.

2016-01-01T00:00:00Z Хоткевич, А.В. Красный, А.С. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/128506 2018-01-11T01:03:12Z 2016-01-01T00:00:00Z

Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка Хоткевич, А.В.; Красный, А.С. При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт- амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ). МК спектр содержит два основных максимума при энергиях 10 и 25 мэВ. Граница однофононной части спектра отвечает 34 мэВ. Это согласуется с известными результатами о плотности фононных состояний. Предполагая, что инверсный МК спектр отражает особенности спектральной функции ЭФВ, рассчитана среднеквадратичная частота фононов и получена оценка для температуры Дебая.; При температурі рідкого гелію виміряно мікроконтактні (МК) спектри (другі похідні вольт-амперних характеристик) точкових гомоконтактів As/As. Спостерігалася інверсія знаку МК спектра внаслідок руйнування локалізації електронів у контакті з миш’яку через електрон-фононну взаємодію (ЕФВ). МК спектр містить два основних піки при енергіях 10 та 25 меВ. Межа однофононної частини спектра відповідає 34 меВ. Це узгоджується з відомими результатами щодо щільності фононних станів. Припускаючи, що інверсний МК спектр відображає особливості спектральної функції ЕФВ, підраховано середньоквадратичну частоту фононів і отримано оцінку щодо температури Дебая.; Point-contact (PC) spectra (second derivatives of the current-voltage characteristics) of the point homocontacts As/As were measured at liquid He temperatures. Inversion of the PC spectrum sign was observed as a result of destruction of the electron localization inside the arsenic-based contacts caused by the electronphonon interaction (EPI). The PC spectrum is characterised by two dominant maxima at 10 and 25 meV. The boundary of single-phonon part of the spectrum corresponds to 34 meV. The latter is in agreement with known data on the phonon density of states in As. In assumption that the inversed PC spectrum reflects peculiarities of the EPI spectral function the mean square phonon frequency was calculated along with an estimated value of the Debye temperature.

2016-01-01T00:00:00Z