http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125796 2026-04-07T04:39:01Z 2026-04-07T04:39:01Z Фирстов, С.А. Печковский, Э.П. Горбань, В.Ф. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125804 2017-11-05T01:03:06Z 2006-01-01T00:00:00Z

Прочность и пластичность спеченных материалов на основе титанового наноламината Ti₃SiC₂ Фирстов, С.А.; Печковский, Э.П.; Горбань, В.Ф. На примере одного из наиболее изученных тройных соединений нового класса материалов наноламинатов, — титанокремнистого карбида Ti₃SiC₂, изготовленного методом реакционного спекания порошковой смеси элементов и двойных соединений, — выполнены системный анализ и обобщение влияния изученных структурных и фазовых изменений, происходящих в этом материале при различных видах обработки, на закономерности, особенности и механизмы процессов деформации, упрочнения и разрушения в интервале температур 20–1300°C.; На прикладі однієї з найбільш вивчених потрійних сполук нової кляси матеріялів нанолямінатів, — титанокремністого карбіду Ti₃SiC₂, виготовленого методою реакційного спікання порошкової суміші елементів і подвійних сполук, — виконано системну аналізу і узагальнення впливу вивчених структурних і фазових змін, що відбуваються в цьому матеріялі при ріжних видах обробки, на закономірності, особливості і механізми процесів деформації, зміцнення й руйнування в інтервалі температур 20–1300°C.; By the example of one of the most investigated ternary compounds of a new class of materials—nanolaminates—titanium silicon carbide Ti₃SiC₂ fabricated by the method of reactionary sintering of a powder mixture of elements and binary compounds, the system analysis and generalization of an influence of the investigated structural and phase changes occurring in this material at various kinds of processing on regularities, features and mechanisms of deformation, strengthening and fracture processes within the temperature interval of 20–1300°C are executed.

2006-01-01T00:00:00Z Фліс, В.С. Пан, В.М. Комашко, В.А. Москалюк, В.О. Пешко, І.І. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125803 2017-11-05T01:03:04Z 2006-01-01T00:00:00Z

Фізико-технологічні основи осадження тонких ВТНП-плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ Фліс, В.С.; Пан, В.М.; Комашко, В.А.; Москалюк, В.О.; Пешко, І.І. Виконано ретельні теоретичні й експериментальні дослідження та модернізацію окремих процесів лазерної та магнетронної метод осадження з метою створення YBa₂Cu₃O₇₋δ плівок та бар’єрних шарів CeО₂ з контрольованою кристалічною структурою і високими надпровідними властивостями плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ. У результаті роботи розроблено фізико-технологічні основи процесу одержання надпровідних плівок YBa₂Cu₃O₇₋δ на діелектричних (сапфірових) підложжях із використанням бар’єрного шару CeО₂, як методою двопроменевого лазерного осадження, так і магнетронного розпорошення.; Проведены тщательные теоретические и экспериментальные исследования и модернизация отдельных процессов лазерного и магнетронного методов осаждения с целью создания YBa₂Cu₃O₇₋δ пленок и барьерных слоев СеО₂ с контролируемой кристаллической структурой и высокими сверхпроводящими свойствами пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ. В результате работы разработаны физико-технологические основы получения сверхпроводящих пленок YBa₂Cu₃O₇₋δ на диэлектрических (сапфировых) подложках с использованием барьерного слоя CeО₂, как методом двухлучевого лазерного осаждения, так и магнетронного распыления.; The careful experimental and theoretical studies followed by a subsequent improvement of high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films’ and buffer CeО₂ layers’ deposition technologies with a use of laser and magnetron deposition techniques are carried out in order to obtain СеО₂-buffered high-Tc superconducting YBa₂Cu₃O₇₋δ films with a controllable crystalline structure and high superconducting properties. As a result of this work, the physical and technological backgrounds of the deposition processes of perfect YBa₂Cu₃O₇₋δ films on dielectric (sapphire) substrates with a use of buffer CeО₂ layers are developed for both two-beam laser and magnetron deposition techniques.

2006-01-01T00:00:00Z