http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125487 2026-04-06T09:01:11Z 2026-04-06T09:01:11Z Шулыма, С.И. Таныгин, Б.Н. Коваленко, В.Ф. Петричук, М.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125498 2017-10-29T00:03:01Z 2017-01-01T00:00:00Z

Особенности формирования и трансформирования кластеров наночастиц Fe₃O₄ в магнитной жидкости под действием длительного импульса магнитного поля Шулыма, С.И.; Таныгин, Б.Н.; Коваленко, В.Ф.; Петричук, М.В. Исследованы особенности оптического пропускания тонким слоем магнитной жидкости (МЖ) во внешнем магнитном поле. Наблюдаемый эффект инверсии направления оптической экстинкции (ИНОЭ) возникает через некоторое время после включения магнитного поля и его выключения. Время наступления ИНОЭ зависит от величины амплитуды поля и от длины волны λ зондирующего оптического излучения. Существование ИНОЭ связывается с динамикой трансформирования (образования или разрушения) кластеров магнитных наночастиц в МЖ под действием магнитного поля; Досліджено особливості оптичного пропускання тонким шаром магнетної рідини (МР) у зовнішньому магнетному полі. Спостережений ефект інверсії напрямку оптичної екстинкції (ІНОЕ) виникає через деякий час після вмикання магнетного поля та його вимикання. Час настання ІНОЕ залежить від величини амплітуди поля та від довжини хвилі λ зондувального оптичного випромінення. Існування ІНОЕ пов'язується з динамікою трансформування (утворення або руйнування) кластерів магнетних наночастинок у МР під дією магнетного поля; Features of the optical transmission by means of the thin ferrofluid (FF) layer in an external magnetic field are studied. The observed effect of optical-extinction trend inversion (OETI) occurs over time after the magnetic field switching on and switching off. The onset time of OETI depends on the magnitude of field amplitude and on the wavelength λ of the probing optical radiation. The OETI existence is associated with magnetic-nanoparticles’ clusters’ transformation (formation or destruction) dynamics in FF under the magnetic field action.

2017-01-01T00:00:00Z Макогон, Ю.Н. Сидоренко, С.И. Шкарбань, Р.А. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125497 2017-10-29T00:03:18Z 2017-01-01T00:00:00Z

Влияние среды отжига на формирование наноразмерных плёнок Co–Sb — функциональных термоэлектрических элементов Макогон, Ю.Н.; Сидоренко, С.И.; Шкарбань, Р.А. Изучено влияние температуры подложки и среды отжига (вакуум или атмосфера азота) на формирования фазового состава и структуры наноразмерных плёнок CoSbх (30 нм) (1,8 ≤ х ≤ 4,2) с концентрацией Sb от 65 ат.% до 81 ат.%.; Вивчено вплив температури підкладинки та середовища відпалу (вакуум або атмосфера азоту) на формування фазового складу та структури нанорозмірних плівок CoSbх (30 нм) (1,8 ≤ х ≤ 4,2) з концентрацією Sb від 65 ат.% до 81 ат.%.; Effect of both the substrate temperature and the annealing atmosphere (vacuum or nitrogen atmosphere) on the formation of the phase composition and structures in nanoscale CoSbх films (30 nm) (1.8 ≤ х ≤ 4.2) with concentration of Sb from 65 at.% to 81 at.% is investigated.

2017-01-01T00:00:00Z Chermime, Brahim Abboudi, Abdelaziz Djebaili, Hamid Brioua, Mourad http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125496 2017-10-29T00:03:05Z 2017-01-01T00:00:00Z

Characterisation of Mo–V–N Coatings Deposited on XC100 Substrate by Sputtering Cathodic Magnetron Chermime, Brahim; Abboudi, Abdelaziz; Djebaili, Hamid; Brioua, Mourad The aim of this work is the characterization of ternary molybdenum–vana¬dium nitride (Mo–V–N) coatings deposited on silicon and XC100 steel substrates by the reactive radiofrequency dual magnetron sputtering with different contents of the Mo and V targets and nitrogen as reactive gas. The metal-target bias voltages are varied from 300 to 900 V. The hardness, surface morphology, microstructure and composition are studied by nanoindentation, scanning electron microscopy, atomic-force microscopy, and x-ray diffractometry. The Mo–V–N films manifest pyramidal surface morphology, high roughness (of 13.5 nm), but low mechanical properties. Hardness and Young’s modulus are found in the ranges of 10–18 GPa and 100–335 GPa, respectively. The residual stresses of coatings are compressive and varied between 0.8 GPa and 2.5 GPa (calculated with the Stoney formula).; Целью этой работы является характеризация покрытий, изготовленных из трёхкомпонентного молибден-ванадиевого нитрида (Mo–V–N), которые наносились на кремниевые и стальные (ХС100) подложки с помощью реактивного радиочастотного магнетронного двухкатодного распыления мишеней с различным содержанием Mo и V с использованием азота в качестве реагирующего газа. Напряжения смещения металлической мишени варьировались от 300 до 900 В. Твёрдость, морфология поверхности, микроструктура и состав изучались при помощи наноиндентирования, сканирующей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии. Плёнки Mo–V–N обладают пирамидальной морфологией поверхности, высокой шероховатостью (13,5 нм), но низкими механическими свойствами. Твёрдость и модуль Юнга находятся в диапазонах 10–18 ГПа и 100–335 ГПа соответственно. Остаточные напряжения в покрытиях (рассчитанные по формуле Стони) являются сжимающими и изменяются в пределах от 0,8 до 2,5 ГПа; Метою даної роботи є характеризація покриттів із трикомпонентного молібден-ванадійового нітриду (Mo–V–N), що наносилися на кремнійові та сталеві (XC100) поверхні шляхом реактивного радіочастотного магнетронного двокатодного розпорошення цілей із різним вмістом Мо та V із використанням азоту в якості реакційноздатного газу. Відхили напруги зміщення металевої цілі варіювалися від 300 до 900 В. Твердість, морфологію поверхні, мікроструктуру та склад було досліджено за допомогою метод наноіндентування, сканувальної електронної мікроскопії, атомно-силової мікроскопії та рентґенівської дифрактометрії. Плівки Mo–V–N мають пірамідальну морфологію поверхні, високу шерсткість (13,5 нм), але низькі механічні властивості. Твердість і модуль Юнґа лежать у діяпазонах 10–18 ГПа та 100–335 ГПа відповідно. Залишкові напруження у покриттях (обчислені за формулою Стоні) є стискальними і лежать у межах між 0,8 і 2,5 ГПа.

2017-01-01T00:00:00Z Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/125495 2017-10-29T00:03:19Z 2017-01-01T00:00:00Z

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal Ismayilova, N.A.; Orudzhev G.S. Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.; Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.; Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.

2017-01-01T00:00:00Z