<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физика низких температур, 2004, № 12</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118293" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118293</id>
<updated>2026-04-16T13:25:52Z</updated>
<dc:date>2026-04-16T13:25:52Z</dc:date>
<entry>
<title>The electron g factor for one-band and two-band extended models of the electron energy spectrum</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120370" rel="alternate"/>
<author>
<name>Mikitik, G.P.</name>
</author>
<author>
<name>Sharlai, Yu.V.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120370</id>
<updated>2017-06-13T00:03:26Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">The electron g factor for one-band and two-band extended models of the electron energy spectrum
Mikitik, G.P.; Sharlai, Yu.V.
At present, explicit expressions for the electron g factor in crystals are known only for the following&#13;
two cases: either the Fermi energy εF of the electrons lies at the edge of the electron energy&#13;
band, ε (kex), or the electron energy spectrum of a crystal can be approximated by the two-band&#13;
model. Here we obtain explicit formulas for the g factor in situations when the Fermi level ε F is&#13;
close to but does not coincide with the band edge and when the two-band model of the spectrum&#13;
includes small corrections from other electron energy bands. In particular, we derive the expressions&#13;
that describe the dependences of the g factor on ε F - ε (kex) and on the direction of the magnetic&#13;
field for doped semiconductors. The results are applied to III–V semiconductors and to bismuth.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Фононные поляритоны в плоском диэлектрическом волноводе в магнитном поле</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120369" rel="alternate"/>
<author>
<name>Чупис, И.Е.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120369</id>
<updated>2017-06-13T00:03:25Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Фононные поляритоны в плоском диэлектрическом волноводе в магнитном поле
Чупис, И.Е.
Рассмотрены поляритоны ИК и оптического диапазонов, распространяющиеся в изотропном&#13;
диэлектрике с металлическими покрытиями в присутствии постоянного магнитного поля,&#13;
параллельного плоскости слоя. Показано, что постоянное магнитное поле создает невзаимные&#13;
поверхностные моды, ранее не существовавшие на границе с металлом. Число поверхностных&#13;
мод у противоположных стенок различно (1 или 2) и может быть изменено переключением направлений&#13;
магнитного поля или волнового вектора. Поляритон с данной частотой в магнитном&#13;
поле определенного направления распространяется вдоль данной границы только в одну сторону.&#13;
Постоянное магнитное поле создает также новые частотные интервалы объемных мод, пропорциональные&#13;
первой степени магнитного поля, и одновременно уменьшает энергию объемных&#13;
мод, трансформируя ее в поверхностные моды, т.е. происходит «выталкивание» поля&#13;
электромагнитной волны постоянным магнитным полем из объема диэлектрика на его поверхность.&#13;
Этот эффект пропорционален величине постоянного магнитного поля и толщине диэлектрического&#13;
слоя.; Розглянуто поляритони ІЧ та оптичного діапазонів, які розповсюджуються у ізотропному&#13;
діелектрику з металевими покриттями в присутності постійного магнітного поля, яке паралельне&#13;
площині шару. Доведено, що постійне магнітне поле створює невзаємні поверхневі моди, які&#13;
раніше не існували на межі з металом. Число поверхневих мод у протилежних стінок є різним&#13;
(1 чи 2) і може бути змінено переключенням напрямку магнітного поля чи хвильового вектора.&#13;
Поляритон з данною частотою у магнітному полі данного напрямку розповсюджується вздовж&#13;
данної границі лише у один бік. Постійне магнітне поле створює також нові частотні інтервали&#13;
об’ємних мод, які пропорційні першої степені магнітного поля, і одночасно зменшує енергію&#13;
об’ємних мод, трансформує її у поверхневі моди, тобто має місце «виштовхування» поля електромагн&#13;
ітної хвилі постійним магнітним полем з об’єму діелектрика на його поверхню. Цей&#13;
ефект є пропорційним постійному магнітному полю та товщині діелектричного шару.; The polaritons of IR and optical ranges of&#13;
the spectrum propagating in a metal–covered insulator&#13;
in a constant magnetic field parallel to&#13;
the plane of the slab have been considered. It is&#13;
shown that a constant magnetic field induces&#13;
surface modes at the boundary with the metal.&#13;
The number of surface modes is different at the&#13;
opposite boundaries (one or two) and may be&#13;
varied by changing the directions of the magnetic&#13;
field or the wave vector. The polariton&#13;
spectrum possesses strong nonreciprocity: the&#13;
polariton with fixed frequency propagates along a&#13;
given boundary only in one direction. A constant&#13;
magnetic field also forms new frequency intervals&#13;
proportional to the first degree of magnetic field&#13;
in the spectrum of volume modes. A constant&#13;
magnetic field decreases the energy of volume&#13;
polaritons transforming it into surface polaritons.&#13;
In the other words, we observe the effect of the&#13;
«pushing out» the electromagnetic wave field by&#13;
the constant magnetic field from the volume of&#13;
the insulator to its surface. This effect is proportional&#13;
to the constant magnetic field and to the&#13;
thickness of a dielectric slab.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120368" rel="alternate"/>
<author>
<name>Machulin, V.F.</name>
</author>
<author>
<name>Motsnyi, F.V.</name>
</author>
<author>
<name>Peresh, E.Yu.</name>
</author>
<author>
<name>Smolanka, O.M.</name>
</author>
<author>
<name>Svechnikov, G.S.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120368</id>
<updated>2017-06-13T00:06:14Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
Machulin, V.F.; Motsnyi, F.V.; Peresh, E.Yu.; Smolanka, O.M.; Svechnikov, G.S.
The exciton reflection spectra of Cs₃Bi₂I₉ layered crystals is investigated in the temperature region&#13;
 4.2–300 K with light polarization E ⊥ c. It is estimated that the energy gap Eg equals&#13;
 2.857 eV (T = 4.2 K) and the exciton binding energy Ry is 279 meV. A nontraditional temperature&#13;
 shift of Eg(T) for the layered substances is found for the first time. It is learned that this shift is&#13;
 described very well by the Varshni formula. A transition region in the temperature broadening of&#13;
 the half-width H(T) of the exciton band with the increase of temperature is registered in the interval&#13;
 between 150 and 220 K. It is shown that this region may be identified as the heterophase structure&#13;
 region where ferroelastic and paraelastic phases coexist. A surge of H(T) at the point of the&#13;
 ferroelastic phase transition (Tc = 220 K) is also observed.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>О поверхностной намагниченности проводника в переменном электрическом поле</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120364" rel="alternate"/>
<author>
<name>Гохфельд, В.М.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120364</id>
<updated>2017-06-13T00:04:02Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">О поверхностной намагниченности проводника в переменном электрическом поле
Гохфельд, В.М.
Вычислена неравновесная добавка к электронной парамагнитной восприимчивости проводника&#13;
в переменном электрическом поле, приложенном к его поверхности.; Обчислено нерівноважний доданок до електронної парамагнітної сприйнятливості провідника&#13;
у змінному електричному полі, що прикладено до його поверхні.; The nonequilibrium addition to electron paramagnetic&#13;
susceptibility is calculated for a conductor&#13;
in an alternating electric field applied to&#13;
its surface.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
