<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физика низких температур, 2004, № 05</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118187" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/118187</id>
<updated>2026-04-18T09:07:51Z</updated>
<dc:date>2026-04-18T09:07:51Z</dc:date>
<entry>
<title>Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119727" rel="alternate"/>
<author>
<name>Десненко, В.А.</name>
</author>
<author>
<name>Доля, С.Н.</name>
</author>
<author>
<name>Исаев, Н.В.</name>
</author>
<author>
<name>Свечкарев, И.В.</name>
</author>
<author>
<name>Федорченко, А.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119727</id>
<updated>2017-06-09T00:05:08Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Аномальный диамагнетизм в сплавах алюминий–литий
Десненко, В.А.; Доля, С.Н.; Исаев, Н.В.; Свечкарев, И.В.; Федорченко, А.В.
В области равновесных твердых растворов лития в алюминии обнаружен аномальный низкотемпературный&#13;
пик диамагнетизма, вызванный наличием непосредственно под уровнем Ферми&#13;
алюминия граничной точки на линии вырождения зон. Положение и структура пика в функции&#13;
средней валентности аналогичны исследованным ранее в стареющих системах Al–Mg, Al–Zn при&#13;
соответствующей термообработке. Оценена величина параметра рассеяния электронов на примеси&#13;
лития для состояний в окрестности упомянутой точки вырождения и установлена линейная&#13;
связь этого параметра с примесным электросопротивлением в сплавах алюминия.; В області рівноважних твердих розчинів літію в алюмінії виявлено аномальний низькотемпературний&#13;
пік діамагнетизму, який викликано наявністю безпосередньо під рівнем Фермі&#13;
алюмінію граничної точки на лінії виродження зон. Положення і структура піку у функції&#13;
середньої валентності аналогічні дослідженим раніше в старіючих системах Al–Mg, Al–Zn при&#13;
відповідній термообробці. Оцінено величину параметра розсіювання електронів на домішці&#13;
літію для станів поблизу згаданої точки виродження та встановлено лінійний зв’язок цього параметра&#13;
з домішковим електроопором у сплавах алюмінію.; An anomalous low-temperature diamagnetic&#13;
peak caused by the presence of the borderpoint&#13;
on the band degeneracy line just below the&#13;
Fermi level of aluminium has been observed in&#13;
the equilibrium Li–Al solutions. The position&#13;
and the shape of the peak as a function of the&#13;
average valence are the same as those in the earlier&#13;
studied aging systems Al–Mg, Al–Zn subjected&#13;
to the corresponding heat treating. The&#13;
parameter of electron scattering by the lithium&#13;
impurity is estimated for the states in the vicinity&#13;
of the above point a linear relation is found&#13;
to exist between this parameter and impurity residual&#13;
resistivity in aluminium alloys.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Intrinsic and extrinsic inhomogeneities in mixed-valence manganites</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119726" rel="alternate"/>
<author>
<name>Belevtsev, B.I.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119726</id>
<updated>2017-06-09T00:04:19Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Intrinsic and extrinsic inhomogeneities in mixed-valence manganites
Belevtsev, B.I.
It is suggested that extrinsic inhomogeneities in mixed-valence manganites deserve more attention&#13;
and they should be taken into account on equal footing with hypothetical phase separation&#13;
while examinating experimental data and developing the theoretical models of the influence of&#13;
stoichiometric and other types of inhomogeneities on the properties of these and other transition-&#13;
metal oxides.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119725" rel="alternate"/>
<author>
<name>Окулов, В.И.</name>
</author>
<author>
<name>Альшанский, Г.А.</name>
</author>
<author>
<name>Константинов, В.Л.</name>
</author>
<author>
<name>Королев, А.В.</name>
</author>
<author>
<name>Нейфельд, Э.А.</name>
</author>
<author>
<name>Сабирзянова, Л.Д.</name>
</author>
<author>
<name>Памятных, Е.А.</name>
</author>
<author>
<name>Паранчич, С.Ю.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119725</id>
<updated>2017-06-09T00:03:07Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
Окулов, В.И.; Альшанский, Г.А.; Константинов, В.Л.; Королев, А.В.; Нейфельд, Э.А.; Сабирзянова, Л.Д.; Памятных, Е.А.; Паранчич, С.Ю.
Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных&#13;
элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной&#13;
на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную&#13;
зависимость от концентрации примесей. Получено выражение для спиновой восприимчивости&#13;
резонансно рассеивающихся электронов в рамках подхода Фриделя. Экспериментальные данные,&#13;
полученные на селениде ртути с примесями железа, подтвердили теоретические результаты&#13;
и позволили определить эффективный спин резонансного состояния.; Показано, що при резонансному розсіюванні електронів на донорних домішках перехідних&#13;
елементів у напівпровідниках виникає внесок в спінову сприйнятливість від локалізованої на&#13;
домішках електронної густини. Пов’язана з ним константа Кюрі має незвичайну залежність від&#13;
концентрації домішок. Отримано вираз для спінової сприйнятливості електронів, що резонансно&#13;
розсіюються, в рамках підходу Фріделя. Експериментальні дані, отримані на селеніді ртуті&#13;
з домішками заліза, підтвердили теоретичні результати та дозволили визначити ефективний&#13;
спін резонансного стану.; It is shown that on resonance scattering of&#13;
electrons by donor impurities in semiconductors&#13;
there is a contribution to the spin susceptibility&#13;
from the electron density localized at the impurities.&#13;
The related Curie constant has an unusual&#13;
dependence on impurity concentration. An expression&#13;
for spin susceptibility of resonant electrons&#13;
has been obtained in the framework of&#13;
Friedel’s approach. The above results of the theory&#13;
were verified by the experimental data for&#13;
mercury selenide with iron impurities. The effective&#13;
spin of the resonance state has been found.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Magnetoresistive study of the antiferromagnetic-weak ferromagnetic transition in single-crystal La₂CuO₄+δ</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119724" rel="alternate"/>
<author>
<name>Belevtsev, B.I.</name>
</author>
<author>
<name>Dalakova, N.V.</name>
</author>
<author>
<name>Savitsky, V.N.</name>
</author>
<author>
<name>Bondarenko, A.V.</name>
</author>
<author>
<name>Panfilov, A.S.</name>
</author>
<author>
<name>Braude, I.S.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119724</id>
<updated>2017-06-09T00:05:08Z</updated>
<published>2004-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Magnetoresistive study of the antiferromagnetic-weak ferromagnetic transition in single-crystal La₂CuO₄+δ
Belevtsev, B.I.; Dalakova, N.V.; Savitsky, V.N.; Bondarenko, A.V.; Panfilov, A.S.; Braude, I.S.
Resistive measurements were made to study the magnetic field-induced antiferromagnetic&#13;
(AF)—weak ferromagnetic (WF) transition in the La₂CuO₄ single crystal. The magnetic field (dc&#13;
or pulsed) was applied normally to the CuO₂ layers. The transition manifested itself in a drastic&#13;
decrease of the resistance in critical fields of 5–7 T. The study is the first to display the effect of&#13;
the AF–WF transition on the conductivity of the La₂CuO₄ single crystal in the direction parallel&#13;
to the CuO₂ layers. The results provide support for the three-dimensional nature of the hopping&#13;
conduction of this layered oxide.
</summary>
<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
